Modulo IGBT 1200V

Il simbolo

Descrizione

GD800HFL120C3S

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

±20

v

Ic

@ Tc= 25°C

@ Tc= 80°C

1250

a)

800

ICM(1)

Corrente del collettore pulsato tp= 1 millisecondo

1600

a)

If

Diodo di corrente continua in avanti

800

a)

IFm

Corrente di diodo massima in avanti

1600

a)

pd

Potenza massima Dissipazione @tj= 150°C

4310

- Sì

tsc

Cortocircuito resistenza al tempo @ Tj= 125°C

10

μs

tj

Temperatura di funzionamento della giunzione

- Da 40 a +150

°C

tSTG

intervallo di temperatura di conservazione

- Da 40 a +125

°C

I2Valore t, diodo

vr=0V, t=10ms, Tj= 125°C

140

ca2s

viso

Il tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

montamento

coppia

Terminale di alimentazione Vite:M4

Terminale di alimentazione Vite:M8

1.7 a 2.3

8.0 a 10

n.m.

montamento Fabbricazione di apparecchiature per la trasmissione di dati

4.25 a 5.75

n.m.

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

bv CES

Collettore-emittente

tensione di rottura

tj= 25°C

1200

v

ICES

Collettore tagliato- Non lo so.spento corrente

v- -=VCESVGE=0V, tj= 25°C

5.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello

corrente

vGE=VGESV- -=0V, tj= 25°C

400

- No

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vGE (th)

Limita di emissione della porta

tensione

Ic=32mA,V- -=VGE- Sì. tj= 25°C

5.0

6.2

7.0

v

vCE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Ic= 800 A, VGE= 15V, tj= 25°C

1.8

v

Ic= 800 A, VGE= 15V, tj= 125°C

2.0

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

QGE

Importo della porta

Ic= 800 A, V- -= 600V,

vGE=-15...+15V

11.5

μC

tD (in)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic= 800A,

rGon=3.3Ω,

rGoff=0.39Ω,

vGE =±15V,Tj= 25°C

600

NS

tr

Tempo di risalita

230

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

820

NS

tf

Tempo di caduta

150

NS

tD (in)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic= 800A,

rGon=3.3Ω,

rGoff=0.39Ω,

vGE =±15V,Tj= 125°C

660

NS

tr

Tempo di risalita

220

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

960

NS

tf

Tempo di caduta

180

NS

esu

Accendere Perdite di cambio

160

mj

espento

Perdita di Commutazione di Spegnimento

125

mj

c- Non

Capacità di ingresso

v- -= 25V, f=1MHz,

vGE=0V

61.8

NF

c- Non

Capacità di uscita

4.2

NF

cres

Trasferimento inverso

Capacità

2.7

NF

Isc

Dati SC

tsc≤10 μs,VGE= 15V,- Non lo so.tj= 125°C- Sì.

v- Cc= 900V, vCEM ≤1200 V

3760

a)

- Io...- -

Induttanza di deflusso

20

- Non lo so.

r- Cc+EE'

Modulo di resistenza al piomboc, Terminal a chip

tc= 25°C

0.18

mOh

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vf

Diodo di avanzamento

tensione

If=800A

tj= 25°C

2.4

v

tj= 125°C

2.2

Qr

Diodo inverso

tassa di recupero

If= 800A,

vr= 600V,

di/dt=-3600A/μs, vGE= 15V

tj= 25°C

37

μC

tj= 125°C

90

IRM

Pico di diodo

Ritorno al recupero corrente

tj= 25°C

260

a)

tj= 125°C

400

eRicerca

Ritorno al recupero energia

tj= 25°C

9

mj

tj= 125°C

24

Il simbolo

parametro

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

rθJC

Giunzione-a-Caso (Parte IGBT, per 1/2 modulo)

0.029

C/W

rθJC

Giunzione-a-Caso (Parte Diodo, per 1/2 modulo)

0.052

C/W

rθCS

Cassa-sink

(Grasso conduttivo applicato, per Modulo)

0.006

C/W

peso

Peso di modulo

1500

g