Modulo IGBT，1200V 800A
caratteristiche
tipica Applicazioni
Assoluto massimo rating tc= 25oc a meno che altrimenti nota
Igbt
Il simbolo | Descrizione | valori | unità |
vCES | Tensione tra collettore ed emittente | 1200 | v |
vGES | Tensione del portatore-emittente | ± 20 | v |
Ic | Corrente del collettore @ Tc= 100oc | 800 | a) |
Icm | Corrente del collettore pulsato tp=1 ms | 1600 | a) |
pd | Dissipation di potenza massima @ TVj= 175oc | 4687 | - Sì |
Diodo
Il simbolo | Descrizione | valori | unità |
vRRM | Volt inverso di picco ripetitivoetà | 1200 | v |
If | Diode Corrente continua in avanti CuRenta | 900 | a) |
IFm | Corrente di diodo massima tp=1 ms | 1800 | a) |
IFSM | Corrente di avanzamento di pressione tp= 10 ms @ TVj= 125oc @ TVj= 175oc | 2392 2448 | a) |
I2t | I2t-valore- Sì.tp= 10ms@tVj= 125oc@ TVj= 175oc | 28608 29964 | a)2s |
modulo
Il simbolo | Descrizione | valore | unità |
tvjmax | Temperatura massima di giunzione | 175 | oc |
tvjop | Temperatura di funzionamento della giunzione | -40 a +150 | oc |
tSTG | intervallo di temperatura di conservazione | -40 a +125 | oc |
viso | tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min | 2500 | v |
Igbt caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota
Il simbolo | parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | - Max. - Cosa? | unità |
vCE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione | Ic= 800 A, VGE= 15V, tVj= 25oc |
| 1.40 | 1.85 |
v |
Ic= 800 A, VGE= 15V, tVj= 125oc |
| 1.60 |
| |||
Ic= 800 A, VGE= 15V, tVj= 175oc |
| 1.60 |
| |||
vGE(- La) | Limita di emissione della porta tensione | Ic= 24,0- Mamma!- Sì.v- -=vGE- Sì. tVj= 25oc | 5.5 | 6.3 | 7.0 | v |
ICES | Collettore tagliato- Non lo so.spentocorrente | v- -=vCES- Sì.vGE=0V, tVj= 25oc |
|
| 1.0 | - Mamma! |
IGES | Perforazione del portello corrente | vGE=vGES- Sì.v- -=0V,tVj= 25oc |
|
| 400 | - No |
rGint | Resistenza al cancello internoatteggiamento |
|
| 0.5 |
| Oh |
c- Non | Capacità di ingresso | v- -= 25V, f=100 kHz, vGE=0V |
| 28.4 |
| NF |
cres | Trasferimento inverso Capacità |
| 0.15 |
| NF | |
Qg | Importo della porta | vGE=-15...+15V |
| 2.05 |
| μC |
td(su) | Tempo di ritardo di accensione |
v- Cc= 600V,Ic= 800A, rg=0.5Ω, Ls= 40nH, vGE=-8V/+15V, tVj= 25oc |
| 168 |
| NS |
tr | Tempo di risalita |
| 78 |
| NS | |
td ((off) | Disattivamento tempo di ritardo |
| 428 |
| NS | |
tf | Tempo di caduta |
| 123 |
| NS | |
esu | Accendere di passaggio perdita |
| 43.4 |
| mj | |
espento | Sconto di accensione perdita |
| 77.0 |
| mj | |
td(su) | Tempo di ritardo di accensione |
v- Cc= 600V,Ic= 800A, rg=0.5Ω, Ls= 40nH, vGE=-8V/+15V, tVj= 125oc |
| 172 |
| NS |
tr | Tempo di risalita |
| 84 |
| NS | |
td ((off) | Disattivamento tempo di ritardo |
| 502 |
| NS | |
tf | Tempo di caduta |
| 206 |
| NS | |
esu | Accendere di passaggio perdita |
| 86.3 |
| mj | |
espento | Sconto di accensione perdita |
| 99.1 |
| mj | |
td(su) | Tempo di ritardo di accensione |
