GD800HFL170C3S, Modulo IGBT, 1700V 800A, STARPOWER

Modulo IGBT 1700V

GD800HFL170C3S, Modulo IGBT, 1700V 800A, STARPOWER

Modulo IGBT，1700V 800A

Brand:

Strumento di controllo

Spu:

GD800HFL170C3S

Introduzione
scheda

Introduzione

caratteristiche

Basso VCE(sat) SPT+Igbttecnologia
Capacità di cortocircuito di 10 μs
VCE (sat)conpositivotemperaturacoefficiente
Temperatura massima di giunzione 175oC
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

tipica Applicazioni

Convertitori ad alta potenza
Driver per motori
Turbine Eoliche

Assoluto massimo rating tc= 25oc a meno che altrimenti nota

Igbt

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
vCES	Tensione tra collettore ed emittente	1700	v
vGES	Tensione del portatore-emittente	± 20	v
Ic	Corrente del collettore @ Tc= 25oc @ Tc= 80oc	1050 800	a)
Icm	Corrente del collettore pulsato tp=1 ms	1600	a)
pd	Dissipation di potenza massima @ Tj= 175oc	4.85	kW

Diodo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
vRRM	Tensione inversa di picco ripetitiva	1700	v
If	Diodo di continua curvatura anterioreaffitto	800	a)
IFm	Corrente di diodo massima tp=1 ms	1600	a)

modulo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
tjmax	Temperatura massima di giunzione	175	oc
t- Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	oc
tSTG	temperatura di conservazionegamma	-40 a +125	oc
viso	tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1Min	4000	v

Igbt caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

Il simbolo	parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	- Max. - Cosa?	unità
vCE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Ic= 800 A, VGE= 15V, tj= 25oc		2.50	2.95	v
		Ic= 800 A, VGE= 15V, tj= 125oc		3.00
		Ic= 800 A, VGE= 15V, tj= 150oc		3.10
vGE(- La)	Limita di emissione della porta tensione	Ic=32.0- Mamma!- Sì.v- -=vGE- Sì. tj= 25oc	5.4		7.4	v
ICES	Collettore tagliato- Non lo so.spento corrente	v- -=vCES- Sì.vGE=0V, tj= 25oc			5.0	- Mamma!
IGES	Perforazione del portello corrente	vGE=vGES- Sì.v- -=0V,tj= 25oc			400	- No
c- Non	Capacità di ingresso	v- -= 25V, f=1MHz, vGE=0V		54.0		NF
cres	Trasferimento inverso Capacità	v- -= 25V, f=1MHz, vGE=0V		1.84		NF
Qg	Importo della porta	vGE- Sì. 15…+15V		6.2		μC
td(su)	Tempo di ritardo di accensione	v- Cc=900V,Ic= 800A,- Non lo so.rg= 1,5Ω, vGE=± 15V,tj= 25oc		235		NS
tr	Tempo di risalita			110		NS
td(spento)	Disattivamento tempo di ritardo			390		NS
tf	Tempo di caduta			145		NS
esu	Accendere di passaggio perdita			216		mj
espento	Sconto di accensione perdita			152		mj
td(su)	Tempo di ritardo di accensione	v- Cc=900V,Ic= 800A,- Non lo so.rg= 1,5Ω, vGE=± 15V, tj= 125oc		250		NS
tr	Tempo di risalita			120		NS
td(spento)	Disattivamento tempo di ritardo			475		NS
tf	Tempo di caduta			155		NS
esu	Accendere di passaggio perdita			280		mj
espento	Sconto di accensione perdita			232		mj
td(su)	Tempo di ritardo di accensione	v- Cc=900V,Ic= 800A,- Non lo so. rg= 1,5Ω, vGE=± 15V, tj= 150oc		254		NS
tr	Tempo di risalita			125		NS
td(spento)	Disattivamento tempo di ritardo			500		NS
tf	Tempo di caduta			160		NS
esu	Accendere di passaggio perdita			312		mj
espento	Sconto di accensione perdita			256		mj
Isc	Dati SC	tp≤ 10 μs,VGE= 15V, tj= 150oC,V- Cc= 1000V,laCEM≤1700V		2480		a)

Diodo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

Il simbolo	parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	- Max. - Cosa?	unità
vf	Diodo di avanzamento tensione	If= 800 A, VGE=0V, tj= 25oc		1.80	2.25	v
		If= 800 A, VGE=0V, tj= 125oc		1.95
		If= 800 A, VGE=0V, tj= 150oc		1.90
Qr	Importo recuperato	v- Cc=900V,If= 800A, -di/dt=8400A/μs,VGE=± 15V, tj= 25oc		232		μC
IRM	Verso il picco inverso corrente di recupero			720		a)
eRicerca	Ritorno al recuperoenergia			134		mj
Qr	Importo recuperato	v- Cc=900V,If= 800A, -di/dt=8400A/μs,VGE=± 15V, tj= 125oc		360		μC
IRM	Verso il picco inverso corrente di recupero			840		a)
eRicerca	Ritorno al recuperoenergia			222		mj
Qr	Importo recuperato	v- Cc=900V,If= 800A, -di/dt=8400A/μs,VGE=± 15V, tj= 150oc		424		μC
IRM	Verso il picco inverso corrente di recupero			880		a)
eRicerca	Ritorno al recuperoenergia			259		mj

modulo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

Il simbolo	parametro	Min.	Tipo.	- Max. - Cosa?	unità
- Io...- -	Induttanza di deflusso		20		- Non lo so.
rCC+EE	Modulo di resistenza al piombo,Terminal a chip		0.37		mΩ
rθJC	Connessione con il caso (per IGB)T) Connessione con il caso (per D)iodio)			30.9 49.0	K/kW
rθcss	Cassa-sink (per IGBT) Cassa-sink (per diodo)		19.6 31.0		K/kW
rθcss	Cassa-sink		6.0		K/kW
m	Torsione di connessione terminale, Vite M4 connessione terminale Coppia, Vite M8 Torsione di montaggio per il rivestimento di macchine	1.8 8.0 4.25		2.1 10 5.75	n.m.
g	peso di modulo		1500		g