1700V 800A
Breve introduzione
modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1700V 800A.
Caratteristiche
Tipico Applicazioni
Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 O C a meno che altrimenti notato
IGBT
Il simbolo | Descrizione | valore | unità |
V CES | Tensione tra collettore ed emittente | 1700 | V |
V GES | Tensione del portatore-emittente | ±20 | V |
Io C | Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C = 80 O C | 1050 800 | A |
Io CM | Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms | 1600 | A |
P D | Dissipation di potenza massima @ T j = 175 O C | 4.85 | kw |
Diodo
Il simbolo | Descrizione | valore | unità |
V RRM | Tensione inversa di picco ripetitiva | 1700 | V |
Io F | Diodo di continua curvatura anteriore affitto | 800 | A |
Io FM | Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms | 1600 | A |
Modulo
Il simbolo | Descrizione | valore | unità |
t jmax | Temperatura massima di giunzione | 175 | O C |
t - Giappone | Temperatura di funzionamento della giunzione | -40 a +150 | O C |
t STG | Temperatura di conservazione Autonomia | -40 a +125 | O C |
V ISO | tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min | 4000 | V |
IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | unità |
V CE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione | Io C = 800 A, V GE = 15V, t j = 25 O C |
| 2.50 | 2.95 |
V |
Io C = 800 A, V GE = 15V, t j = 125 O C |
| 3.00 |
| |||
Io C = 800 A, V GE = 15V, t j = 150 O C |
| 3.10 |
| |||
V GE (th ) | Limita di emissione della porta Tensione | Io C =32.0 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C | 5.4 |
| 7.4 | V |
Io CES | Collettore Taglio -OFF corrente | V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 O C |
|
| 5.0 | mA |
Io GES | Perforazione del portello corrente | V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C |
|
| 400 | NA |
C ies | Capacità di ingresso | V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V |
| 54.0 |
| NF |
C res | Trasferimento inverso Capacità |
| 1.84 |
| NF | |
Q g | Importo della porta | V GE - Sì. 15…+15V |
| 6.2 |
| μC |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC =900V,I C = 800A, r g = 1,5Ω, V GE =± 15V, t j = 25 O C |
| 235 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 110 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 390 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 145 |
| NS | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 216 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 152 |
| mJ | |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC =900V,I C = 800A, r g = 1,5Ω, V GE =± 15V, t j = 125O C |
| 250 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 120 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 475 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 155 |
| NS | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 280 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 232 |
| mJ | |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC =900V,I C = 800A, r g = 1,5Ω, V GE =± 15V, t j = 150O C |
| 254 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 125 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 500 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 160 |
| NS | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 312 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 256 |
| mJ | |
Io SC |
Dati SC | t P ≤ 10 μs,V GE = 15V, t j = 150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V |
|
2480 |
|
A |
Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | unità |
V F | Diodo di avanzamento Tensione | Io F = 800 A, V GE =0V, t j = 25 O C |
| 1.80 | 2.25 |
V |
Io F = 800 A, V GE =0V, t j = 125O C |
| 1.95 |
| |||
Io F = 800 A, V GE =0V, t j = 150O C |
| 1.90 |
| |||
Q r | Importo recuperato | V CC =900V,I F = 800A, -di/dt=8400A/μs,V GE =± 15V, t j = 25 O C |
| 232 |
| μC |
Io RM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 720 |
| A | |
e Ricerca | Ritorno al recupero energia |
| 134 |
| mJ | |
Q r | Importo recuperato | V CC =900V,I F = 800A, -di/dt=8400A/μs,V GE =± 15V, t j = 125O C |
| 360 |
| μC |
Io RM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 840 |
| A | |
e Ricerca | Ritorno al recupero energia |
| 222 |
| mJ | |
Q r | Importo recuperato | V CC =900V,I F = 800A, -di/dt=8400A/μs,V GE =± 15V, t j = 150O C |
| 424 |
| μC |
Io RM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 880 |
| A | |
e Ricerca | Ritorno al recupero energia |
| 259 |
| mJ |
Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Min. | Tipo. | Max. | unità |
L CE | Induttanza di deflusso |
| 20 |
| nH |
r CC+EE | Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip |
| 0.37 |
| mΩ |
r θ JC | Connessione con il caso (per IGB) T) Connessione con il caso (per D) iodio) |
|
| 30.9 49.0 | K/kW |
r θ CS | Cassa-sink (per IGBT) Cassa-sink (per diodo) |
| 19.6 31.0 |
| K/kW |
r θ CS | Cassa-sink |
| 6.0 |
| K/kW |
m | Torsione di connessione terminale, Vite M4 Connessione Terminale Coppia, Vite M8 Torsione di montaggio Vite M6 | 1.8 8.0 4.25 |
| 2.1 10 5.75 |
N.M |
g | Peso di Modulo |
| 1500 |
| g |
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