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Modulo IGBT 1200V

Modulo IGBT 1200V

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GD400SGY120C2S,Modulo IGBT,1200V 450A,STARPOWER

Modulo IGBT, 1200V 450A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD400SGY120C2S
  • Introduzione
  • scheda
Introduzione

caratteristiche

  • Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
  • Capacità di cortocircuito di 10 μs
  • VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
  • Temperatura massima di giunzione 175oC
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

tipica Applicazioni

  • Invertitori per motori
  • Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
  • alimentazione ininterrotta

Assoluto massimo rating tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Igbt

 

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

± 20

v

Ic

Collettore corrente@ tc= 25oc

@tc= 100oc

630

400

a)

Icm

pulsato Collettore corrente- Non lo so.tp= 1ms

800

a)

pd

massimo potenza dissolvimento@tj= 175oc

2083

- Sì

Diodo

 

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

vRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

v

If

Diodo di corrente continua in avanti

400

a)

IFm

Corrente di diodo massima tp=1 ms

800

a)

modulo

 

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

tjmax

Massima Temperatura di Giunzione- Non lo so.

175

oc

t- Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40a +150

oc

tSTG

intervallo di temperatura di conservazione

-40a +125

oc

viso

Isolamento tensione- Non lo so.RMS,f=50hz,t=1Min

4000

v

Igbt caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

 

 

v- -(seduto)

 

 

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Ic= 400A,vGE= 15V, tj= 25oc

 

1.70

2.15

 

 

v

Ic= 400A,vGE= 15V, tj= 125oc

 

1.95

 

Ic= 400A,vGE= 15V, tj= 150oc

 

2.00

 

vGE(- La)

Limita di emissione della porta tensione

Ic= 10.0- Mamma!- Sì.v- -=vGE- Sì.tj= 25oc

5.2

6.0

6.8

v

ICES

Interruzione del Collettore

corrente

v- -=vCES- Sì.vGE=0V,

tj= 25oc

 

 

5.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello corrente

vGE=vGES- Sì.v- -=0V,

tj= 25oc

 

 

400

- No

rGint

Resistenza interna della porta

 

 

1.9

 

Oh

c- Non

Capacità di ingresso

v- -=25V,f=1mhz- Sì.

vGE=0V

 

41.4

 

NF

cres

Trasferimento inverso

Capacità

 

1.16

 

NF

Qg

Importo della porta

vGE- Sì. 15V... +15V

 

3.11

 

μC

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

 

v- Cc= 600V,Ic= 400A,- Non lo so.rg= 2,0Ω,

vGE=± 15V, tj= 25oc

 

257

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

96

 

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

 

628

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

103

 

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

 

23.5

 

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

 

34.0

 

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

 

v- Cc= 600V,Ic= 400A,- Non lo so.rg= 2,0Ω,

vGE=± 15V, tj= 125oc

 

268

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

107

 

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

 

659

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

144

 

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

 

35.3

 

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

 

51.5

 

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

 

v- Cc= 600V,Ic= 400A,- Non lo so.rg= 2,0Ω,

vGE=± 15V, tj= 150oc

 

278

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

118

 

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

 

680

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

155

 

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

 

38.5

 

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

 

56.7

 

mj

 

Isc

 

Dati SC

tp≤10μs,vGE= 15V,

tj= 150oc- Sì.v- Cc= 900V, vCEM≤ 1200V

 

 

1600

 

 

a)

Diodo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

 

vf

Diodo di avanzamento

tensione

If= 400A,vGE=0V,tj= 25oc

 

1.80

2.25

 

v

If= 400A,vGE=0V,tj= 125oc

 

1.85

 

If= 400A,vGE=0V,tj= 150oc

 

1.85

 

Qr

Importo recuperato

vr= 600V,If= 400A,

- Non lo so.di- Sì.dt=5000A/μs,vGE- Sì. 15 Vtj= 25oc

 

38.0

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

285

 

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

 

19

 

mj

Qr

Importo recuperato

vr= 600V,If= 400A,

- Non lo so.di- Sì.dt=5000A/μs,vGE- Sì. 15 Vtj= 125oc

 

66.5

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

380

 

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

 

36.6

 

mj

Qr

Importo recuperato

vr= 600V,If= 400A,

- Non lo so.di- Sì.dt=5000A/μs,vGE- Sì. 15 Vtj= 150oc

 

76.0

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

399

 

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

 

41.8

 

mj

 

modulo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

- Io...- -

Induttanza di deflusso

 

 

20

- Non lo so.

r- Cc+EE'

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminaleal Chip

 

0.18

 

rilJC

Giunti- Non lo so.a- Non lo so.caso(per Igbt)

Giunti- Non lo so.a- Non lo so.caso(per Diodo)

 

 

0.072

0.095

C/W

 

rthCH

caso- Non lo so.a- Non lo so.Dissipatore di Calore(per Igbt)

caso- Non lo so.a- Non lo so.Dissipatore di Calore(per Diodo)

Cassa-sink (per modulo)

 

0.018

0.023

0.010

 

 

C/W

m

Torsione di connessione terminale, pernom6 Montaggio coppia- Sì. perno m6

2.5

3.0

 

5.0

5.0

n.m.

g

Peso di modulo

 

300

 

g

scheda

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