Modulo IGBT 1200V

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

± 30

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 O C

@ T C = 100O C

655

400

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P = 1 millisecondo

800

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 O C

2205

W

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

300

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

600

A

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

650

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 O C

@ T C =70 O C

515

400

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P = 1 millisecondo

800

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 O C

1304

W

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

650

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

400

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

800

A

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

t jmax

Temperatura massima di giunzione

175

O C

t - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

O C

t STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

O C

V ISO

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 25 O C

1.70

2.15

V

Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 125 O C

1.95

Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.00

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 16,0 mA,V CE =V GE , T j = 25 O C

5.0

5.7

6.5

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j = 25 O C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C

400

NA

r Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

0.6

Ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 30V, f=1MHz,

V GE =0V

40.5

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

1.14

NF

Q g

Importo della porta

V GE =15V

2.22

μC

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A, r g = 2,0Ω,

V GE =± 15V, t j = 25 O C

408

NS

t r

Tempo di risalita

119

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

573

NS

t F

Tempo di caduta

135

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

10.5

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

36.2

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A, r g = 2,0Ω,

V GE =± 15V, t j = 125O C

409

NS

t r

Tempo di risalita

120

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

632

NS

t F

Tempo di caduta

188

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

13.2

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

53.6

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A, r g = 2,0Ω,

V GE =± 15V, t j = 150O C

410

NS

t r

Tempo di risalita

123

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

638

NS

t F

Tempo di caduta

198

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

14.4

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

56.1

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F =300A,V GE =0V,T j = 25 O C

1.65

2.10

V

Io F =300A,V GE =0V,T j = 125O C

1.65

Io F =300A,V GE =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Ricostruito

carica

V r = 600V,I F =300A,

- di/dt=5200A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 25 O C

34.0

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

280

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

19.5

mJ

Q r

Ricostruito

carica

V r = 600V,I F =300A,

- di/dt=5200A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 125O C

55.6

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

350

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

29.8

mJ

Q r

Ricostruito

carica

V r = 600V,I F =300A,

- di/dt=5200A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 150O C

63.6

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

368

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

34.0

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 25 O C

1.45

1.90

V

Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 125 O C

1.60

Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 150 O C

1.70

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 6,4 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C

5.1

5.8

6.4

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j = 25 O C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C

400

NA

r Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

1.0

Ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

12.7

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

0.73

NF

Q g

Importo della porta

V GE - Sì. 15…+15V

4.30

μC

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 300V,I C = 400A, r g = 1,8Ω,

V GE =± 15V, t j = 25 O C

102

NS

t r

Tempo di risalita

79

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

458

NS

t F

Tempo di caduta

49

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

2.88

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

12.9

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 300V,I C = 400A, r g = 1,8Ω,

V GE =± 15V, t j = 125O C

111

NS

t r

Tempo di risalita

80

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

505

NS

t F

Tempo di caduta

70

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

4.20

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

16.0

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 300V,I C = 400A, r g = 1,8Ω,

V GE =± 15V, t j = 150O C

120

NS

t r

Tempo di risalita

80

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

510

NS

t F

Tempo di caduta

80

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

4.50

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

17.0

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤6μs, V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC = 360V, V CEM ≤ 600V

2000

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F = 400 A,V GE =0V,T j = 25 O C

1.55

2.00

V

Io F = 400 A,V GE =0V,T j = 125O C

1.50

Io F = 400 A,V GE =0V,T j = 150O C

1.45

Q r

Ricostruito

carica

V r = 300V,I F = 400A,

- di/dt=5500A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 25 O C

18.2

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

215

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

3.58

mJ

Q r

Ricostruito

carica

V r = 300V,I F = 400A,

- di/dt=5500A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 125O C

29.8

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

280

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

7.26

mJ

Q r

Ricostruito

carica

V r = 300V,I F = 400A,

- di/dt=5500A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 150O C

34.2

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

300

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

8.30

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

r ilJC

Connessione con il cassa (per T1, T2 IGBT)

Connessione con il cassa (per D1, D2 Dio) di)

Connessione con il cassa (per T3, T4 IGBT)

Connessione con il cassa (per D3, D4 Dio) di)

0.068

0.138

0.115

0.195

C/W

r thCH

Cassa-sink (per T1,T2 IGBT)

Cassa-sink (per D1,D2) DIODE)

Cassa-sink (per T3,T4 IGBT)

Cassa-sink (per D3, D4) DIODE)

Cassa-sink (per Modulo)

0.136

0.276

0.230

0.391

0.028

C/W

m

Torsione di montaggio Vite M6

Torsione di connessione terminale, Vattone M5

3.0

2.5

6.0

5.0

N.M