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Modulo IGBT 1200V

Modulo IGBT 1200V

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GD200SGL120C2S,Modulo IGBT,STARPOWER

1200V 200A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD200SGL120C2S
  • Introduzione
  • Outline
  • Schema del circuito equivalente
Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 200A. - Sì.

Caratteristiche

  • Capacità di cortocircuito elevata, autolimitante a 6*IC
  • Capacità di cortocircuito di 10 μs
  • VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

  • Motori a inverter alternativi
  • Forniture di alimentazione in modalità di commutazione
  • Saldatori elettronici a f - Sì fino a 20kHz

Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Descrizione

GD200SGL120C2S

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

± 20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25

@ T C = 100

400

A

200

Io CM (1)

Impulso di collezione di corrente nt

400

A

Io F

Diodo di corrente continua in avanti

200

A

Io FM

Diodo Cur massima in avanti affitto

400

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T j = 175

1875

W

t SC

Cortocircuito resistenza al tempo @ T j = 125

10

μs

t jmax

Temperatura massima di giunzione

175

t j

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

t STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

Io 2Valore t, diodo

V r =0V, t=10ms, T j = 125

6900

A 2s

V ISO

Il tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t=1min

2500

V

Torsione di montaggio

Filtro di alimentazione:M6

2,5 a 5

N.M

Montaggio Fabbricazione di apparecchiature per la trasmissione di dati

3 To 6

N.M

Note:

(1) Ripetitiva Valutazione : Impulso Larghezza limitata Di max . Giunti Temperatura

Elettrico Caratteristiche di IGBT t C = 25 a meno che altrimenti notato

Non caratteristiche

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

BV CES

Collettore-emittente

Tensione di Rottura

t j = 25

1200

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello

corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25

400

NA

Sulle caratteristiche

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V GE (th )

Limita di emissione della porta

Tensione

Io C =4 mA ,V CE = V GE , t j = 25

5

6.2

7.0

V

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C =200A,V GE = 15V, t j = 25

1.8

V

Io C =200A,V GE = 15V, t j = 125

2.0

Caratteristiche di cambio

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =200A,

r g =5Ω, V GE = ± 15 V,

110

NS

t r

Tempo di risalita

60

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

t j = 25

360

NS

t F

Tempo di caduta

V CC = 600V,I C =200A,

r g =5Ω, V GE = ± 15 V,

t j = 25

60

NS

e ON

Accendere il comando Perdita

18

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

15

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =200A,

r g =5Ω,V GE = ± 15 V,

t j = 125

120

NS

t r

Tempo di risalita

60

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

420

NS

t F

Tempo di caduta

70

NS

e ON

Accendere il comando Perdita

21

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

18

mJ

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

18.0

NF

C - Non

Capacità di uscita

1.64

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

0.72

NF

Io SC

Dati SC

t s C 10 μs, V GE =15 V,

t j = 125 , V CC = 900V,

V CEM 1200V

1080

A

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

r CC + EE

Modulo piombo

resistenza, terminale To Chip

t C = 25

0.18

m Ω

Elettrico Caratteristiche di Diodo t C = 25 a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F =200A

t j = 25

2.0

2.2

V

t j = 125

2.2

2.3

Q r

Diodo inverso

tassa di recupero

Io F =200A,

V r = 600V,

di/dt=-6000A/μs, V GE - Sì. 15V

t j = 25

24

μC

t j = 125

32

Io RM

Pico di diodo

Ritorno al recupero corrente

t j = 25

240

A

t j = 125

280

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

t j = 25

6

mJ

t j = 125

10

Caratteristica termica ics

Il simbolo

Parametro

Tipo.

Max.

Unità

r θ JC

Fabbricazione di dispositivi di controllo della velocità Modulo r)

0.08

C/W

r θ JC

Connessione con il cassa (diodo, per modulo) e)

0.17

C/W

r θ CS

La grezza da cassa a pozzo (grezzo conduttivo a (in particolare)

0.035

C/W

Peso

Peso di Modulo

310

g

Outline

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