Modulo IGBT，1700V 450A
caratteristiche
tipica Applicazioni
Assoluto massimo rating tc= 25oc a meno che altrimenti nota
Igbt
Il simbolo | Descrizione | valore | unità |
VCES | Tensione tra collettore ed emittente | 1700 | v |
VGES | Tensione del portatore-emittente | ± 20 | v |
- - | Corrente del collettore @ TC=25oC @ TC=95oC | 683 450 | a) |
MIC | Corrente del collettore pulsato tp=1 ms | 900 | a) |
PD | Massima dissipazione di potenza T =175oC | 2678 | - Sì |
Diodo
Il simbolo | Descrizione | valore | unità |
vRRM | Tensione inversa di picco ripetitiva | 1700 | v |
If | Diodo di continua curvatura anterioreaffitto | 450 | a) |
IFm | Corrente di diodo massima tp=1 ms | 900 | a) |
modulo
Il simbolo | Descrizione | valore | unità |
tjmax | Temperatura massima di giunzione | 175 | oc |
t- Giappone | Temperatura di funzionamento della giunzione | -40 a +150 | oc |
tSTG | temperatura di conservazionegamma | -40 a +125 | oc |
viso | tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1Min | 4000 | v |
Igbt caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota
Il simbolo | parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | - Max. - Cosa? | unità |
VCE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione | IC=450A,VGE=15V, Tj=25oC |
| 2.00 | 2.45 |
v |
IC=450A,VGE=15V, Tj=125oC |
| 2.40 |
| |||
IC=450A,VGE=15V, Tj=150oC |
| 2.50 |
| |||
VGE (th) | Tensione di soglia del portale-emittente | IC= 18.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC | 5.4 | 6.1 | 7.4 | v |
ICES | Interruzione del Collettore corrente | VCE=VCES, VGE=0V, Tj=25oC |
|
| 5.0 | - Mamma! |
IGES | Corrente di perdita del portatore-emettitore | VGE=VGES,VCE=0V,Tj=25oC |
|
| 400 | - No |
RGint | Resistenza interna della porta |
|
| 0.3 |
| Oh |
- Cies | Capacità di ingresso | VCE=25V, f=1MHz, VGE=0V |
| 30.0 |
| NF |
Cres | Trasferimento inverso Capacità |
| 1.08 |
| NF | |
CdG | Importo della porta | VGE=-15...+15V |
| 2.70 |
| μC |
Td (in) | Tempo di ritardo di accensione |
VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj=25oC |
| 504 |
| NS |
tr | Tempo di risalita |
| 183 |
| NS | |
Td (off) | Tempo di ritardo di spegnimento |
| 616 |
| NS | |
Tf | Tempo di caduta |
| 188 |
| NS | |
EON | Accendere il comando perdita |
| 126 |
| mj | |
EOFF | Sconto di accensione perdita |
| 89 |
| mj | |
Td (in) | Tempo di ritardo di accensione |
VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 125oC |
| 506 |
| NS |
tr | Tempo di risalita |
| 194 |
| NS | |
Td (off) | Tempo di ritardo di spegnimento |
| 704 |
| NS | |
Tf | Tempo di caduta |
| 352 |
| NS | |
EON | Accendere il comando perdita |
| 162 |
| mj | |
EOFF | Sconto di accensione perdita |
| 124 |
| mj | |
Td (in) | Tempo di ritardo di accensione |
VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 150oC |
| 510 |
| NS |
tr | Tempo di risalita |
| 198 |
| NS | |
Td (off) | Tempo di ritardo di spegnimento |
| 727 |
| NS | |
Tf | Tempo di caduta |
| 429 |
| NS | |
EON | Accendere il comando perdita |
| 174 |
| mj | |
EOFF | Sconto di accensione perdita |
| 132 |
| mj | |
sc sc |
Dati SC | tP≤10μs,VGE=15V, Tj= 150oC,VCC= 1000V, VCEM≤1700V |
|
1440 |
|
a) |
Diodo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota
Il simbolo | parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | - Max. - Cosa? | unità |
vf | Diodo di avanzamento tensione | If= 450 A,VGE=0V,Tj= 25oc |
| 1.87 | 2.32 |
v |
If= 450 A,VGE=0V,Tj= 125oc |
| 2.00 |
| |||
If= 450 A,VGE=0V,Tj= 150oc |
| 2.05 |
| |||
Qr | Importo recuperato | vr=900V,If= 450A, - di/dt=3000A/μs,VGE= 15V tj= 25oc |
| 107 |
| μC |
IRM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 519 |
| a) | |
eRicerca | Ritorno al recuperoenergia |
| 75 |
| mj | |
Qr | Importo recuperato | vr=900V,If= 450A, - di/dt=3000A/μs,VGE= 15V tj= 125oc |
| 159 |
| μC |
IRM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 597 |
| a) | |
eRicerca | Ritorno al recuperoenergia |
| 113 |
| mj | |
Qr | Importo recuperato | vr=900V,If= 450A, - di/dt=3000A/μs,VGE= 15V tj= 150oc |
| 170 |
| μC |
IRM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 611 |
| a) | |
eRicerca | Ritorno al recuperoenergia |
| 119 |
| mj |
modulo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota
Il simbolo | parametro | Min. | Tipo. | - Max. - Cosa? | unità |
- Io...- - | Induttanza di deflusso |
|
| 20 | - Non lo so. |
rCC+EE | Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip |
| 0.35 |
| mΩ |
rilJC | Connessione con il caso (per IGB)T) Connessione con il caso (per D)iodio) |
|
| 0.056 0.112 | C/W |
rthCH | Cassa-sink (perIGBT) Cassa-sink (p)diodo) Cassa-sink (permodulo) |
| 0.105 0.210 0.035 |
| C/W |
m | Torsione di connessione terminale, per il rivestimento di macchine Torsione di montaggio per il rivestimento di macchine | 2.5 3.0 |
| 5.0 5.0 | n.m. |
g | peso di modulo |
| 300 |
| g |
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