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Modulo IGBT 1200V

Modulo IGBT 1200V

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GD800SGT120C2S_G8,Modulo IGBT,STARPOWER

Modulo IGBT,1200V 800A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD800SGT120C2S_G8
  • Introduzione
  • Outline
Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 800A.

Caratteristiche

  • Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
  • Capacità di cortocircuito di 10 μs
  • VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
  • Temperatura massima di giunzione 175oC
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Tipico Applicazioni

  • Invertitori per motori D Riva
  • Corrente alternata e corrente continua servo Trasmissione amplificatore
  • Potenza ininterrotta r fornitura

Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

± 30

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 O C

@ T C = 100O C

1250

800

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P = 1 millisecondo

1600

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 O C

4166

W

Diodo

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

800

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

1600

A

Modulo

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

t jmax

Temperatura massima di giunzione

175

O C

t - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

O C

t STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

O C

V ISO

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C = 800 A, V GE = 15 V, t j = 25 O C

1.70

2.15

V

Io C = 800 A, V GE = 15 V, t j = 125 O C

1.95

Io C = 800 A, V GE = 15 V, t j = 150 O C

2.00

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =32.0 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C

5.0

5.7

6.5

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j = 25 O C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C

400

NA

r Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

0.13

Ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 30V, f=1MHz,

V GE =0V

79.2

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

2.40

NF

Q g

Importo della porta

V GE = 15V

4.80

μC

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 800A, r g = 1.0Ω,

V GE =± 15V, t j = 25 O C

408

NS

t r

Tempo di risalita

119

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

573

NS

t F

Tempo di caduta

135

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

21.0

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

72.4

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 800A, r g = 1.0Ω,

V GE =± 15V, t j = 125O C

409

NS

t r

Tempo di risalita

120

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

632

NS

t F

Tempo di caduta

188

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

26.4

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

107

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 800A, r g = 1.0Ω,

V GE =± 15V, t j = 150O C

410

NS

t r

Tempo di risalita

123

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

638

NS

t F

Tempo di caduta

198

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

28.8

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

112

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE = 15 V,

t j = 150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

3200

A

Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F = 800 A, V GE =0V,T j = 25 O C

1.80

2.25

V

Io F = 800 A, V GE =0V,T j = 125O C

1.85

Io F = 800 A, V GE =0V,T j = 150O C

1.85

Q r

Importo recuperato

V r = 600V,I F = 800A,

- di/dt=6700A/μs,

V GE - Sì. 15V t j = 25 O C

81.0

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

518

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

39.4

mJ

Q r

Importo recuperato

V r = 600V,I F = 800A,

- di/dt=6700A/μs,

V GE - Sì. 15V t j = 125O C

136

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

646

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

65.2

mJ

Q r

Importo recuperato

V r = 600V,I F = 800A,

- di/dt=6700A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 150O C

155

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

684

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

76.6

mJ

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

r CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.18

r ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Connessione con il caso (per D) iodio)

0.036

0.048

C/W

r thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Cassa-sink (p) diodo)

Cassa-sink (per Modulo)

0.123

0.163

0.035

C/W

m

Torsione di connessione terminale, Vite M4 Connessione Terminale Coppia, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

N.M

g

Peso di Modulo

300

g

Outline

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