Modulo IGBT 1700V

Il simbolo

Descrizione

GD600HFT170C3S

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

± 20

V

Io C

@ T C = 25 ℃

@ T C = 80 ℃

950

A

600

Io CM(1)

Corrente Collettore a Impulso t P = 1 millisecondo

1200

A

Io F

Corrente di diodo continua in avanti nt

600

A

Io FM

Corrente di diodo massima in avanti nt

1200

A

P D

Potenza massima Dissipazione @ t j = 175 ℃

3571

W

t j

Temperatura massima di giunzione

150

℃

t STG

Intervallo di temperatura di conservazione

- Da 40 a +125

℃

V ISO

Il tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min

3400

V

Montaggio

Coppia

Terminale di alimentazione Vite:M4

Terminale di alimentazione Vite:M8

1.8 a 2.1

8.0 a 10

N.M

Montaggio Fabbricazione di apparecchiature per la trasmissione di dati

4.25 a 5.75

N.M

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V (BR) CES

Collettore-emittente

Tensione di Rottura

t j = 25 ℃

1700

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF corrente

V CE =V CES V GE =0V, t j = 25 ℃

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello

corrente

V GE =V GES V CE =0V, t j = 25 ℃

400

NA

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V GE (th)

Limita di emissione della porta

Tensione

Io C =24mA,V CE =V GE , t j = 25 ℃

5.2

5.8

6.4

V

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C =600A,V GE = 15V, t j = 25 ℃

2.00

2.45

V

Io C =600A,V GE = 15V, t j = 125 ℃

2.40

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

Q g

Importo della porta

V GE =-15...+15V

7.0

μC

t D (in)

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =600A, r Gon =2.4Ω,

r Goff =3.0Ω,

V GE = ± 15V,T j = 25 ℃

650

NS

t r

Tempo di risalita

155

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

1300

NS

t F

Tempo di caduta

180

NS

e ON

Accendere Perdite di cambio

125

mJ

e OFF

Perdita di Commutazione di Spegnimento

186

mJ

t D (in)

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =600A, r Gon =2.4Ω,

r Goff =3.0Ω,

V GE = ± 15V,T j = 125 ℃

701

NS

t r

Tempo di risalita

198

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

1590

NS

t F

Tempo di caduta

302

NS

e ON

Accendere Perdite di cambio

186

mJ

e OFF

Perdita di Commutazione di Spegnimento

219

mJ

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

52.8

NF

C - Non

Capacità di uscita

2.20

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

1.75

NF

Io SC

Dati SC

t s C ≤ 10 μs,V GE = 15V,

t j = 125 ℃ V CC =1000V, V CEM ≤ di potenza superiore a 600 V

2400

A

r Gint

Resistenza interna della porta

1.3

Ω

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

r CC + EE ’

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.18

m Ω

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F =600A

t j = 25 ℃

1.80

2.20

V

t j = 125 ℃

1.90

Q r

Importo recuperato

Io F =600A,

V r = 900V,

di/dt=-3800A/μs, V GE = 15V

t j = 25 ℃

580

μC

t j = 125 ℃

640

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

t j = 25 ℃

160

A

t j = 125 ℃

258

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

t j = 25 ℃

96

mJ

t j = 125 ℃

171

Il simbolo

Parametro

Tipo.

Max.

Unità

r θJC

Giunzione-a-Caso (per IGBT)

42

K/kW

r θJC

Connessione con il caso (per D) iodio)

94

K/kW

r θCS

Cassa-sink

(Grasso conduttivo applicato, per Modulo)

6

K/kW

Peso

Peso di Modulo

1500

g