GD200HFT120C5S_G8, Modulo IGBT, STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT ,prodotto da STARPOWER. 1200V 200A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
Capacità di cortocircuito di 10 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175oC
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

Invertitori per motori
Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	± 30	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C = 100O C	310 200	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms	400	A
P D	Dissipation di potenza massima @ T j = 175 O C	1034	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V RRM	Tensione inversa di picco ripetitiva	1200	V
Io F	Diodo di continua curvatura anteriore affitto	200	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms	400	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
t jmax	Temperatura massima di giunzione	175	O C
t - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	O C
t STG	Temperatura di conservazione Autonomia	-40 a +125	O C
V ISO	Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min	2500	V

IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =200A,V GE = 15V, t j = 25 O C		1.70	2.15	V
		Io C =200A,V GE = 15V, t j = 125 O C		1.95
		Io C =200A,V GE = 15V, t j = 150 O C		2.00
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =8.0 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C	5.0	5.8	6.5	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 O C			5.0	mA
Io GES	Perforazione del portello corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C			400	NA
r Gint	Resistenza al cancello interno atteggiamento			1.0		Ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 30V, f=1MHz, V GE =0V		18.2		NF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 30V, f=1MHz, V GE =0V		0.56		NF
Q g	Importo della porta	V GE =15V		1.20		μC
t D (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, r g =3.0Ω,V GE =± 15V, t j = 25 O C		213		NS
t r	Tempo di risalita			64		NS
t D (OFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			280		NS
t F	Tempo di caduta			180		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			4.10		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			16.3		mJ
t D (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, r g =3.0Ω,V GE =± 15V, t j = 125O C		285		NS
t r	Tempo di risalita			78		NS
t D (OFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			363		NS
t F	Tempo di caduta			278		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			7.40		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			23.0		mJ
t D (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, r g =3.0Ω,V GE =± 15V, t j = 150O C		293		NS
t r	Tempo di risalita			81		NS
t D (OFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			374		NS
t F	Tempo di caduta			327		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			8.70		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			25.2		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤ 10 μs,V GE = 15V, t j = 150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		800		A

Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =200A,V GE =0V,T j = 25 O C		1.70	2.15	V
		Io F =200A,V GE =0V,T j = 125O C		1.65
		Io F =200A,V GE =0V,T j = 150O C		1.65
Q r	Importo recuperato	V CC = 600V,I F =200A, - di/dt=5500A/μs,V GE - Sì. 15 V, t j = 25 O C		17.5		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			245		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			8.00		mJ
Q r	Importo recuperato	V CC = 600V,I F =200A, - di/dt=5500A/μs,V GE - Sì. 15 V, t j = 125O C		32.0		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			260		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			14.0		mJ
Q r	Importo recuperato	V CC = 600V,I F =200A, - di/dt=5500A/μs,V GE - Sì. 15 V, t j = 150O C		37.5		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			265		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			15.3		mJ

NTC Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
r 25	Resistenza Nominale			5.0		kΩ
∆R/R	Deviazione di r 100	t C = 100O C,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Dissipazione di Potenza				20.0	mW
B 25/50	Valore B	r 2=R 25Esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	unità
L CE	Induttanza di deflusso		30		nH
r CC+EE	Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip		2.20		mΩ
r ilJC	Connessione con il caso (per IGB) T) Connessione con il caso (per D) iodio)			0.145 0.243	C/W
r thCH	Cassa-sink (per IGBT) Cassa-sink (p) diodo) Cassa-sink (per Modulo)		0.064 0.107 0.02		C/W
m	Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vattone M5	3.0 2.5		6.0 5.0	N.M
g	Peso di Modulo		200		g