GD300SGT170C2S,Modulo IGBT,STARPOWER

1700V 300A

Brand:

Strumento di controllo

Spu:

GD300SGT170C2S

Breve introduzione

modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1700V 300A.

Caratteristiche

Tipico Applicazioni

Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Descrizione	GD300SGT170C2S	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1700	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente Collettore @ t C = 25 ℃ @ T C = 80 ℃	550 300	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t P =1 MS	600	A
Io F	Diodo di continua curvatura anteriore affitto @ T C = 80 ℃	300	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms	600	A
P D	Dissipation di potenza massima @ T j =1 75℃	2239	W
t jmax	Temperatura massima di giunzione	175	℃
t STG	Temperatura di conservazione Autonomia	-40 a +125	℃
V ISO	tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min	4000	V
Montaggio Coppia	Terminale di alimentazione Vite:M4 Filtro di alimentazione:M6	1.1 a 2.0 2,5 a 5.0	N.M
Montaggio Coppia	Fabbricazione di dispositivi di controllo:	3,0 a 5.0	N.M

Elettrico Caratteristiche di IGBT t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato

Non caratteristiche

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V (BR )CES	Collettore-emittente Tensione di Rottura	t j = 25 ℃	1700			V
Io CES	Collettore Taglio -OFF corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 ℃			5.0	mA
Io GES	Perforazione del portello corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 ℃			400	NA

Sulle caratteristiche

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C = 12.0mA,V CE =V GE , t j = 25 ℃	5.2	5.8	6.4	V
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =300A,V GE = 15V, t j = 25 ℃		2.00	2.45	V
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =300A,V GE = 15V, t j = 125 ℃		2.40		V

Caratteristiche di cambio

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
t D (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C =300A, r g =4.7Ω,V GE =± 15V, t j = 25 ℃		281		NS
t r	Tempo di risalita			82		NS
t D (OFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			801		NS
t F	Tempo di caduta			121		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			70.0		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			65.0		mJ
t D (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C =300A, r g =4.7Ω,V GE =± 15V, t j = 125 ℃		303		NS
t r	Tempo di risalita			103		NS
t D (OFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			1002		NS
t F	Tempo di caduta			203		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			105		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			94.0		mJ
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		26.6		NF
C - Non	Capacità di uscita			1.11		NF
C res	Trasferimento inverso Capacità			0.88		NF
Io SC	Dati SC	t P ≤ 10 μs,V GE =15 V, t j = 125 °C, V CC = 1000 V, V CEM ≤1700V		1200		A
r Gint	Resistenza al cancello interno atteggiamento			2.1		Ω
L CE	Induttanza di deflusso				20	nH
r CC+EE	Modulo piombo Resistenza, Terminal a chip			0.18		mΩ

Elettrico Caratteristiche di Diodo t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova		Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =300A	t j = 25 ℃		1.80	2.20	V
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =300A	t j = 125 ℃		1.90		V
Q r	Ricostruito carica	Io F =300A, V r = 900V, r g =4.7Ω, V GE = 15V	t j = 25 ℃		77		μC
Q r	Ricostruito carica		t j = 125 ℃		131		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero		t j = 25 ℃		351		A
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero		t j = 125 ℃		383		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia		t j = 25 ℃		40.0		mJ
e Ricerca	Ritorno al recupero energia		t j = 125 ℃		72.0		mJ

Caratteristica termica ics

Il simbolo	Parametro	Tipo.	Max.	Unità
r θ JC	Connessione con il caso (per IGB) T)		0.067	C/W
r θ JC	Connessione con il caso (per D) iodio)		0.124	C/W
r θ CS	Cassa-sink (applicazione di grasso conduttivo) mentito)	0.035		C/W
Peso	Peso Modulo	300		g