Modulo IGBT 1200V

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

± 30

v

Ic

Corrente del collettore @ Tc= 25oc

@ Tc= 100oc

630

400

a)

Icm

Corrente del collettore pulsato tp=1 ms

800

a)

pd

Dissipation di potenza massima @ Tj= 175oc

2083

- Sì

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

vRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

v

If

Diodo di continua curvatura anterioreaffitto

400

a)

IFm

Corrente di diodo massima tp=1 ms

800

a)

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

tjmax

Temperatura massima di giunzione

175

oc

t- Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

oc

tSTG

temperatura di conservazionegamma

-40 a +125

oc

viso

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1Min

4000

v

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vCE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Ic= 400 A,VGE= 15V, tj= 25oc

1.70

2.15

v

Ic= 400 A,VGE= 15V, tj= 125oc

1.95

Ic= 400 A,VGE= 15V, tj= 150oc

2.00

vGE(- La)

Limita di emissione della porta tensione

Ic= 16,0 mA,V- -=VGE, tj= 25oc

5.0

5.7

6.5

v

ICES

Collettore tagliato- Non lo so.spento

corrente

v- -=vCES- Sì.vGE=0V,

tj= 25oc

5.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello corrente

vGE=vGES- Sì.v- -=0V,tj= 25oc

400

- No

rGint

Resistenza al cancello internoatteggiamento

0.5

Oh

c- Non

Capacità di ingresso

v- -= 30V, f=1MHz,

vGE=0V

39.6

NF

cres

Trasferimento inverso

Capacità

1.20

NF

Qg

Importo della porta

vGE=15V

2.40

μC

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic= 400A,- Non lo so.rg= 2,0Ω,

vGE=± 15V, tj= 25oc

408

NS

tr

Tempo di risalita

119

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

573

NS

tf

Tempo di caduta

135

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

10.5

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

36.2

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic= 400A,- Non lo so.rg= 2,0Ω,

vGE=± 15V, tj= 125oc

409

NS

tr

Tempo di risalita

120

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

632

NS

tf

Tempo di caduta

188

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

13.2

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

53.6

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic= 400A,- Non lo so.rg= 2,0Ω,

vGE=± 15V, tj= 150oc

410

NS

tr

Tempo di risalita

123

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

638

NS

tf

Tempo di caduta

198

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

14.4

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

56.1

mj

Isc

Dati SC

tp≤ 10 μs,VGE= 15V,

tj= 150oC,V- Cc= 900V, vCEM≤ 1200V

1600

a)

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vf

Diodo di avanzamento

tensione

If= 400 A,VGE=0V,Tj= 25oc

1.80

2.25

v

If= 400 A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.85

If= 400 A,VGE=0V,Tj= 150oc

1.85

Qr

Importo recuperato

vr= 600V,If= 400A,

- di/dt=3350A/μs,VGE- Sì. 15 Vtj= 25oc

40.5

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

259

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

19.7

mj

Qr

Importo recuperato

vr= 600V,If= 400A,

- di/dt=3350A/μs,VGE- Sì. 15 V tj= 125oc

67.9

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

323

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

32.6

mj

Qr

Importo recuperato

vr= 600V,If= 400A,

- di/dt=3350A/μs,VGE- Sì. 15 V tj= 150oc

77.7

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

342

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

38.3

mj

Il simbolo

parametro

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

- Io...- -

Induttanza di deflusso

20

- Non lo so.

rCC+EE

Modulo di resistenza al piombo,Terminal a chip

0.35

mΩ

rθJC

Connessione con il caso (per IGB)T)

Connessione con il caso (per D)iodio)

0.072

0.095

C/W

rθcss

Cassa-sink (per IGBT)

Cassa-sink (per diodo)

0.088

0.116

C/W

rθcss

Cassa-sink

0.035

C/W

m

Torsione di connessione terminale, per il rivestimento di macchine Torsione di montaggio per il rivestimento di macchine

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

g

peso- Non lo so.modulo

300

g