Modulo IGBT 1700V

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

± 20

v

Ic

Corrente del collettore @ Tc= 25oc

@ Tc= 100oc

706

450

a)

Icm

Corrente del collettore pulsato tp=1 ms

900

a)

pd

Dissipation di potenza massima @ T = 175oc

2542

- Sì

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

vRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1700

v

If

Diodo di continua curvatura anterioreaffitto

450

a)

IFm

Corrente di diodo massima tp=1 ms

900

a)

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

tjmax

Temperatura massima di giunzione

175

oc

t- Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

oc

tSTG

temperatura di conservazionegamma

-40 a +125

oc

viso

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1Min

4000

v

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vCE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Ic= 450 A,VGE= 15V, tj= 25oc

1.85

2.20

v

Ic= 450 A,VGE= 15V, tj= 125oc

2.25

Ic= 450 A,VGE= 15V, tj= 150oc

2.35

vGE(- La)

Limita di emissione della porta tensione

Ic= 18,0 mA,V- -=VGE, tj= 25oc

5.6

6.2

6.8

v

ICES

Collettore tagliato- Non lo so.spento

corrente

v- -=vCES- Sì.vGE=0V,

tj= 25oc

5.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello corrente

vGE=vGES- Sì.v- -=0V,tj= 25oc

400

- No

rGint

Resistenza al cancello internoatteggiamento

1.67

Oh

c- Non

Capacità di ingresso

v- -= 25V, f=1MHz,

vGE=0V

54.2

NF

cres

Trasferimento inverso

Capacità

1.32

NF

Qg

Importo della porta

vGE- Sì. 15…+15V

4.24

μC

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc=900V,Ic= 450A,- Non lo so.rg=3.3Ω,VGE=± 15V, tj= 25oc

179

NS

tr

Tempo di risalita

105

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

680

NS

tf

Tempo di caduta

375

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

116

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

113

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc=900V,Ic= 450A,- Non lo so.rg=3.3Ω,VGE=± 15V, tj= 125oc

208

NS

tr

Tempo di risalita

120

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

784

NS

tf

Tempo di caduta

613

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

152

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

171

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc=900V,Ic= 450A,- Non lo so.rg=3.3Ω,VGE=± 15V, tj= 150oc

208

NS

tr

Tempo di risalita

120

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

800

NS

tf

Tempo di caduta

720

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

167

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

179

mj

Isc

Dati SC

tp≤ 10 μs,VGE= 15V,

tj= 150oC,V- Cc= 1000V,laCEM≤1700V

1800

a)

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vf

Diodo di avanzamento

tensione

If= 450 A,VGE=0V,Tj= 25oc

1.80

2.25

v

If= 450 A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.95

If= 450 A,VGE=0V,Tj= 150oc

1.90

Qr

Importo recuperato

vr=900V,If= 450A,

-di/dt=4580A/μs,VGE- Sì. 15 Vtj= 25oc

105

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

198

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

69.0

mj

Qr

Importo recuperato

vr=900V,If= 450A,

-di/dt=4580A/μs,VGE- Sì. 15 V tj= 125oc

187

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

578

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

129

mj

Qr

Importo recuperato

vr=900V,If= 450A,

-di/dt=4580A/μs,VGE- Sì. 15 V tj= 150oc

209

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

585

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

150

mj

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

r25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

ΔR/R

Deviazione di r100

tc= 100 oC,R100=493.3Ω

-5

5

%

p25

potenza

dissolvimento

20.0

m

b25/50

Valore B

r2=R25Esp[B25/50(1/T2- Non lo so.

1/(298.15K))]

3375

k

b25/80

Valore B

r2=R25Esp[B25/80(1/T2- Non lo so.

1/(298.15K))]

3411

k

b25/100

Valore B

r2=R25Esp[B25/100(1/T2- Non lo so.

1/(298.15K))]

3433

k

Il simbolo

parametro

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

- Io...- -

Induttanza di deflusso

20

- Non lo so.

rCC+EE

Modulo di resistenza al piombo,Terminal a chip

1.10

mΩ

rilJC

Connessione con il caso (per IGB)T)

Giunzione-a-Cassa (per Diodo)

0.059

0.083

C/W

rthCH

Cassa-sink (perIGBT)

Cassa-sink (p)diodo)

Cassa-sink (permodulo)

0.031

0.043

0.009

C/W

m

Torsione di connessione terminale, per il rivestimento di macchine Torsione di montaggio Vattone M5

3.0

3.0

6.0

6.0

n.m.

g

peso di modulo

350

g