Tutte le Categorie

Modulo IGBT 1700V

Modulo IGBT 1700V

Pagina principale /  Prodotti  /  modulo IGBT  /  Modulo IGBT 1700V

GD800HFL170C3S,Modulo IGBT,STARPOWER

1700V 800A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD800HFL170C3S
  • Introduzione
  • Outline
Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1700V 800A.

Caratteristiche

  • Basso VCE(sat) SPT+ IGBT Tecnologia
  • Capacità di cortocircuito di 10 μs
  • VCE (sat) Con positivo Temperatura coefficiente
  • Temperatura massima di giunzione 175oC
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Tipico Applicazioni

  • Convertitori ad alta potenza
  • Driver per motori
  • Turbine Eoliche

Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 O C

@ T C = 80 O C

1050

800

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms

1600

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 O C

4.85

kw

Diodo

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1700

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

800

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

1600

A

Modulo

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

t jmax

Temperatura massima di giunzione

175

O C

t - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

O C

t STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

O C

V ISO

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C = 800 A, V GE = 15V, t j = 25 O C

2.50

2.95

V

Io C = 800 A, V GE = 15V, t j = 125 O C

3.00

Io C = 800 A, V GE = 15V, t j = 150 O C

3.10

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =32.0 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C

5.4

7.4

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j = 25 O C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C

400

NA

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

54.0

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

1.84

NF

Q g

Importo della porta

V GE - Sì. 15…+15V

6.2

μC

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C = 800A, r g = 1,5Ω,

V GE =± 15V, t j = 25 O C

235

NS

t r

Tempo di risalita

110

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

390

NS

t F

Tempo di caduta

145

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

216

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

152

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C = 800A, r g = 1,5Ω,

V GE =± 15V, t j = 125O C

250

NS

t r

Tempo di risalita

120

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

475

NS

t F

Tempo di caduta

155

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

280

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

232

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C = 800A,

r g = 1,5Ω,

V GE =± 15V, t j = 150O C

254

NS

t r

Tempo di risalita

125

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

500

NS

t F

Tempo di caduta

160

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

312

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

256

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

2480

A

Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F = 800 A, V GE =0V, t j = 25 O C

1.80

2.25

V

Io F = 800 A, V GE =0V, t j = 125O C

1.95

Io F = 800 A, V GE =0V, t j = 150O C

1.90

Q r

Importo recuperato

V CC =900V,I F = 800A,

-di/dt=8400A/μs,V GE =± 15V, t j = 25 O C

232

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

720

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

134

mJ

Q r

Importo recuperato

V CC =900V,I F = 800A,

-di/dt=8400A/μs,V GE =± 15V, t j = 125O C

360

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

840

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

222

mJ

Q r

Importo recuperato

V CC =900V,I F = 800A,

-di/dt=8400A/μs,V GE =± 15V, t j = 150O C

424

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

880

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

259

mJ

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

r CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.37

r θ JC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Connessione con il caso (per D) iodio)

30.9

49.0

K/kW

r θ CS

Cassa-sink (per IGBT)

Cassa-sink (per diodo)

19.6

31.0

K/kW

r θ CS

Cassa-sink

6.0

K/kW

m

Torsione di connessione terminale, Vite M4 Connessione Terminale Coppia, Vite M8 Torsione di montaggio Vite M6

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

N.M

g

Peso di Modulo

1500

g

Outline

Richiedi un preventivo gratuito

Il nostro rappresentante ti contatterà presto.
Email
Nome
Nome dell'azienda
Messaggio
0/1000

PRODOTTO CORRELATO

Hai domande su qualche prodotto?

Il nostro team di vendita professionale è in attesa della tua consulenza.
Puoi seguire la lista dei loro prodotti e fare qualsiasi domanda ti interessi.

Richiedi un preventivo

Richiedi un preventivo gratuito

Il nostro rappresentante ti contatterà presto.
Email
Nome
Nome dell'azienda
Messaggio
0/1000