Modulo IGBT 1200V

Il simbolo

Descrizione

GD2400SGL120C3SN

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

± 20

v

Ic

Collettore corrente @tc= 25°C

@ Tc= 100°C

3550

2400

a)

Icm

Corrente del collettore pulsato tp= 1ms

4800

a)

If

Diodo di continua curvatura anterioreaffitto

2400

a)

IFm

Corrente di diodo massima tp=1 ms

4800

a)

pd

Dissipation di potenza massima @ Tj= 175°C

12.8

kW

tjmax

Temperatura massima di giunzione

175

°C

t- Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

°C

tSTG

temperatura di conservazionegamma

-40 a +125

°C

viso

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1Min

4000

v

montamento coppia

Vite del Terminale di Segnale:M4

1.8 a 2.1

Vite del Terminale di Potenza:M8

8.0 a 10

n.m.

Fabbricazione di dispositivi di controllo:

4.25 a 5.75

peso

Peso di modulo

1500

g

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

v(br)CES

Collettore-emittente

tensione di rottura

tj= 25°C

1200

v

ICES

Collettore tagliato- Non lo so.spento

corrente

v- -=vCES- Sì.vGE=0V,tj= 25°C

5.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello corrente

vGE=vGES- Sì.v- -=0V, tj= 25°C

400

- No

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vGE(- La)

Limita di emissione della porta tensione

Ic=96- Mamma!- Sì.v- -=vGE- Sì. tj= 25°C

5.4

7.4

v

vCE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Ic=2400A,VGE= 15V, tj= 25°C

1.95

2.40

v

Ic=2400A,VGE= 15V, tj= 125°C

2.10

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic=2400A, rGon= 1.0Ω,

rGoff=2.3Ω,

vGE= ± 15V,Tj= 25°C

188

NS

tr

Tempo di risalita

131

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

1040

NS

tf

Tempo di caduta

132

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

272

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

320

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic=2400A, rGon= 1.0Ω,

rGoff=2.3Ω,

vGE= ± 15V,Tj= 125°C

214

NS

tr

Tempo di risalita

184

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

1125

NS

tf

Tempo di caduta

138

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

268

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

416

mj

c- Non

Capacità di ingresso

v- -= 25V, f=1MHz,

vGE=0V

Tbd

NF

c- Non

Capacità di uscita

Tbd

NF

cres

Trasferimento inverso

Capacità

Tbd

NF

Isc

Dati SC

tp≤ 10 μs,VGE=15 v,

tj= 150℃,V - Cc= 900V,laCEM≤ 1200V

9000

a)

Qg

Importo della porta

v- Cc= 600V,Ic=2400A, vGE=-15 - Non lo so.+15V

Tbd

μC

rGint

Resistenza al cancello internoatteggiamento

1.3

Oh

- Io...- -

Induttanza di deflusso

12

- Non lo so.

rCC+EE

Modulo piombo

Resistenza,

Terminal a chip

0.19

mΩ

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vf

Diodo di avanzamento

tensione

If=2400A

tj= 25°C

1.80

2.20

v

tj= 125°C

1.75

Qr

Ricostruito

carico

If=2400A,

vr= 600V,

rg= 1.6Ω,

vGE= 15V

tj= 25°C

246

μC

tj= 125°C

435

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

tj= 25°C

810

a)

tj= 125°C

1160

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

tj= 25°C

103

mj

tj= 125°C

182

Il simbolo

parametro

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

rθJC

Connessione con il caso (per IGB)T)

11.7

K/kW

rθJC

Connessione con il caso (per D)iodio)

21.9

K/kW

rθcss

Cassa-sink (applicazione di grasso conduttivo)mentito)

6

K/kW