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Modulo IGBT 1700V

Modulo IGBT 1700V

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GD300HFX170C6S,Modulo IGBT,1700V 300A,STARPOWER

Modulo IGBT,1700V 300A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD300HFX170C6S
  • Introduzione
  • scheda
Introduzione

caratteristiche

  • Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
  • Capacità di cortocircuito di 10 μs
  • VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
  • Temperatura massima di giunzione 175oC
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

 

tipica Applicazioni

  • Invertitori per motori
  • Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
  • alimentazione ininterrotta

Assoluto massimo rating tc= 25oc a meno che altrimenti nota 

Igbt

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

± 20

v

Ic

Corrente del collettore @ Tc= 25oC   @ Tc= 100oc

493

300

a)

Icm

Corrente del collettore pulsato tp=1 ms

600

a)

pd

Dissipation di potenza massima @ T = 175oc

1829

- Sì

Diodo

 

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

vRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1700

v

If

Diodo di continua curvatura anterioreaffitto

300

a)

IFm

Corrente di diodo massima tp=1 ms

600

a)

modulo

 

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

tjmax

Temperatura massima di giunzione

175

oc

t- Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

oc

tSTG

temperatura di conservazionegamma

-40 a +125

oc

viso

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1Min

4000

v

Igbt caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

 

 

vCE (sat)

 

 

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Ic=300A,VGE= 15V, tj= 25oc

 

1.85

2.20

 

 

v

Ic=300A,VGE= 15V, tj= 125oc

 

2.25

 

Ic=300A,VGE= 15V, tj= 150oc

 

2.35

 

vGE(- La)

Limita di emissione della porta tensione

Ic= 12.0mA,V- -=VGE- Sì.tj= 25oc

5.6

6.2

6.8

v

ICES

Collettore tagliato- Non lo so.spentocorrente

v- -=vCES- Sì.vGE=0V,tj= 25oc

 

 

5.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello corrente

vGE=vGES- Sì.v- -=0V,tj= 25oc

 

 

400

- No

rGint

Resistenza al cancello internoatteggiamento

 

 

2.5

 

Oh

c- Non

Capacità di ingresso

v- -= 25V, f=1MHz, vGE=0V

 

36.1

 

NF

cres

Trasferimento inverso Capacità

 

0.88

 

NF

Qg

Importo della porta

vGE=-15 ...+15V

 

2.83

 

μC

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

v- Cc=900V,Ic=300A,- Non lo so.rGon=3.3Ω,

rGoff=4.7Ω, vGE=± 15V,

tj= 25oc

 

213

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

83

 

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

 

621

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

350

 

NS

esu

Accendere di passaggio perdita

 

79.2

 

mj

espento

Sconto di accensione perdita

 

70.2

 

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

v- Cc=900V,Ic=300A,- Non lo so.rGon=3.3Ω,

rGoff=4.7Ω, vGE=± 15V,

tj= 125oc

 

240

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

92

 

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

 

726

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

649

 

NS

esu

Accendere di passaggio perdita

 

104

 

mj

espento

Sconto di accensione perdita

 

108

 

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

 

v- Cc=900V,Ic=300A,- Non lo so.rGon=3.3Ω,rGoff=4.7Ω, 

vGE=± 15V,tj= 150oc

 

248

 

NS

tr

Tempo di risalita

 

95

 

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

 

736

 

NS

tf

Tempo di caduta

 

720

 

NS

esu

Accendere di passaggio perdita

 

115

 

mj

espento

Sconto di accensione perdita

 

116

 

mj

 

Isc

 

Dati SC

tp≤ 10 μs,VGE= 15V,

tj= 150oC,V- Cc= 1000V,laCEM≤1700V

 

 

1200

 

 

a)

Diodo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

 

vf

Diodo di avanzamentotensione

If=300A,VGE=0V,Tj= 25oc

 

1.80

2.25

 

v

If=300A,VGE=0V,Tj= 125oc

 

1.90

 

If=300A,VGE=0V,Tj= 150oc

 

1.95

 

Qr

Importo recuperato

vr=900V,If=300A,

-di/dt=3300A/μs,VGE= 15V tj= 25oc

 

82.5

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

407

 

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

 

46.6

 

mj

Qr

Importo recuperato

vr=900V,If=300A,

-di/dt=3300A/μs,VGE= 15V tj= 125oc

 

138

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

462

 

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

 

92.2

 

mj

Qr

Importo recuperato

vr=900V,If=300A,

-di/dt=3300A/μs,VGE= 15V tj= 150oc

 

154

 

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

 

460

 

a)

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

 

109

 

mj

NTC caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

r25

Resistenza Nominale

 

 

5.0

 

ΔR/R

Deviazione di r100

tc= 100 oC,R100=493.3Ω

-5

 

5

%

p25

potenza

dissolvimento

 

 

 

20.0

m

b25/50

Valore B

r2=R25Esp[B25/50(1/T2- Non lo so. 1/(298.15K))]

 

3375

 

k

b25/80

Valore B

r2=R25Esp[B25/80(1/T2- Non lo so. 1/(298.15K))]

 

3411

 

k

b25/100

Valore B

r2=R25Esp[B25/100(1/T2- Non lo so. 1/(298.15K))]

 

3433

 

k

 

 

 

modulo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota

 

Il simbolo

parametro

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

- Io...- -

Induttanza di deflusso

 

20

 

- Non lo so.

rCC+EE

Modulo di resistenza al piombo,Terminal a chip

 

1.10

 

rilJC

Connessione con il caso (per IGB)T)Connessione con il caso (per D)iodio)

 

 

0.082 0.129

C/W

 

rthCH

Cassa-sink (perIGBT)    Case-to-Heatsink (pdiodo)    Case-to-Heatsink (permodulo)

 

0.029 0.046 0.009

 

C/W

m

Torsione di connessione terminale, per il rivestimento di macchine Torsione di montaggio Vattone M5

3.0 3.0

 

6.0 6.0

n.m.

g

peso di modulo

 

350

 

g

 

scheda

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