Modulo IGBT 1200V

Il simbolo

Descrizione

GD450HFT120C6S_G8

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

± 30

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 ℃

@ T C =100 ℃

660

450

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms

900

A

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu Renta

450

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

900

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T j =17 5℃

2083

W

t jmax

Temperatura massima di giunzione

175

℃

t - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

℃

t STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

℃

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

m

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vattone M5

3,0 a 6.0

3,0 a 6.0

N.M

g

Peso di Modulo

910

g

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V (BR )CES

Collettore-emittente

Tensione di Rottura

t j = 25 ℃

1200

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 ℃

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 ℃

400

NA

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 450A, r g =1.5Ω,

V GE =± 15V, t j = 25 ℃

360

NS

t r

Tempo di risalita

140

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

550

NS

t F

Tempo di caduta

146

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

11.5

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

48.0

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 450A, r g =1.5Ω,

V GE =± 15V, t j = 125 ℃

374

NS

t r

Tempo di risalita

147

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

623

NS

t F

Tempo di caduta

178

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

17.9

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

64.5

mJ

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 30V, f=1MHz,

V GE =0V

39.0

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

1.26

NF

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

t j = 125 ℃ V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

1800

A

r Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

0.67

Ω

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

r CC+EE

Modulo piombo

Resistenza,

Terminal a chip

1.10

mΩ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F = 450A

t j = 25 ℃

1.65

2.25

V

t j = 125 ℃

1.65

Q r

Ricostruito

carica

Io F = 450A,

V r = 600V,

r g =1.5Ω,

V GE = 15V

t j = 25 ℃

41.6

μC

t j = 125 ℃

77.5

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

t j = 25 ℃

241

A

t j = 125 ℃

325

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

t j = 25 ℃

23.2

mJ

t j = 125 ℃

43.1

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

r 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di r 100

r 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Dissipazione di Potenza

20.0

mW

B 25/50

Valore B

r 2=R 25Esp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

k

Il simbolo

Parametro

Tipo.

Max.

Unità

r θ JC

Connessione con il caso (per IGB) T)

0.072

C/W

r θ JC

Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.110

C/W

r θ CS

Cassa-sink (grassi conduttivi) (sottoposto)

0.005

C/W