Modulo IGBT,1200V 800A
caratteristiche
tipica Applicazioni
Assoluto massimo rating tc= 25°C a meno che altrimenti nota
Il simbolo | Descrizione | GD800HFT120C3S | unità |
vCES | Tensione tra collettore ed emittente | 1200 | v |
vGES | Tensione del portatore-emittente | ± 20 | v |
Ic | Collettore corrente @tc= 25°C @ Tc= 80°C | 1400 800 | a) |
Icm | Corrente del collettore pulsato tp= 1ms | 1600 | a) |
If | Diodo di continua curvatura anterioreaffitto @ Tc= 80°C | 800 | a) |
IFm | Corrente di diodo massima tp=1 ms | 1600 | a) |
pd | Dissipation di potenza massima @ Tj= 175°C | 4.2 | kW |
tjmax | Temperatura massima di giunzione | 175 | °C |
tSTG | temperatura di conservazionegamma | -40 a +125 | °C |
viso | tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1Min | 2500 | v |
montamento coppia | Vite del Terminale di Segnale:M4 | 1.8 a 2.1 |
|
Vite del Terminale di Potenza:M8 | 8.0 a 10 | n.m. | |
Fabbricazione di dispositivi di controllo: | 4.25 a 5.75 |
|
elettrico caratteristiche di Igbt tc= 25°C a meno che altrimenti nota
Non caratteristiche
Il simbolo | parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | - Max. - Cosa? | unità |
v(br)CES | Collettore-emittente tensione di rottura | tj= 25°C | 1200 |
|
| v |
ICES | Collettore tagliato- Non lo so.spento corrente | v- -=vCES- Sì.vGE=0V,tj= 25°C |
|
| 5.0 | - Mamma! |
IGES | Perforazione del portello corrente | vGE=vGES- Sì.v- -=0V, tj= 25°C |
|
| 400 | - No |
Sulle caratteristiche
Il simbolo | parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | - Max. - Cosa? | unità |
vGE(- La) | Limita di emissione della porta tensione | Ic=32.0- Mamma!- Sì.v- -=vGE- Sì. tj= 25°C | 5.0 | 5.8 | 6.5 | v |
vCE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione | Ic= 800 A, VGE= 15V, tj= 25°C |
| 1.70 | 2.15 |
v |
Ic= 800 A, VGE= 15V, tj= 125°C |
| 2.00 |
|
Caratteristiche di cambio
Il simbolo | parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | - Max. - Cosa? | unità |
td(su) | Tempo di ritardo di accensione |
v- Cc= 600V,Ic= 800A, rGon=3.3Ω, rGoff=0.39Ω, vGE= ± 15V,Tj= 25°C |
| 605 |
| NS |
tr | Tempo di risalita |
| 225 |
| NS | |
td(spento) | Disattivamento tempo di ritardo |
| 830 |
| NS | |
tf | Tempo di caduta |
| 155 |
| NS | |
esu | Accendere di passaggio perdita |
| - Sì. |
| mj | |
espento | Sconto di accensione perdita |
| - Sì. |
| mj | |
td(su) | Tempo di ritardo di accensione |
v- Cc= 600V,Ic= 800A, rGon=3.3Ω, rGoff=0.39Ω, vGE= ± 15V,Tj= 125°C |
| 670 |
| NS |
tr | Tempo di risalita |
| 220 |
| NS | |
td(spento) | Disattivamento tempo di ritardo |
| 960 |
| NS | |
tf | Tempo di caduta |
| 175 |
| NS | |
esu | Accendere di passaggio perdita |
| 161 |
| mj | |
espento | Sconto di accensione perdita |
| 124 |
| mj | |
c- Non | Capacità di ingresso | v- -= 25V, f=1MHz, vGE=0V |
| 57.7 |
| NF |
c- Non | Capacità di uscita |
| 3.02 |
| NF | |
cres | Trasferimento inverso Capacità |
| 2.62 |
| NF | |
Isc |
Dati SC | tp≤ 10 μs,VGE=15 v, tj= 125°C,v- Cc= 900V, vCEM≤ 1200V |
|
3200 |
|
a) |
rGint | Resistenza al cancello internoatteggiamento |
|
| 1.25 |
| Oh |
- Io...- - | Induttanza di deflusso |
|
| 20 |
| - Non lo so. |
rCC+EE | Modulo piombo Resistenza, Terminal a chip |
|
|
0.18 |
| mΩ |
elettrico caratteristiche di Diodo tc= 25°C a meno che altrimenti nota
Il simbolo | parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | - Max. - Cosa? | unità | |
vf | Diodo di avanzamento tensione | If=800A | tj= 25°C |
| 1.65 | 2.10 | v |
tj= 125°C |
| 1.65 |
| ||||
Qr | Ricostruito carico | If= 800A, vr= 600V, rGon= 0,9Ω, vGE= 15V | tj= 25°C |
| 86 |
| μC |
tj= 125°C |
| 160 |
| ||||
IRM | Verso il picco inverso corrente di recupero | tj= 25°C |
| 560 |
| a) | |
tj= 125°C |
| 720 |
| ||||
eRicerca | Ritorno al recuperoenergia | tj= 25°C |
| 38.0 |
| mj | |
tj= 125°C |
| 70.0 |
|
Caratteristica termicaics
Il simbolo | parametro | Tipo. | - Max. - Cosa? | unità |
rθJC | Connessione con il caso (per IGB)T) |
| 35.6 | K/kW |
rθJC | Connessione con il caso (per D)iodio) |
| 62.0 | K/kW |
rθcss | Cassa-sink (applicazione di grasso conduttivo)mentito) | 6 |
| K/kW |
peso | peso- Non lo so.modulo | 1500 |
| g |
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