Modulo IGBT,1200V 800A
Breve introduzione
modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 800A.
Caratteristiche
Tipico Applicazioni
Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 O C a meno che altrimenti notato
IGBT
Il simbolo | Descrizione | valore | unità |
V CES | Tensione tra collettore ed emittente | 1200 | V |
V GES | Tensione del portatore-emittente | ± 30 | V |
Io C | Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C = 100O C | 1250 800 | A |
Io CM | Corrente Collettore a Impulso t P = 1 millisecondo | 1600 | A |
P D | Dissipation di potenza massima @ T j = 175 O C | 4166 | W |
Diodo
Il simbolo | Descrizione | valore | unità |
V RRM | Tensione inversa di picco ripetitiva | 1200 | V |
Io F | Diodo di continua curvatura anteriore affitto | 800 | A |
Io FM | Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms | 1600 | A |
Modulo
Il simbolo | Descrizione | valore | unità |
t jmax | Temperatura massima di giunzione | 175 | O C |
t - Giappone | Temperatura di funzionamento della giunzione | -40 a +150 | O C |
t STG | Temperatura di conservazione Autonomia | -40 a +125 | O C |
V ISO | tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min | 2500 | V |
IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | unità |
V CE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione | Io C = 800 A, V GE = 15 V, t j = 25 O C |
| 1.70 | 2.15 |
V |
Io C = 800 A, V GE = 15 V, t j = 125 O C |
| 1.95 |
| |||
Io C = 800 A, V GE = 15 V, t j = 150 O C |
| 2.00 |
| |||
V GE (th ) | Limita di emissione della porta Tensione | Io C =32.0 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C | 5.0 | 5.7 | 6.5 | V |
Io CES | Collettore Taglio -OFF corrente | V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 O C |
|
| 5.0 | mA |
Io GES | Perforazione del portello corrente | V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C |
|
| 400 | NA |
r Gint | Resistenza al cancello interno atteggiamento |
|
| 0.13 |
| Ω |
C ies | Capacità di ingresso | V CE = 30V, f=1MHz, V GE =0V |
| 79.2 |
| NF |
C res | Trasferimento inverso Capacità |
| 2.40 |
| NF | |
Q g | Importo della porta | V GE = 15V |
| 4.80 |
| μC |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C = 800A, r g = 1.0Ω, V GE =± 15V, t j = 25 O C |
| 408 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 119 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 573 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 135 |
| NS | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 21.0 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 72.4 |
| mJ | |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C = 800A, r g = 1.0Ω, V GE =± 15V, t j = 125O C |
| 409 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 120 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 632 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 188 |
| NS | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 26.4 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 107 |
| mJ | |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C = 800A, r g = 1.0Ω, V GE =± 15V, t j = 150O C |
| 410 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 123 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 638 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 198 |
| NS | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 28.8 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 112 |
| mJ | |
Io SC |
Dati SC | t P ≤ 10 μs,V GE = 15 V, t j = 150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V |
|
3200 |
|
A |
Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | unità |
V F | Diodo di avanzamento Tensione | Io F = 800 A, V GE =0V,T j = 25 O C |
| 1.80 | 2.25 |
V |
Io F = 800 A, V GE =0V,T j = 125O C |
| 1.85 |
| |||
Io F = 800 A, V GE =0V,T j = 150O C |
| 1.85 |
| |||
Q r | Importo recuperato | V r = 600V,I F = 800A, - di/dt=6700A/μs, V GE - Sì. 15V t j = 25 O C |
| 81.0 |
| μC |
Io RM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 518 |
| A | |
e Ricerca | Ritorno al recupero energia |
| 39.4 |
| mJ | |
Q r | Importo recuperato | V r = 600V,I F = 800A, - di/dt=6700A/μs, V GE - Sì. 15V t j = 125O C |
| 136 |
| μC |
Io RM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 646 |
| A | |
e Ricerca | Ritorno al recupero energia |
| 65.2 |
| mJ | |
Q r | Importo recuperato | V r = 600V,I F = 800A, - di/dt=6700A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 150O C |
| 155 |
| μC |
Io RM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 684 |
| A | |
e Ricerca | Ritorno al recupero energia |
| 76.6 |
| mJ |
Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Min. | Tipo. | Max. | unità |
L CE | Induttanza di deflusso |
|
| 20 | nH |
r CC+EE | Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip |
| 0.18 |
| mΩ |
r ilJC | Connessione con il caso (per IGB) T) Connessione con il caso (per D) iodio) |
|
| 0.036 0.048 | C/W |
r thCH | Cassa-sink (per IGBT) Cassa-sink (p) diodo) Cassa-sink (per Modulo) |
| 0.123 0.163 0.035 |
| C/W |
m | Torsione di connessione terminale, Vite M4 Connessione Terminale Coppia, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6 | 1.1 2.5 3.0 |
| 2.0 5.0 5.0 |
N.M |
g | Peso di Modulo |
| 300 |
| g |
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