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Modulo IGBT 1700V

Modulo IGBT 1700V

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GD300HFL170C6S,Modulo IGBT,STARPOWER

Modulo IGBT,1700A 300A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD300HFL170C6S
  • Introduzione
  • Outline
Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1700V 300A.

Caratteristiche

  • Tecnologia IGBT a bassa VCE (sat) SPT+
  • Capacità di cortocircuito di 10 μs
  • VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
  • Temperatura massima di giunzione 175oC
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Tipico Applicazioni

  • Invertitori per motori
  • Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
  • Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 O C

@ T C = 100O C

490

300

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms

600

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T = 175 O C

2027

W

Diodo

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1700

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

300

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

600

A

Modulo

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

t jmax

Temperatura massima di giunzione

175

O C

t - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

O C

t STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

O C

V ISO

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C =300A,V GE = 15V, t j = 25 O C

2.40

2.85

V

Io C =300A,V GE = 15V, t j = 125 O C

2.80

Io C =300A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.90

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 12.0mA,V CE =V GE , T j = 25 O C

5.4

6.2

7.4

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j = 25 O C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C

400

NA

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

20.3

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

0.69

NF

Q g

Importo della porta

V GE - Sì. 15…+15V

2.31

μC

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =300A, r g =4.7Ω,

V GE =± 15V, t j = 25 O C

200

NS

t r

Tempo di risalita

97

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

410

NS

t F

Tempo di caduta

370

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

82.0

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

60.0

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =300A, r g =4.7Ω,

V GE =± 15V, t j = 125O C

250

NS

t r

Tempo di risalita

99

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

630

NS

t F

Tempo di caduta

580

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

115

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

90.0

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =300A, r g =4.7Ω,

V GE =± 15V, t j = 150O C

260

NS

t r

Tempo di risalita

105

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

670

NS

t F

Tempo di caduta

640

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

125

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

100

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

1200

A

Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F =300A,V GE =0V,T j = 25 O C

1.80

2.25

V

Io F =300A,V GE =0V,T j = 125O C

1.95

Io F =300A,V GE =0V,T j = 150O C

1.90

Q r

Importo recuperato

V r =900V,I F =300A,

-di/dt=2800A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 25 O C

90.0

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

270

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

45.0

mJ

Q r

Importo recuperato

V r =900V,I F =300A,

-di/dt=2800A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 125O C

135

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

315

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

75.5

mJ

Q r

Importo recuperato

V r =900V,I F =300A,

-di/dt=2800A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 150O C

160

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

330

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

84.0

mJ

NTC Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

r 25

Resistenza Nominale

5.0

∆R/R

Deviazione di r 100

t C = 100O C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Dissipazione di Potenza

20.0

mW

B 25/50

Valore B

r 2=R 25Esp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

k

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

r CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

1.10

r θ JC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Connessione con il caso (per D) iodio)

0.074

0.121

C/W

r θ CS

Cassa-sink (per IGBT)

Cassa-sink (per diodo)

0.029

0.047

C/W

r θ CS

Cassa-sink

0.009

C/W

m

Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M6

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

g

Peso Modulo

350

g

Outline

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