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Modulo IGBT 1700V

Modulo IGBT 1700V

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GD450HFL170C2S,Modulo IGBT,STARPOWER

1700V 450A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD450HFL170C2S
  • Introduzione
  • Outline
Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1700V 450A.

Caratteristiche

  • Basso VCE(sat) SPT+ IGBT Tecnologia
  • Capacità di cortocircuito di 10 μs
  • VCE (sat) Con positivo Temperatura coefficiente
  • Temperatura massima di giunzione 175oC
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Tipico Applicazioni

  • Invertitori per motori
  • Turbina Eolica
  • Convertitore ad alta potenza

Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

VCES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

VGES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Ic

Corrente Collettore @ TC=25oC

@ TC=95oC

683

450

A

MIC

Corrente Collettore Impulsata tp=1ms

900

A

PD

Massima Dissipazione di Potenza T =175oC

2678

W

Diodo

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1700

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

450

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

900

A

Modulo

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

t jmax

Temperatura massima di giunzione

175

O C

t - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

O C

t STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

O C

V ISO

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

VCE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

IC=450A,VGE=15V, Tj=25oC

2.00

2.45

V

IC=450A,VGE=15V, Tj=125oC

2.40

IC=450A,VGE=15V, Tj=150oC

2.50

VGE (th)

Tensione di soglia del portale-emittente

IC= 18.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC

5.4

6.1

7.4

V

ICES

Interruzione del Collettore

corrente

VCE=VCES, VGE=0V,

Tj=25oC

5.0

mA

IGES

Corrente di perdita del portatore-emettitore

VGE=VGES,VCE=0V,Tj=25oC

400

NA

RGint

Resistenza interna della porta

0.3

Ω

- Cies

Capacità di ingresso

VCE=25V, f=1MHz,

VGE=0V

30.0

NF

Cres

Trasferimento inverso

Capacità

1.08

NF

CdG

Importo della porta

VGE=-15...+15V

2.70

μC

Td (in)

Tempo di ritardo di accensione

VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj=25oC

504

NS

tr

Tempo di risalita

183

NS

Td (off)

Tempo di ritardo di spegnimento

616

NS

TF

Tempo di caduta

188

NS

EON

Accendere il comando

Perdita

126

mJ

EOFF

Sconto di accensione

Perdita

89

mJ

Td (in)

Tempo di ritardo di accensione

VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 125oC

506

NS

tr

Tempo di risalita

194

NS

Td (off)

Tempo di ritardo di spegnimento

704

NS

TF

Tempo di caduta

352

NS

EON

Accendere il comando

Perdita

162

mJ

EOFF

Sconto di accensione

Perdita

124

mJ

Td (in)

Tempo di ritardo di accensione

VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 150oC

510

NS

tr

Tempo di risalita

198

NS

Td (off)

Tempo di ritardo di spegnimento

727

NS

TF

Tempo di caduta

429

NS

EON

Accendere il comando

Perdita

174

mJ

EOFF

Sconto di accensione

Perdita

132

mJ

Isc

Dati SC

tP≤10μs,VGE=15V,

Tj= 150oC,VCC= 1000V, VCEM≤1700V

1440

A

Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F = 450 A,V GE =0V,T j = 25 O C

1.87

2.32

V

Io F = 450 A,V GE =0V,T j = 125O C

2.00

Io F = 450 A,V GE =0V,T j = 150O C

2.05

Q r

Importo recuperato

V r =900V,I F = 450A,

- di/dt=3000A/μs,V GE = 15V t j = 25 O C

107

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

519

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

75

mJ

Q r

Importo recuperato

V r =900V,I F = 450A,

- di/dt=3000A/μs,V GE = 15V t j = 125O C

159

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

597

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

113

mJ

Q r

Importo recuperato

V r =900V,I F = 450A,

- di/dt=3000A/μs,V GE = 15V t j = 150O C

170

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

611

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

119

mJ

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

r CC+EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.35

r ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Connessione con il caso (per D) iodio)

0.056

0.112

C/W

r thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Cassa-sink (p) diodo)

Cassa-sink (per Modulo)

0.105

0.210

0.035

C/W

m

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Peso di Modulo

300

g

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