Modulo IGBT 1700V

Il simbolo

Descrizione

GD300HFT170C2S

Unità

VCES

Collettore-emittente Tensione

1700

V

VGFs

Emittente di porta Tensione

±20

V

Ic

Collettore corrente @Tc=25℃

@Tc=80℃

550

A

300

ICM(1)

Pulsato Collettore corrente tp= 1MS

600

A

Ir

Diodo Continuo In avanti corrente

300

A

IM

Diodo Massimo In avanti corrente

600

A

PP

Massimo Potenza dissipazione @Tj=175℃

2083

W

TSC

Corto circuito Resistete. Tempo @Tj =125℃

10

μs

Tjmax

Massimo Giunti Temperatura

175

℃

TSTG

Conservazione Temperatura Autonomia

-40 to+125

℃

Valore I²t,Diode

VR=0V,t=10ms,Tj=125°C

14500

A²s

VISO

Isolamento Tensione RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

Montaggio Coppia

Potenza Terminale Vite :M6

2.5 To 5.0

N.M

Montaggio Fabbricazione di apparecchiature per la trasmissione di dati

3.0 To 5.0

N.M

Il simbolo

Parametro

Test Condizioni

min .

tipizzazione .

max .

Unità

BVcrs

Collettore-emittente

rottura Tensione

VGe=0V,Ic=4.0mA, T=25℃

1700

V

ICES

Collettore Taglio corrente

VCE=VCES, VGE=0V, Tj=25°C

3.0

mA

IGrs

Emittente di porta perdita corrente

VGr=VGes,Vcn=0V, T=25℃

400

NA

Il simbolo

Parametro

Test Condizioni

min .

Tipo.

max .

Unità

Vcπ(h)

Emittente di porta Soglia Tensione

Ie=12.0mA,Vcr=VGE T=25℃

5.2

5.8

6.4

V

VCE (sat)

Collettore To Emittente Saturazione Tensione

Ic=300A,VGr=15V, T=25℃

2.0

V

Ic =300A, VGr =15V. T=125℃

2.4

Il simbolo

Parametro

Test Condizioni

min .

Tipo.

max .

Unità

taon)

Accendere Ritardo Tempo

Vcc=900V,Ic=300A, Ra=4.72,

Vae=±15V, T=25℃

281

NS

t

aumento Tempo

82

NS

ta (o)

Disattivamento Ritardo Tempo

801

NS

tr

Caduta Tempo

Vcc=900V,Ic=300A,

Rc=4.72,

V=±15V

T=25℃

121

NS

EON

Accendere Commutazione

Perdita

70

mJ

Eofr

Disattivamento Commutazione

Perdita

65

mJ

ta(on)

Accendere Ritardo Tempo

Vcc=900V,Ic=300A,

RG=4.72,

Vc=±15V T=125℃

303

NS

t

aumento Tempo

103

NS

ta(om)

Disattivamento Ritardo Tempo

1002

NS

tr

Caduta Tempo

203

NS

EON

Accendere Commutazione

Perdita

105

mJ

Eor

Disattivamento Commutazione

Perdita

94

mJ

- Cies

Ingresso Capacità

VCE=25V, f=1MHz,

VGr=0V

27.0

NF

Coes

Uscita Capacità

1.1

NF

Cres

Inverso Trasferimento

Capacità

0.9

NF

Isc

SC Dati

tSC≤10μs,VGE=15V,

T=125℃,

Vcc=1000V

VcrM≤1700V

1200

A

RGint

Interno Porta Resistan CE

2.5

Ω

LCr

Stray Induttanza

20

nH

RcC'+EE'

Modulo Piombo Resistenza, Terminale To Chip

TC=25°C

0.35

m2

Il simbolo

Parametro

Test Condizioni

min .

Tipo.

max .

Unità

VR

Diodo In avanti

Tensione

Iq=300A

Tj=25°C

1.8

V

Ti=125℃

1.9

Q

Diodo Inverso

Recupero carica

Ir=300A,

VR=900V,

di/dt=-3600A/μs,

VGr=-15V

T=25℃

77

μC

Tj=125°C

131

IRM

Diodo Pico

Inverso Recupero corrente

Tj=25°C

351

A

T=125℃

383

Eree

Inverso Recupero energia

Tj=25°C

40

mJ

Tj=125°C

72

Il simbolo

Parametro

Tipo.

max .

Unità

Rac

Giunti -To -Caso (IGBT Parte , per 1/2 Modu (le)

0.072

C/W

Rac

Giunti -To -Caso (Diodo Parte , P er 1/2 Modulo)

0.13

C/W

Roc

Cassa-sink (Conduttivo grasso applicato)

0.035

C/W

Peso

Peso di Modulo

300

g