v- Cc= 600V,Ic= 800A, rg=0.5Ω, Ls= 40nH, vGE=-8V/+15V, tVj= 175oc |
| 174 |
| NS |
tr | Tempo di risalita |
| 90 |
| NS | |
td ((off) | Disattivamento tempo di ritardo |
| 531 |
| NS | |
tf | Tempo di caduta |
| 257 |
| NS | |
esu | Accendere di passaggio perdita |
| 99.8 |
| mj | |
espento | Sconto di accensione perdita |
| 105 |
| mj | |
Isc |
Dati SC | tp≤8μs,vGE= 15V, tVj= 150oC, v- Cc= 800V, vCEM ≤1200 V |
|
2600 |
|
a) |
tp≤6μs,vGE= 15V, tVj= 175oC, v- Cc= 800V, vCEM ≤1200 V |
|
2500 |
|
a) |
Diodo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota
Il simbolo | parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | - Max. - Cosa? | unità |
vf | Diodo di avanzamento tensione | If= 900 A, VGE=0V,TVj=25oc |
| 1.60 | 2.00 |
v |
If= 900 A, VGE=0V,TVj= 125oc |
| 1.60 |
| |||
If= 900 A, VGE=0V,TVj= 175oc |
| 1.50 |
| |||
Qr | Importo recuperato |
vr= 600V,If= 800A, -di/dt=7778A/μs,VGE= 8V,- Io...s= 40- Non lo so.- Sì.tVj= 25oc |
| 47.7 |
| μC |
IRM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 400 |
| a) | |
eRicerca | Ritorno al recupero energia |
| 13.6 |
| mj | |
Qr | Importo recuperato |
vr= 600V,If= 800A, -di/dt=7017A/μs,VGE= 8V,- Io...s= 40- Non lo so.- Sì.tVj= 125oc |
| 82.7 |
| μC |
IRM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 401 |
| a) | |
eRicerca | Ritorno al recupero energia |
| 26.5 |
| mj | |
Qr | Importo recuperato |
vr= 600V,If= 800A, -di/dt=6380A/μs,VGE= 8V,- Io...s= 40- Non lo so.- Sì.tVj= 175oc |
| 110 |
| μC |
IRM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 413 |
| a) | |
eRicerca | Ritorno al recupero energia |
| 34.8 |
| mj |
NTC caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota
Il simbolo | parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | - Max. - Cosa? | unità |
r25 | Resistenza Nominale |
|
| 5.0 |
| kΩ |
∆R/R | Deviazione di r100 | tc= 100 oc,R100=493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
p25 | potenza dissolvimento |
|
|
| 20.0 | m |
b25/50 | Valore B | r2=R25Esp[B25/50(1/T2- Non lo so. 1/(298.15K))] |
| 3375 |
| k |
b25/80 | Valore B | r2=R25Esp[B25/80(1/T2- Non lo so. 1/(298.15K))] |
| 3411 |
| k |
b25/100 | Valore B | r2=R25Esp[B25/100(1/T2- Non lo so. 1/(298.15K))] |
| 3433 |
| k |
modulo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota
Il simbolo | parametro | Min. | Tipo. | - Max. - Cosa? | unità |
- Io...- - | Induttanza di deflusso |
| 20 |
| - Non lo so. |
rCC+EE | Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip |
| 0.80 |
| mΩ |
rilJC | Giunti- Non lo so.a- Non lo so.caso(perIGBT) Giunzione-a-Cassa (per Diodo) |
|
| 0.032 0.049 | C/W |
rthCH | Cassa-sink (perIGBT) Caso-a-Radiatore (per Diode) Case-to-Heatsink (permodulo) |
| 0.030 0.046 0.009 |
| C/W |
m | Torsione di connessione terminale, per il rivestimento di macchine Torsione di montaggio Vattone M5 | 3.0 3.0 |
| 6.0 6.0 | n.m. |
g | peso di modulo |
| 350 |
| g |
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