Modulo IGBT 1200V

Il simbolo

Descrizione

GD225HTT120C7S

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente @ T j = 25 ℃

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente @ T j = 25 ℃

±20

V

Io C

Corrente Collettore @ t C = 25 ℃

@ T C = 80 ℃

400

225

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 MS

450

A

P - Non

Dissipazione totale di potenza @ T j = 175 ℃

1442

W

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V (BR )CES

Collettore-emittente

Tensione di Rottura

t j = 25 ℃

1200

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 ℃

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 ℃

400

NA

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =9.0 mA ,V CE = V GE , t j = 25 ℃

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C =225A,V GE = 15V, t j = 25 ℃

1.70

2.15

V

Io C =225A,V GE = 15V, t j = 125 ℃

2.00

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =225A, r g =3.3Ω,V GE =± 15V, t j = 25 ℃

251

NS

t r

Tempo di risalita

89

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

550

NS

t F

Tempo di caduta

125

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

/

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

/

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =225A, r g =3.3Ω,V GE =± 15V, t j = 125 ℃

305

NS

t r

Tempo di risalita

100

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

660

NS

t F

Tempo di caduta

162

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

15.1

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

35.9

mJ

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

16.0

NF

C - Non

Capacità di uscita

0.84

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

0.73

NF

Q g

Importo della porta

V CC = 600V,I C =225A, V GE =15V

2.1

μC

r Gint

Resistenza interna del gate

3.3

Ω

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE =15 V,

t j = 125 °C, V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

900

A

Il simbolo

Descrizione

GD225HTT120C7S

Unità

V RRM

Tensione di picco inversa ripetitiva @ T j = 25 ℃

1200

V

Io F

Corrente Diretta Continua @ T C = 80 ℃

225

A

Io MF

Corrente di picco in avanti ripetitiva t P =1 ms

450

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F =225A,

V GE =0V

t j = 25 ℃

1.65

2.15

V

t j = 125 ℃

1.65

Q r

Importo recuperato

Io F =225A,

V r = 600V,

r g =3.3Ω,

V GE = 15V

t j = 25 ℃

22

μC

t j = 125 ℃

43

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

t j = 25 ℃

160

A

t j = 125 ℃

198

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

t j = 25 ℃

11.2

mJ

t j = 125 ℃

19.9

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

r 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di r 100

r 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Dissipazione di Potenza

20.0

mW

B 25/50

Valore B

r 2=R 25Esp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

k

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V ISO

Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min

2500

V

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

r CC+EE

Resistenza di contatto del modulo e, Terminale a Chip @ T C = 25 ℃

1.10

mΩ

r θ JC

Giunzione-a-Caratteristica (per invertitore IGBT) Giunzione-a-Caratteristica (per invertitore DIODE er)

0.104

0.173

C/W

r θ CS

Cassa-sink (applicazione di grasso conduttivo) mentito)

0.005

C/W

t jmax

Temperatura massima di giunzione

175

℃

t STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40

125

℃

Montaggio Coppia

Filtro di alimentazione:M6

Montaggio Fabbricazione di prodotti di cui al punto 3.4.

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

g

Peso di Modulo

910

g