Modulo IGBT 1200V

Il simbolo

Descrizione

GD800HFL120C3S

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

± 20

V

Io C

@ T C = 25 ℃

@ T C = 80 ℃

1250

A

800

Io CM(1)

Corrente Collettore a Impulso t P = 1 millisecondo

1600

A

Io F

Diodo di corrente continua in avanti

800

A

Io FM

Corrente di diodo massima in avanti

1600

A

P D

Potenza massima Dissipazione @ t j = 150 ℃

4310

W

t SC

Cortocircuito resistenza al tempo @ T j = 125 ℃

10

μs

t j

Temperatura di funzionamento della giunzione

- Da 40 a +150

℃

t STG

Intervallo di temperatura di conservazione

- Da 40 a +125

℃

Io 2Valore t, diodo

V r =0V, t=10ms, T j = 125 ℃

140

kA 2s

V ISO

Il tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Montaggio

Coppia

Terminale di alimentazione Vite:M4

Terminale di alimentazione Vite:M8

1.7 a 2.3

8.0 a 10

N.M

Montaggio Fabbricazione di apparecchiature per la trasmissione di dati

4.25 a 5.75

N.M

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

BV CES

Collettore-emittente

Tensione di Rottura

t j = 25 ℃

1200

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF corrente

V CE =V CES V GE =0V, t j = 25 ℃

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello

corrente

V GE =V GES V CE =0V, t j = 25 ℃

400

NA

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V GE (th)

Limita di emissione della porta

Tensione

Io C =32mA,V CE =V GE , t j = 25 ℃

5.0

6.2

7.0

V

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C = 800 A, V GE = 15V, t j = 25 ℃

1.8

V

Io C = 800 A, V GE = 15V, t j = 125 ℃

2.0

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

Q GE

Importo della porta

Io C = 800 A, V CE = 600V,

V GE =-15...+15V

11.5

μC

t D (in)

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 800A,

r Gon =3.3Ω,

r Goff =0.39Ω,

V GE =± 15V,T j = 25 ℃

600

NS

t r

Tempo di risalita

230

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

820

NS

t F

Tempo di caduta

150

NS

t D (in)

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 800A,

r Gon =3.3Ω,

r Goff =0.39Ω,

V GE =± 15V,T j = 125 ℃

660

NS

t r

Tempo di risalita

220

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

960

NS

t F

Tempo di caduta

180

NS

e ON

Accendere Perdite di cambio

160

mJ

e OFF

Perdita di Commutazione di Spegnimento

125

mJ

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

61.8

NF

C - Non

Capacità di uscita

4.2

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

2.7

NF

Io SC

Dati SC

t s C ≤ 10 μs,V GE = 15V, t j = 125 ℃ ,

V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

3760

A

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

r CC + EE ’

Modulo di resistenza al piombo c, Terminal a chip

t C = 25 ℃

0.18

m Ω

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F =800A

t j = 25 ℃

2.4

V

t j = 125 ℃

2.2

Q r

Diodo inverso

tassa di recupero

Io F = 800A,

V r = 600V,

di/dt=-3600A/μs, V GE = 15V

t j = 25 ℃

37

μC

t j = 125 ℃

90

Io RM

Pico di diodo

Ritorno al recupero corrente

t j = 25 ℃

260

A

t j = 125 ℃

400

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

t j = 25 ℃

9

mJ

t j = 125 ℃

24

Il simbolo

Parametro

Tipo.

Max.

Unità

r θJC

Giunzione-a-Caso (Parte IGBT, per 1/2 modulo)

0.029

C/W

r θJC

Giunzione-a-Caso (Parte Diodo, per 1/2 modulo)

0.052

C/W

r θCS

Cassa-sink

(Grasso conduttivo applicato, per Modulo)

0.006

C/W

Peso

Peso di Modulo

1500

g