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Modulo IGBT 1700V

Modulo IGBT 1700V

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GD3600SGT170C4S,Modulo IGBT,Modulo IGBT ad alta corrente,STARPOWER

3600V 1700A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD3600SGT170C4S
  • Introduzione
  • Outline
Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT ,Alta tensione, prodotto da Strumento di controllo . 1700V 3600A.

Caratteristiche

  • Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
  • Capacità di cortocircuito di 10 μs
  • VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

  • Motori a inverter alternativi
  • Fonte di alimentazione ininterrotta
  • Turbine Eoliche

Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Descrizione

GD3600SGT170C4S

Unità

VCES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

VGES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Ic

Corrente del Collettore@ TC=25℃

Corrente del Collettore@ TC=80℃

5200

A

3600

ICM(1)

Corrente Collettore Impulsata tp= 1ms

7200

A

IF

Diodo di corrente continua in avanti

3600

A

IFM

Corrente di diodo massima in avanti

7200

A

PD

Dissipazione di Potenza Massima @ Tj= 175℃

19.7

kw

Tj

Temperatura massima di giunzione

175

TSTG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

VISO

Il tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Montaggio

Vite del Terminale di Segnale:M4

Vite del Terminale di Potenza:M8

1.8 a 2.1

8.0 a 10

N.M

Coppia

Fabbricazione di dispositivi di controllo:

4.25 a 5.75

Elettrico Caratteristiche di IGBT t C = 25 a meno che altrimenti Nota

Non caratteristiche

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V ((BR) CES

Collettore-emittente

Tensione di Rottura

Tj=25°C

1700

V

ICES

Corrente di taglio del collettore

VCE=VCES, VGE=0V, Tj=25°C

5.0

mA

IGES

Perforazione del portello

corrente

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃

400

NA

Sulle caratteristiche

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

VGE (th)

Limita di emissione della porta

Tensione

IC= 145mA,VCE=VGE, Tj=25℃

5.2

5.8

6.4

V

VCE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25℃

2.00

2.45

V

IC=3600A,VGE=15V, Tj= 125℃

2.40

2.85

Caratteristiche di cambio

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

CdG

Importo della porta

VGE=- 15…+15V

42.0

μC

RGint

Resistore Interno del Gate

Tj=25°C

0.5

Ω

Td (in)

Tempo di ritardo di accensione

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=25℃

730

NS

tr

Tempo di risalita

205

NS

Td (off)

Tempo di ritardo di spegnimento

1510

NS

TF

Tempo di caduta

185

NS

EON

Perdita di Commutazione di Accensione

498

mJ

EOFF

Perdita di Commutazione di Spegnimento

1055

mJ

Td (in)

Tempo di ritardo di accensione

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj= 125℃

785

NS

tr

Tempo di risalita

225

NS

Td (off)

Tempo di ritardo di spegnimento

1800

NS

TF

Tempo di caduta

325

NS

EON

Perdita di Commutazione di Accensione

746

mJ

EOFF

Perdita di Commutazione di Spegnimento

1451

mJ

- Cies

Capacità di ingresso

VCE=25V, f=1MHz,

VGE=0V

317

NF

Coes

Capacità di uscita

13.2

NF

Cres

Trasferimento inverso

Capacità

10.5

NF

Isc

Dati SC

tSC≤10μs,VGE=15V,

Tj=125℃,VCC= 1000V, VCEM≤1700V

14000

A

LCE

Induttanza di deflusso

10

nH

RCC’+EE ’

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.12

Caratteristiche Elettriche del DIODE TC=25℃ se non diversamente indicato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

VF

Diodo di avanzamento

Tensione

IF=3600A

Tj=25°C

1.80

2.20

V

Tj= 125℃

1.90

2.30

Qr

Importo recuperato

IF=3600A,

VR=900V,

RGon=0.4Ω,

VGE=- 15V

Tj=25°C

836

μC

Tj= 125℃

1451

IRM

Corrente di recupero inversa

Tj=25°C

2800

A

Tj= 125℃

3300

Erec

Energia di recupero inverso

Tj=25°C

590

mJ

Tj= 125℃

1051

Outline

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