GD200HFL120C8SN, Modulo IGBT, STARPOWER

GD200HFL120C8SN,Modulo IGBT,STARPOWER

1200V 200A

Brand:

Strumento di controllo

Spu:

GD200HFL120C8SN

Breve introduzione

modulo IGBT ,prodotto da STARPOWER. 1200V 200A. - Sì.

Caratteristiche

Applicazioni tipiche

Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Descrizione	GD200HFL120C8SN	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente Collettore @ t C = 25 ℃ @ T C = 100℃	400 200	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t P =1 MS	400	A
Io F	Diodo di continua curvatura anteriore affitto	200	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms	400	A
P D	Dissipation di potenza massima @ T j =1 75℃	1724	W
t jmax	Temperatura massima di giunzione	175	℃
t - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	℃
t STG	Temperatura di conservazione Autonomia	-40 a +125	℃
V ISO	tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V
Montaggio Coppia	Filtro di alimentazione:M5 Vite di fissaggio:M5	2,5 a 3.5 2,5 a 3.5	N.M

Elettrico Caratteristiche di IGBT t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato

Non caratteristiche

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V (BR )CES	Collettore-emittente Tensione di Rottura	t j = 25 ℃	1200			V
Io CES	Collettore Taglio -OFF corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 ℃			5.0	mA
Io GES	Perforazione del portello corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 ℃			400	NA

Sulle caratteristiche

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =8.0 mA ,V CE = V GE , t j = 25 ℃	5.0	6.2	7.0	V
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =200A,V GE = 15V, t j = 25 ℃		1.90	2.35	V
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =200A,V GE = 15V, t j = 125 ℃		2.10		V

Caratteristiche di cambio

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
t D (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, r g =3.3Ω,V GE =± 15V, t j = 25 ℃		365		NS
t r	Tempo di risalita			79		NS
t D (OFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			396		NS
t F	Tempo di caduta			165		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			8.00		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			14.0		mJ
t D (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, r g =3.3Ω,V GE =± 15V, t j = 125 ℃		372		NS
t r	Tempo di risalita			83		NS
t D (OFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			420		NS
t F	Tempo di caduta			293		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			11.0		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			22.3		mJ
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		14.9		NF
C - Non	Capacità di uscita			1.04		NF
C res	Trasferimento inverso Capacità			0.68		NF
Io SC	Dati SC	t P ≤ 10 μs,V GE =15 V, t j = 125 °C, V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		1200		A
r Gint	Resistenza al cancello interno atteggiamento			1.0		Ω
L CE	Induttanza di deflusso				22	nH
r CC+EE	Modulo piombo Resistenza, Terminal a chip			0.65		mΩ

Elettrico Caratteristiche di Diodo t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova		Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F (chip)	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =200A	t j = 25 ℃		1.80	2.25	V
V F (chip)	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =200A	t j = 125 ℃		1.85		V
Q r	Ricostruito carica	Io F =200A, V r = 600V, r g =3.3Ω, V GE = 15V	t j = 25 ℃		17.2		μC
Q r	Ricostruito carica		t j = 125 ℃		35.3		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero		t j = 25 ℃		160		A
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero		t j = 125 ℃		213		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia		t j = 25 ℃		11.2		mJ
e Ricerca	Ritorno al recupero energia		t j = 125 ℃		21.2		mJ

Caratteristica termica ics

Il simbolo	Parametro	Tipo.	Max.	Unità
r θ JC	Connessione con il caso (per IGB) T)		0.087	C/W
r θ JC	Connessione con il caso (per D) iodio)		0.160	C/W
r θ CS	Cassa-sink (applicazione di grasso conduttivo) mentito)	0.046		C/W
Peso	Peso Modulo	200		g