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Modulo IGBT 1200V

Modulo IGBT 1200V

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GD600SGT120C2S,Modulo IGBT,STARPOWER

1200V 600A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD600SGT120C2S
  • Introduzione
  • Outline
Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 600A.

Caratteristiche

  • Bassa V CE (seduto ) Trincea IGBT Tecnologia
  • Basso Perdite di cambio
  • 10 μs Capacita' di cortocircuito Ilità
  • Induttanza bassa Caso
  • V CE (seduto ) Con positivo Temperatura coefficiente
  • Recupero inverso veloce e morbido FWD antiparallelo
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Tipico Applicazioni

  • Motori a inverter alternativi
  • Forniture di alimentazione in modalità di commutazione
  • UPS

Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Descrizione

GD600SGT120C2S

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente Collettore @ t C = 25

@ T C = 80

950

600

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 MS

1200

A

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

@ T C = 80

600

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

1200

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T j =1 75

3333

W

t jmax

Temperatura massima di giunzione

175

t STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

V ISO

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Montaggio Coppia

Terminale di alimentazione Vite:M4

Filtro di alimentazione:M6

1.1 a 2.0

2,5 a 5.0

N.M

Fabbricazione di dispositivi di controllo:

3,0 a 5.0

N.M

Elettrico Caratteristiche di IGBT t C = 25 a meno che altrimenti notato

Non caratteristiche

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V (BR )CES

Collettore-emittente

Tensione di Rottura

t j = 25

1200

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25

400

NA

Sulle caratteristiche

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 24,0 mA ,V CE = V GE , t j = 25

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C =600A,V GE = 15V, t j = 25

1.70

2.15

V

Io C =600A,V GE = 15V, t j = 125

2.00

Caratteristiche di cambio

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =600A, r g = 1.2Ω,

V GE =± 15V, t j = 25

252

NS

t r

Tempo di risalita

88

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

560

NS

t F

Tempo di caduta

131

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

33.1

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

57.8

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =600A, r g = 1.2Ω,

V GE =± 15V, t j = 125

298

NS

t r

Tempo di risalita

102

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

648

NS

t F

Tempo di caduta

179

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

50.2

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

87.8

mJ

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

32.3

NF

C - Non

Capacità di uscita

1.69

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

1.46

NF

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE =15 V,

t j = 125 °C, V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

r Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

1.3

Ω

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

r CC+EE

Modulo piombo

Resistenza,

Terminal a chip

0.18

Elettrico Caratteristiche di Diodo t C = 25 a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F =600A

t j = 25

1.65

2.10

V

t j = 125

1.65

Q r

Ricostruito

carica

Io F =600A,

V r = 600V,

r g = 1.2Ω,

V GE = 15V

t j = 25

60.3

μC

t j = 125

114

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

t j = 25

415

A

t j = 125

543

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

t j = 25

28.1

mJ

t j = 125

51.8

Caratteristica termica ics

Il simbolo

Parametro

Tipo.

Max.

Unità

r θ JC

Connessione con il caso (per IGB) T)

0.045

C/W

r θ JC

Connessione con il caso (per D) iodio)

0.080

C/W

r θ CS

Cassa-sink (applicazione di grasso conduttivo) mentito)

0.035

C/W

Peso

Peso Modulo

300

g

Outline

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