1200V 200A, 3-livelli
Breve introduzione
modulo IGBT , 3-livelli ,prodotto da STARPOWER. 1200V 200A. - Sì.
Caratteristiche
Applicazioni tipiche
IGBT t 1 T2 T3 T4 t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato
Valori massimi nominali
Il simbolo | Descrizione | GD200MLT120C2S | Unità |
V CES | Tensione tra collettore ed emittente @ T j = 25 ℃ | 1200 | V |
V GES | Tensione del portatore-emittente @ T j = 25 ℃ | ±20 | V |
Io C | Corrente Collettore @ t C = 25 ℃ @ T C = 80 ℃ | 360 200 | A |
Io CM | Corrente Collettore a Impulso t P =1 MS | 400 | A |
P - Non | Dissipazione totale di potenza @ T j = 175 ℃ | 1163 | W |
Non caratteristiche
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
V (BR )CES | Collettore-emittente Tensione di Rottura | t j = 25 ℃ | 1200 |
|
| V |
Io CES | Collettore Taglio -OFF corrente | V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 5.0 | mA |
Io GES | Perforazione del portello corrente | V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 400 | NA |
Sulle caratteristiche
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
V GE (th ) | Limita di emissione della porta Tensione | Io C =8.0 mA ,V CE = V GE , t j = 25 ℃ | 5.0 | 5.8 | 6.5 | V |
V CE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione | Io C =200A,V GE = 15V, t j = 25 ℃ |
| 1.70 | 2.15 |
V |
Io C =200A,V GE = 15V, t j = 125 ℃ |
| 2.00 |
|
Caratteristiche di cambio
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C =200A, r g =3.6Ω,V GE =± 15V, t j = 25 ℃ |
| 248 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 88 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 540 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 131 |
| NS | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 9.85 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 22.8 |
| mJ | |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C =200A, r g =3.6Ω,V GE =± 15V, t j = 125℃ |
| 298 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 99 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 645 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 178 |
| NS | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 15.1 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 34.9 |
| mJ | |
C ies | Capacità di ingresso |
V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V |
| 14.4 |
| NF |
C - Non | Capacità di uscita |
| 0.75 |
| NF | |
C res | Trasferimento inverso Capacità |
| 0.65 |
| NF | |
Q g | Importo della porta | V CC = 600V,I C =200A, V GE =-15 ﹍+15V |
| 1.90 |
| μC |
r Gint | Resistenza interna del gate |
|
| 3.8 |
| Ω |
Io SC |
Dati SC | t P ≤ 10 μs,V GE =15 V, t j = 125 ℃,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V |
|
800 |
|
A |
Diodo D 1 D2 D3 D4 t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato
Valori massimi nominali
Il simbolo | Descrizione | GD200MLT120C2S | Unità |
V RRM | Tensione di picco inversa ripetitiva @ T j = 25 ℃ | 1200 | V |
Io F | Corrente in Avanti DC T C = 8 0℃ | 200 | A |
Io MF | Corrente di picco in avanti ripetitiva t P =1 ms | 400 | A |
Caratteristiche Valori
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità | |
V F | Diodo di avanzamento Tensione | Io F =200A | t j = 25 ℃ |
| 1.65 | 2.10 | V |
t j = 125 ℃ |
| 1.65 |
| ||||
Q r | Importo recuperato | Io F =200A, V r = 600V, r g =3.6Ω, V GE = 15V | t j = 25 ℃ |
| 20.0 |
| μC |
t j = 125 ℃ |
| 26.1 |
| ||||
Io RM | Verso il picco inverso corrente di recupero | t j = 25 ℃ |
| 151 |
| A | |
t j = 125 ℃ |
| 190 |
| ||||
e Ricerca | Ritorno al recupero energia | t j = 25 ℃ |
| 9.20 |
| mJ | |
t j = 125 ℃ |
| 17.1 |
| ||||
Diodo D 5 D6 t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato
Valori massimi nominali
Il simbolo | Descrizione | GD200MLT120C2S | Unità |
V RRM | Tensione di picco inversa ripetitiva @ T j = 25 ℃ | 1200 | V |
Io F | Corrente in Avanti DC T C = 8 0℃ | 200 | A |
Io MF | Corrente di picco in avanti ripetitiva t P =1 ms | 400 | A |
Caratteristiche Valori
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità | |
V F | Diodo di avanzamento Tensione | Io F =200A, V GE =0V | t j = 25 ℃ |
| 1.65 | 2.10 | V |
t j = 125 ℃ |
| 1.65 |
| ||||
Q r | Importo recuperato | Io F =200A, V r = 600V, r g =3.6Ω, V GE = 15V | t j = 25 ℃ |
| 20.0 |
| μC |
t j = 125 ℃ |
| 26.1 |
| ||||
Io RM | Verso il picco inverso corrente di recupero | t j = 25 ℃ |
| 151 |
| A | |
t j = 125 ℃ |
| 190 |
| ||||
e Ricerca | Ritorno al recupero energia | t j = 25 ℃ |
| 9.20 |
| mJ | |
t j = 125 ℃ |
| 17.1 |
| ||||
modulo IGBT
Il simbolo | Parametro | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
V ISO | tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min | 2500 |
|
| V |
r θ JC | Unione-Caso (per IGBT T1 T2 T3 T4) Unione-Caso (per Diode D1 D2 D3 D4) Unione-Caso (per Diode D5 D6) |
|
| 0.129 0.237 0.232 | C/W |
r θ CS | Cassa-sink (applicazione di grasso conduttivo) mentito) |
| 0.035 |
| C/W |
t jmax | Temperatura massima di giunzione |
|
| 175 | ℃ |
t - Giappone | Temperatura di funzionamento della giunzione | -40 |
| 150 |
|
t STG | Temperatura di conservazione Autonomia | -40 |
| 125 | ℃ |
Montaggio Coppia | Filtro di alimentazione:M6 Fabbricazione di dispositivi di controllo: | 2.5 3.0 |
| 5.0 5.0 | N.M |
Peso | Peso Modulo |
| 340 |
| g |
Il nostro team di vendita professionale è in attesa della tua consulenza.
Puoi seguire la lista dei loro prodotti e fare qualsiasi domanda ti interessi.
EN
