Modulo IGBT 1700V

Il simbolo

Descrizione

GD400SGT170C2S

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

±20

v

Ic

Corrente del collettore @ Tc=25°C

@ Tc= 80°C

700

a)

400

Icm(1)

Corrente del collettore pulsato tp=1 ms

800

a)

If

Diodo di corrente continua in avanti

400

a)

IFm

Diodo Cur massima in avantiaffitto

800

a)

pd

Dissipation di potenza massima @ Tj= 175°C

3000

- Sì

tsc

Cortocircuito resistenza al tempo @ Tj= 125°C

10

μs

tjmax

Temperatura massima di giunzione

175

°C

tSTG

intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

°C

I2valore t,Diode

vr=0V,t=10ms,Tj= 125°C

25500

a)2s

viso

Il tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

Torsione di montaggio

Terminale di alimentazione Vite:M4

Filtro di alimentazione:M6

1.1 a 2.0

2,5 a 5.0

n.m.

montamento Fabbricazione di apparecchiature per la trasmissione di dati

3,0 a 5.0

n.m.

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

v(br)CES

Collettore-emittente

tensione di rottura

vGE=0V, Ic= 14mA,tj= 25°C

1700

v

ICES

Collettore tagliato- Non lo so.spento corrente

v- -=vCES- Sì.vGE=0V, tj= 25°C

3.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello

corrente

vGE=vGES- Sì.v- -=0V, tj= 25°C

400

- No

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vGE(- La)

Limita di emissione della porta

tensione

Ic= 16mA,V- -=VGE- Sì.tj= 25°C

5.2

5.8

6.4

v

vCE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Ic= 400 A,VGE= 15V, tj= 25°C

2.00

2.45

v

Ic= 400 A,VGE= 15V, tj= 125°C

2.40

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc=900V,Ic= 400A,

278

NS

tr

Tempo di risalita

rg=3.6Ω,VGE= ±15 v,

81

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

tj= 25°C

802

NS

tf

Tempo di caduta

v- Cc=900V,Ic=400A,   rg=3.6Ω,VGE= ±15 v,tj= 25°C

119

NS

esu

Accendere il comando

perdita

104

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

86

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc=900V,Ic=400A,   rg=3.6Ω,VGE= ±15 v, tj= 125°C

302

NS

tr

Tempo di risalita

99

NS

td ((off)

Disattivamento tempo di ritardo

1002

NS

tf

Tempo di caduta

198

NS

esu

Accendere il comando

perdita

136

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

124

mj

c- Non

Capacità di ingresso

v- -= 25V, f=1MHz,

vGE=0V

36

NF

c- Non

Capacità di uscita

1.5

NF

cres

Trasferimento inverso

Capacità

1.2

NF

Isc

Dati SC

tsc≤10μs,vGE= 15V,

tj= 125°CV- Cc= 1000V,laCEM≤di potenza superiore a 600 V

1600

a)

rGint

Resis interna della porta- Sotto il mio nome.

1.9

Oh

- Io...- -

Induttanza di deflusso

20

- Non lo so.

r- Cc+EE '

Modulo di resistenza al piomboc, Terminal a chip

tc= 25°C

0.18

mOh

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vf

Diodo di avanzamento

tensione

If= 400A

tj= 25°C

1.80

2.20

v

tj= 125°C

1.90

Qr

Diodo inverso

tassa di recupero

If= 400A,

vr=900 v,

di/dt=-4250A/μs, vGE- Sì. 15 V

tj= 25°C

99

μC

tj= 125°C

172

IRM

Pico di diodo

Ritorno al recupero corrente

tj= 25°C

441

a)

tj= 125°C

478

eRicerca

Ritorno al recupero energia

tj= 25°C

53

mj

tj= 125°C

97

Il simbolo

parametro

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

rθJC

Fabbricazione di dispositivi di controllo della velocitàModulo r)

0.05

C/W

rθJC

Connessione con il cassa (diodo, per modulo)e)

0.09

C/W

rθcss

La grezza da cassa a pozzo (grezzo conduttivo a(in particolare)

0.035

C/W

peso

peso di modulo

300

g