GD200HFT120C1S_G8,Modulo IGBT,STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT ,prodotto da STARPOWER. 1200V 200A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
Capacità di cortocircuito di 10 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175oC
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

Invertitori per motori
Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	± 30	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C = 85 O C	285 200	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms	400	A
P D	Dissipation di potenza massima @ T = 175 O C	882	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V RRM	Tensione inversa di picco ripetitiva	1200	V
Io F	Diodo di continua curvatura anteriore affitto	200	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms	400	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
t jmax	Temperatura massima di giunzione	175	O C
t - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	O C
t STG	Temperatura di conservazione Autonomia	-40 a +125	O C
V ISO	tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min	4000	V

IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =200A,V GE = 15V, t j = 25 O C		1.70	2.15	V
		Io C =200A,V GE = 15V, t j = 125 O C		1.95
		Io C =200A,V GE = 15V, t j = 150 O C		2.00
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =8.0 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C	5.0	5.9	6.5	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 O C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C			200	NA
r Gint	Resistenza al cancello interno atteggiamento			2.0		Ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 30V, f=1MHz, V GE =0V		17.0		NF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 30V, f=1MHz, V GE =0V		0.55		NF
Q g	Importo della porta	V GE =-15...+15V		1.07		μC
t D (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, r g = 1.0Ω,V GE =± 15V, t j = 25 O C		296		NS
t r	Tempo di risalita			77		NS
t D (OFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			391		NS
t F	Tempo di caduta			172		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			4.25		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			16.2		mJ
t D (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, r g = 1.0Ω,V GE =± 15V, t j = 125O C		272		NS
t r	Tempo di risalita			79		NS
t D (OFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			423		NS
t F	Tempo di caduta			232		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			6.45		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			22.6		mJ
t D (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, r g = 1.0Ω,V GE =± 15V, t j = 150O C		254		NS
t r	Tempo di risalita			80		NS
t D (OFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			430		NS
t F	Tempo di caduta			280		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			8.30		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			24.3		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤ 10 μs,V GE = 15V, t j = 150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		800		A

Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =200A,V GE =0V,T j = 25 O C		1.70	2.15	V
		Io F =200A,V GE =0V,T j = 125O C		1.65
		Io F =200A,V GE =0V,T j = 150O C		1.65
Q r	Importo recuperato	V r = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE = 15V t j = 25 O C		18.5		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			240		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			8.10		mJ
Q r	Importo recuperato	V r = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE = 15V t j = 125O C		33.5		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			250		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			14.5		mJ
Q r	Importo recuperato	V r = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE = 15V t j = 150O C		38.5		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			260		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			16.0		mJ

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	unità
L CE	Induttanza di deflusso			30	nH
r CC+EE	Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip		0.75		mΩ
r ilJC	Connessione con il caso (per IGB) T) Connessione con il caso (per D) iodio)			0.170 0.280	C/W
r thCH	Cassa-sink (per IGBT) Cassa-sink (p) diodo) Cassa-sink (per Modulo)		0.161 0.265 0.050		C/W
m	Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
g	Peso di Modulo		150		g