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Modulo IGBT 1700V

Modulo IGBT 1700V

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GD300HFL170C2S,Modulo IGBT,STARPOWER

700V 300A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD300HFL170C2S
  • Introduzione
  • Outline
Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1700V 300A.

Caratteristiche

  • Tecnologia IGBT a bassa VCE (sat) SPT+
  • Capacità di cortocircuito di 10 μs
  • VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
  • Temperatura massima di giunzione 175oC
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Tipico Applicazioni

  • Invertitori per motori
  • Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
  • Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 O C

@ T C =90 O C

430

300

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms

600

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T = 175 O C

1851

W

Diodo

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1700

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

300

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

600

A

Modulo

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

t jmax

Temperatura massima di giunzione

175

O C

t - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

O C

t STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

O C

V ISO

Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min

4000

V

IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C =300A,V GE = 15V, t j = 25 O C

2.40

2.85

V

Io C =300A,V GE = 15V, t j = 125 O C

2.80

Io C =300A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.90

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 12.0mA,V CE =V GE , T j = 25 O C

5.4

6.2

7.4

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j = 25 O C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C

400

NA

r Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

2.3

Ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

20.0

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

0.72

NF

Q g

Importo della porta

V GE - Sì. 15…+15V

1.8

μC

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =300A, r g =4.7Ω,

V GE =± 15V, t j = 25 O C

464

NS

t r

Tempo di risalita

157

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

421

NS

t F

Tempo di caduta

290

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

108

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

55.2

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =300A, r g =4.7Ω,

V GE =± 15V, t j = 125 O C

483

NS

t r

Tempo di risalita

161

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

465

NS

t F

Tempo di caduta

538

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

128

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

83.7

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =300A, r g =4.7Ω,

V GE =± 15V, t j = 150 O C

492

NS

t r

Tempo di risalita

165

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

483

NS

t F

Tempo di caduta

747

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

141

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

92.1

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE = 15V,

t j = 150O C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

960

A

Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F =300A,V GE =0V,T j = 25 O C

1.80

2.25

V

Io F =300A,V GE =0V,T j = 125 O C

1.95

Io F =300A,V GE =0V,T j = 150 O C

1.90

Q r

Importo recuperato

V r =900V,I F =300A,

-di/dt=2800A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 25 O C

70

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

209

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

40.7

mJ

Q r

Importo recuperato

V r =900V,I F =300A,

-di/dt=2800A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 125 O C

108

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

238

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

65.1

mJ

Q r

Importo recuperato

V r =900V,I F =300A,

-di/dt=2800A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 150 O C

123

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

253

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

71.6

mJ

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

L CE

Induttanza di deflusso

15

nH

r CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.25

r ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.081

0.138

C/W

r thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Caso-a-Radiatore (pe r Diode)

Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.032

0.054

0.010

C/W

m

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Peso di Modulo

300

g

Outline

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