Modulo IGBT 1700V

Il simbolo

Descrizione

GD400SGT170C2S

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

± 20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25℃

@ T C = 80 ℃

700

A

400

Io CM (1)

Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms

800

A

Io F

Diodo di corrente continua in avanti

400

A

Io FM

Diodo Cur massima in avanti affitto

800

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T j = 175℃

3000

W

t SC

Cortocircuito resistenza al tempo @ T j = 125 ℃

10

μs

t jmax

Temperatura massima di giunzione

175

℃

t STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

℃

Io 2valore t,Diode

V r =0V,t=10ms,T j = 125 ℃

25500

A 2s

V ISO

Il tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

Torsione di montaggio

Terminale di alimentazione Vite:M4

Filtro di alimentazione:M6

1.1 a 2.0

2,5 a 5.0

N.M

Montaggio Fabbricazione di apparecchiature per la trasmissione di dati

3,0 a 5.0

N.M

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V (BR )CES

Collettore-emittente

Tensione di Rottura

V GE =0V, Io C = 14mA, t j = 25 ℃

1700

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 ℃

3.0

mA

Io GES

Perforazione del portello

corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 ℃

400

NA

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V GE (th )

Limita di emissione della porta

Tensione

Io C = 16mA,V CE =V GE , t j = 25 ℃

5.2

5.8

6.4

V

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 25 ℃

2.00

2.45

V

Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 125℃

2.40

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C = 400A,

278

NS

t r

Tempo di risalita

r g =3.6Ω,V GE = ± 15 V,

81

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

t j = 25 ℃

802

NS

t F

Tempo di caduta

V CC =900V,I C = 400A, r g =3.6Ω,V GE = ± 15 V, t j = 25 ℃

119

NS

e ON

Accendere il comando

Perdita

104

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

86

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C = 400A, r g =3.6Ω,V GE = ± 15 V, t j = 125℃

302

NS

t r

Tempo di risalita

99

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

1002

NS

t F

Tempo di caduta

198

NS

e ON

Accendere il comando

Perdita

136

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

124

mJ

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

36

NF

C - Non

Capacità di uscita

1.5

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

1.2

NF

Io SC

Dati SC

t s C ≤ 10μs, V GE = 15V,

t j = 125 ℃ V CC = 1000V, V CEM ≤ di potenza superiore a 600 V

1600

A

r Gint

Resis interna della porta - Sotto il mio nome.

1.9

Ω

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

r CC + EE ’

Modulo di resistenza al piombo c, Terminal a chip

t C = 25 ℃

0.18

m Ω

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F = 400A

t j = 25 ℃

1.80

2.20

V

t j = 125℃

1.90

Q r

Diodo inverso

tassa di recupero

Io F = 400A,

V r =900 V,

di/dt=-4250A/μs, V GE - Sì. 15V

t j = 25 ℃

99

μC

t j = 125℃

172

Io RM

Pico di diodo

Ritorno al recupero corrente

t j = 25 ℃

441

A

t j = 125℃

478

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

t j = 25 ℃

53

mJ

t j = 125℃

97

Il simbolo

Parametro

Tipo.

Max.

Unità

r θ JC

Fabbricazione di dispositivi di controllo della velocità Modulo r)

0.05

C/W

r θ JC

Connessione con il cassa (diodo, per modulo) e)

0.09

C/W

r θ CS

La grezza da cassa a pozzo (grezzo conduttivo a (in particolare)

0.035

C/W

Peso

Peso di Modulo

300

g