Modulo IGBT 1200V

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

± 20

v

Ic

Corrente del collettore @ Tc= 25oc

@ Tc=90oc

595

400

a)

Icm

Corrente del collettore pulsato tp= 1 millisecondo

800

a)

pd

Dissipation di potenza massima @ Tj= 175oc

1875

- Sì

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

vRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

v

If

Diodo di continua curvatura anterioreaffitto

400

a)

IFm

Corrente di diodo massima tp=1 ms

800

a)

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

tjmax

Temperatura massima di giunzione

175

oc

t- Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

oc

tSTG

temperatura di conservazionegamma

-40 a +125

oc

viso

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1Min

4000

v

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vCE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Ic= 400 A,VGE= 15 V,tj= 25oc

1.75

2.20

v

Ic= 400 A,VGE= 15 V,tj= 125oc

2.00

Ic= 400 A,VGE= 15 V,tj= 150oc

2.05

vGE(- La)

Limita di emissione della porta tensione

Ic= 10.0mA,V- -=VGE, tj= 25oc

5.2

6.0

6.8

v

ICES

Collettore tagliato- Non lo so.spento

corrente

v- -=vCES- Sì.vGE=0V,

tj= 25oc

5.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello corrente

vGE=vGES- Sì.v- -=0V,tj= 25oc

400

- No

rGint

Resistenza al cancello internoatteggiamento

0.5

Oh

c- Non

Capacità di ingresso

v- -= 25V, f=1MHz,

vGE=0V

37.3

NF

cres

Trasferimento inverso

Capacità

1.04

NF

Qg

Importo della porta

vGE- Sì. 15…+15V

2.80

μC

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic= 400A,- Non lo so.rg= 2,0Ω,

vGE=± 15V, tj= 25oc

205

NS

tr

Tempo di risalita

77

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

597

NS

tf

Tempo di caduta

98

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

18.8

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

32.3

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic= 400A,- Non lo so.rg= 2,0Ω,

vGE=± 15V, tj= 125oc

214

NS

tr

Tempo di risalita

86

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

626

NS

tf

Tempo di caduta

137

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

28.4

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

48.9

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic= 400A,- Non lo so.rg= 2,0Ω,

vGE=± 15V, tj= 150oc

198

NS

tr

Tempo di risalita

94

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

646

NS

tf

Tempo di caduta

147

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

30.8

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

53.8

mj

Isc

Dati SC

tp≤ 10 μs,VGE= 15 V,

tj= 150oC,V- Cc= 900V, vCEM≤ 1200V

1440

a)

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vf

Diodo di avanzamento

tensione

If= 400 A,VGE=0V,Tj= 25oc

1.75

2.15

v

If= 400 A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.65

If= 400 A,VGE=0V,Tj= 150oc

1.65

Qr

Importo recuperato

vr= 600V,If= 400A,

-di/dt=5000A/μs,VGE- Sì. 15 Vtj= 25oc

40

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

299

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

20.0

mj

Qr

Importo recuperato

vr= 600V,If= 400A,

-di/dt=5000A/μs,VGE- Sì. 15 V tj= 125oc

70

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

399

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

38.4

mj

Qr

Importo recuperato

vr= 600V,If= 400A,

-di/dt=5000A/μs,VGE- Sì. 15 V tj= 150oc

80

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

419

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

43.9

mj

Il simbolo

parametro

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

- Io...- -

Induttanza di deflusso

15

- Non lo so.

rCC+EE

Resistenza di Contatto del Modulonce, Terminale a Chip

0.25

mΩ

rilJC

Connessione con il caso (per IGB)T)

Giunzione-a-Cassa (per Diodo)

0.080

0.095

C/W

rthCH

Cassa-sink (perIGBT)

Cassa-sink (p)diodo)

Cassa-sink (permodulo)

0.037

0.044

0.010

C/W

m

Torsione di connessione terminale, per il rivestimento di macchine Torsione di montaggio per il rivestimento di macchine

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

g

peso di modulo

300

g