Modulo IGBT 1700V

Il simbolo

Descrizione

GD300SGL170C2S

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente Collettore @ t C = 25 ℃

@ T C = 100℃

460

300

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 MS

600

A

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

300

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

600

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T j =1 75℃

2273

W

t jmax

Temperatura massima di giunzione

175

℃

t - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

℃

t STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

℃

V ISO

Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min

4000

V

m

Torsione di connessione terminale, Vite M4

1.1 a 2.0

Torsione di connessione terminale, Vite M6

2,5 a 5.0

N.M

Torsione di montaggio Vite M6

3,0 a 5.0

g

Peso di Modulo

300

g

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V (BR )CES

Collettore-emittente

Tensione di Rottura

t j = 25 ℃

1700

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 ℃

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 ℃

400

NA

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 24,0 mA ,V CE = V GE , t j = 25 ℃

5.4

6.2

7.4

V

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C =300A,V GE = 15V, t j = 25 ℃

2.50

2.95

V

Io C =300A,V GE = 15V, t j = 125 ℃

3.00

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =300A, r g =4.7Ω,V GE =± 15V, t j = 25 ℃

464

NS

t r

Tempo di risalita

157

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

421

NS

t F

Tempo di caduta

290

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

108

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

55.2

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =300A, r g =4.7Ω,V GE =± 15V, t j = 125℃

483

NS

t r

Tempo di risalita

161

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

465

NS

t F

Tempo di caduta

538

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

128

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

83.7

mJ

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

20.4

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

0.72

NF

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE =15 V,

t j = 125 ℃,V CC = 1300 V, V CEM ≤1700V

960

A

Q g

Importo della porta

V CC =900V,I C =300A, V GE =-15 ﹍+15V

2.4

μC

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

r CC+EE

Modulo piombo

Resistenza,

Terminal a chip

0.18

mΩ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F =300A

t j = 25 ℃

1.80

2.25

V

t j = 125 ℃

1.95

Q r

Ricostruito

carica

Io F =300A,

V r = 900V,

r g =4.7Ω,

V GE = 15V

t j = 25 ℃

70.3

μC

t j = 125 ℃

108

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

t j = 25 ℃

209

A

t j = 125 ℃

238

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

t j = 25 ℃

40.7

mJ

t j = 125 ℃

65.1

Il simbolo

Parametro

Tipo.

Max.

Unità

r θ JC

Connessione con il caso (per IGB) T)

0.066

C/W

r θ JC

Connessione con il caso (per D) iodio)

0.105

C/W

r θ CS

Cassa-sink (applicazione di grasso conduttivo) mentito)

0.035

C/W