GD200HFT120C2S_G8, Modulo IGBT, STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT ,prodotto da STARPOWER. 1200V 200A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
Basse perdite di commutazione
Capacità di cortocircuito di 10 μs
Cassa a bassa induttanza
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

Invertitori per motori
Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valori	unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	± 30	V
Io C	Corrente Collettore @ t C = 25 ℃ @ T C = 100℃	330 200	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t P =1 MS	400	A
P D	Dissipation di potenza massima @ T j =1 75℃	1103	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valori	unità
V RRM	Tensione inversa di picco ripetitiva	1200	V
Io F	Diodo di continua curvatura anteriore affitto	200	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms	400	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valori	unità
t jmax	Temperatura massima di giunzione	175	℃
t - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	℃
t STG	Temperatura di conservazione Autonomia	-40 a +125	℃
V ISO	tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min	4000	V
m	Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6	2,5 a 5.0 3,0 a 5.0	N.M

IGBT Caratteristiche t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =200A,V GE = 15V, t j = 25 ℃		1.70	2.15	V
		Io C =200A,V GE = 15V, t j = 125 ℃		1.95
		Io C =200A,V GE = 15V, t j = 150 ℃		2.00
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =8.0 mA ,V CE = V GE , t j = 25 ℃	5.0	5.8	6.5	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 ℃			5.0	mA
Io GES	Perforazione del portello corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 ℃			400	NA
r Gint	Resistenza al cancello interno atteggiamento			1.0		Ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 30V, f=1MHz, V GE =0V		18.2		NF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 30V, f=1MHz, V GE =0V		0.56		NF
Q g	Importo della porta	V GE =15V		1.20		μC
t D (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, r g =3.0Ω,V GE =± 15V, t j = 25 ℃		213		NS
t r	Tempo di risalita			64		NS
t D (OFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			280		NS
t F	Tempo di caduta			180		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			4.10		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			16.3		mJ
t D (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, r g =3.0Ω,V GE =± 15V, t j = 125℃		285		NS
t r	Tempo di risalita			78		NS
t D (OFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			363		NS
t F	Tempo di caduta			278		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			7.40		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			23.0		mJ
t D (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, r g =3.0Ω,V GE =± 15V, t j = 150℃		293		NS
t r	Tempo di risalita			81		NS
t D (OFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			374		NS
t F	Tempo di caduta			327		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			8.70		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			25.2		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤ 10 μs,V GE =15 V, t j = 150 °C, V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		800		A

Diodo Caratteristiche t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io C =200A,V GE =0V,T j = 25 ℃		2.15	2.55	V
		Io C =200A,V GE =0V,T j = 125℃		2.20
		Io C =200A,V GE =0V,T j = 150℃		2.15
Q r	Ricostruito carica	V r = 600V,I F =200A, r g =3.0Ω, V GE = 15V t j = 25 ℃		16.2		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			169		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			10.2		mJ
Q r	Ricostruito carica	V r = 600V,I F =200A, r g =3.0Ω, V GE = 15V t j = 125℃		24.4		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			204		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			16.2		mJ
Q r	Ricostruito carica	V r = 600V,I F =200A, r g =3.0Ω, V GE = 15V t j = 150℃		31.4		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			222		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			19.4		mJ

Modulo Caratteristiche t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	unità
L CE	Induttanza di deflusso			20	nH
r CC+EE	Resistenza di contatto del modulo e, Terminale a Chip		0.35		mΩ
r θ JC	Connessione con il caso (per IGB) T) Connessione con il caso (per D) iodio)			0.136 0.194	C/W
r θ CS	Cassa-sink (per IGBT) Cassa-sink (per diodo)		0.060 0.085		C/W
r θ CS	Cassa-sink		0.035		C/W
g	Peso di Modulo		300		g