Modulo IGBT 1200V

Il simbolo

Descrizione

GD400HFL120C2SN

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

±20

v

Ic

Corrente del collettore @ Tc= 25°C

@ Tc= 80°C

650

a)

400

ICM(1)

Corrente del collettore pulsato tp=1 ms

800

a)

If

Corrente continua in avanti del diodo    @ Tc= 80°C

400

a)

IFm

Corrente di diodo massima in avantin

800

a)

pd

Potenza massima Dissipazione @tj= 150°C

2450

- Sì

tjmax

Temperatura massima di giunzione

150

°C

tSTG

intervallo di temperatura di conservazione

- Da 40 a +125

°C

viso

Il tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

montamento

Terminale di alimentazione Fabbricazione di apparecchiature per la trasmissione di dati

2,5 a 5.0

n.m.

coppia

montamento Fabbricazione di apparecchiature per la trasmissione di dati

3,0 a 5.0

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

v(BR) CES

Collettore-emittente

tensione di rottura

tj= 25°C

1200

v

ICES

Collettore tagliato- Non lo so.spento corrente

v- -=VCESVGE=0V, tj= 25°C

5.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello

corrente

vGE=VGESV- -=0V, tj= 25°C

400

- No

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vGE (th)

Limita di emissione della porta

tensione

Ic=16mA,V- -=VGE- Sì. tj= 25°C

5.0

6.2

7.0

v

vCE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Ic= 400 A,VGE= 15V, tj= 25°C

1.90

2.35

v

Ic= 400 A,VGE= 15V, tj= 125°C

2.10

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

tD (in)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic=400A,   rg=4.1Ω,VGE=±15 V, tj= 25°C

910

NS

tr

Tempo di risalita

200

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

848

NS

tf

Tempo di caduta

110

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

33.5

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

39.5

mj

tD (in)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic=400A,   rg=4.1Ω,VGE=±15 V, tj= 125°C

1047

NS

tr

Tempo di risalita

201

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

998

NS

tf

Tempo di caduta

150

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

46.0

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

57.6

mj

c- Non

Capacità di ingresso

v- -= 25V, f=1MHz,

vGE=0V

29.7

NF

c- Non

Capacità di uscita

2.08

NF

cres

Trasferimento inverso

Capacità

1.36

NF

Isc

Dati SC

tsc≤10 μs,VGE= 15V,

tj= 25°CV- Cc= 600V,

vCEM ≤1200 V

1800

a)

rGint

Resistenza interna della porta

0.5

Oh

- Io...- -

Induttanza di deflusso

20

- Non lo so.

r- Cc+EE'

Resistenza di Contatto del Modulonce, Terminal a chip

tc= 25°C

0.35

mOh

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vf

Diodo di avanzamento

tensione

If= 400A

tj= 25°C

1.80

2.40

v

tj= 125°C

1.85

Qr

Importo recuperato

If= 400A,

vr= 600V,

di/dt=-2680A/μs, vGE= 15V

tj= 25°C

26

μC

tj= 125°C

49

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

tj= 25°C

212

a)

tj= 125°C

281

eRicerca

Ritorno al recupero energia

tj= 25°C

13.4

mj

tj= 125°C

23.8

Il simbolo

parametro

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

rθJC

Giunti- Non lo so.a- Non lo so.caso(perIGBT)

0.051

C/W

rθJC

Giunzione-a-Caso (perDIODE)

0.072

C/W

rθCS

Caso-a-Sink (grasso conduttivoapplicato)

0.035

C/W

peso

Peso di modulo

300

g