1200V 200A
Breve introduzione
modulo IGBT ,prodotto da STARPOWER. 1200V 200A. - Sì.
Caratteristiche
Applicazioni tipiche
Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Descrizione | GD200HFL120C8S | Unità |
V CES | Tensione tra collettore ed emittente | 1200 | V |
V GES | Tensione del portatore-emittente | ± 20 | V |
Io C | Corrente del collettore @ T C = 25℃ @ T C = 80 ℃ | 400 | A |
200 | |||
Io CM (1) | Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms | 400 | A |
Io F | Diodo di corrente continua in avanti | 200 | A |
Io FM | Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms | 400 | A |
P D | Dissipation di potenza massima @ T j = 175℃ | 1402 | W |
t jmax | Temperatura massima di giunzione | 175 | ℃ |
t - Giappone | Temperatura di funzionamento della giunzione | -40 a +150 | ℃ |
t STG | Intervallo di temperatura di conservazione | -40 a +125 | ℃ |
V ISO | Il tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min | 2500 | V |
Montaggio Coppia | Filtro di alimentazione:M5 | 2,5 a 5.0 | N.M |
Montaggio Fabbricazione di apparecchiature per la trasmissione di dati | 3,0 a 5.0 | N.M |
Note:
(1) Ripetitiva Valutazione : Impulso Larghezza limitata Di max . Giunti Temperatura
Elettrico Caratteristiche di IGBT t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato
Non caratteristiche
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
V (BR )CES | Collettore-emittente Tensione di Rottura | t j = 25 ℃ | 1200 |
|
| V |
Io CES | Collettore Taglio -OFF corrente | V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 5.0 | mA |
Io GES | Perforazione del portello corrente | V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 400 | NA |
Sulle caratteristiche
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
V GE (th ) | Limita di emissione della porta Tensione | Io C =8.0 mA ,V CE = V GE , t j = 25 ℃ | 5.0 | 6.2 | 7.0 | V |
V CE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione | Io C =200A,V GE = 15V, t j = 25 ℃ |
| 1.90 | 2.35 |
V |
Io C =200A,V GE = 15V, t j = 125℃ |
| 2.10 |
|
Caratteristiche di cambio
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C =200A, r g =5.1Ω,V GE = ± 15 V, t j = 25 ℃ |
| 437 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 75 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 436 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 165 |
| NS | |
e ON | Accendere il comando Perdita |
| 10.0 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 15.0 |
| mJ | |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C =200A, r g =5.1Ω,V GE = ± 15 V, t j = 125℃ |
| 445 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 96 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 488 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 258 |
| NS | |
e ON | Accendere il comando Perdita |
| 15.9 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 22.3 |
| mJ | |
C ies | Capacità di ingresso |
V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V |
| 14.9 |
| NF |
C - Non | Capacità di uscita |
| 1.04 |
| NF | |
C res | Trasferimento inverso Capacità |
| 0.68 |
| NF | |
Io SC |
Dati SC | t s C ≤ 10 μs,V GE = 15V, t j = 125 ℃ V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V |
|
1200 |
|
A |
r Gint | Resis interna della porta - Sotto il mio nome. |
|
| 1.0 |
| Ω |
L CE | Induttanza di deflusso |
|
|
| 26 | nH |
r CC + EE ’ | Modulo di resistenza al piombo c, Terminal a chip | t C = 25 ℃ |
| 0.62 |
| m Ω |
Elettrico Caratteristiche di Diodo t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità | |
V F | Diodo di avanzamento Tensione | Io F =200A | t j = 25 ℃ |
| 1.82 | 2.25 | V |
t j = 125℃ |
| 1.95 |
| ||||
Q r | Importo recuperato |
Io F =200A, V r = 600 V, di/dt=-2370A/μs, V GE - Sì. 15V | t j = 25 ℃ |
| 16.6 |
| μC |
t j = 125℃ |
| 29.2 |
| ||||
Io RM | Verso il picco inverso corrente di recupero | t j = 25 ℃ |
| 156 |
| A | |
t j = 125℃ |
| 210 |
| ||||
e Ricerca | Ritorno al recupero energia | t j = 25 ℃ |
| 9.3 |
| mJ | |
t j = 125℃ |
| 16.0 |
| ||||
Caratteristica termica ics
Il simbolo | Parametro | Tipo. | Max. | Unità |
r θ JC | Connessione a caso (per IG) BT) |
| 0.107 | C/W |
r θ JC | Connessione con il caso (per D) iodio) |
| 0.198 | C/W |
r θ CS | La grezza da cassa a pozzo (grezzo conduttivo a (in particolare) | 0.046 |
| C/W |
Peso | Peso di Modulo | 200 |
| g |
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