GD200HFT120C2S_T4F,Modulo IGBT,STARPOWER

1200V 200A

Brand:

Strumento di controllo

Spu:

GD200HFT120C2S_T4F

Breve introduzione

modulo IGBT ,prodotto da STARPOWER. 1200V 200A. - Sì.

Caratteristiche

Applicazioni tipiche

Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Descrizione	GD200HFT120C2S_T4F	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente Collettore @ t C = 25 ℃ @ T C = 100℃	300 200	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t P =1 MS	400	A
Io F	Diodo di continua curvatura anteriore affitto	200	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms	400	A
P D	Dissipation di potenza massima @ T j =1 75℃	1119	W
t jmax	Temperatura massima di giunzione	175	℃
t - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	℃
t STG	Temperatura di conservazione Autonomia	-40 a +125	℃
V ISO	tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min	4000	V
Montaggio Coppia	Filtro di alimentazione:M6 Fabbricazione di dispositivi di controllo:	2,5 a 5.0 3,0 a 5.0	N.M
Peso	Peso di Modulo	300	g

Elettrico Caratteristiche di IGBT t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato

Non caratteristiche

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V (BR )CES	Collettore-emittente Tensione di Rottura	t j = 25 ℃	1200			V
Io CES	Collettore Taglio -OFF corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 ℃			5.0	mA
Io GES	Perforazione del portello corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 ℃			400	NA

Sulle caratteristiche

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =7.6 mA ,V CE = V GE , t j = 25 ℃	5.1	5.8	6.4	V
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =200A,V GE = 15V, t j = 25 ℃		2.05	2.45	V
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =200A,V GE = 15V, t j = 125 ℃		2.40		V

Caratteristiche di cambio

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
t D (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, r g =4.7Ω,V GE =± 15V, t j = 25 ℃		362		NS
t r	Tempo di risalita			112		NS
t D (OFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			378		NS
t F	Tempo di caduta			115		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			17.4		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			9.50		mJ
t D (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, r g =4.7Ω,V GE =± 15V, t j = 125℃		364		NS
t r	Tempo di risalita			113		NS
t D (OFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			405		NS
t F	Tempo di caduta			125		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			21.5		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			15.4		mJ
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		12.3		NF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		0.69		NF
Io SC	Dati SC	t P ≤ 10 μs,V GE =15 V, t j = 125 °C, V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		800		A
r Gint	Resistenza al cancello interno atteggiamento			3.8		Ω
L CE	Induttanza di deflusso				20	nH
r CC+EE	Modulo piombo Resistenza, Terminal a chip			0.35		mΩ

Elettrico Caratteristiche di Diodo t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova		Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =200A	t j = 25 ℃		1.95	2.35	V
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =200A	t j = 125 ℃		2.05		V
Q r	Ricostruito carica	Io F =200A, V r = 600V, r g =4.7Ω, V GE = 15V	t j = 25 ℃		10.1		μC
Q r	Ricostruito carica		t j = 125 ℃		21.5		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero		t j = 25 ℃		113		A
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero		t j = 125 ℃		170		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia		t j = 25 ℃		5.07		mJ
e Ricerca	Ritorno al recupero energia		t j = 125 ℃		13.6		mJ

Caratteristica termica ics

Il simbolo	Parametro	Tipo.	Max.	Unità
r θ JC	Connessione con il caso (per IGB) T)		0.134	C/W
r θ JC	Connessione con il caso (per D) iodio)		0.194	C/W
r θ CS	Cassa-sink (applicazione di grasso conduttivo) mentito)	0.035		C/W