GD200HFK60C8SN,Modulo IGBT,STARPOWER

1200V 200A

Brand:

Strumento di controllo

Spu:

GD200HFK60C8SN

Breve introduzione

modulo IGBT ,prodotto da STARPOWER. 1200V 200A. - Sì.

Caratteristiche

Applicazioni tipiche

Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Descrizione	GD200HFK60C8SN	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	600	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente Collettore @ t C = 25 ℃ @ T C = 80 ℃	283 200	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t P =1 MS	400	A
Io F	Diodo di continua curvatura anteriore affitto	200	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms	400	A
P D	Dissipation di potenza massima @ T j =1 50℃	714	W
t jmax	Temperatura massima di giunzione	150	℃
t - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +125	℃
t STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	℃
V ISO	tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V
Montaggio Coppia	Filtro di alimentazione:M5 Vite di fissaggio:M5	2,5 a 3.5 2,5 a 3.5	N.M
Peso	Peso di Modulo	200	g

Elettrico Caratteristiche di IGBT t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato

Non caratteristiche

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V (BR )CES	Collettore-emittente Tensione di Rottura	t j = 25 ℃	600			V
Io CES	Collettore Taglio -OFF corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 ℃			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 ℃			400	NA

Sulle caratteristiche

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =500μA, V CE = V GE , t j = 25 ℃	3.5	4.5	5.5	V
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =200A,V GE = 15V, t j = 25 ℃		1.80	2.25	V
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =200A,V GE = 15V, t j = 125 ℃		2.10		V

Caratteristiche di cambio

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
t D (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 300V,I C =200A, r g =6,8Ω,V GE =± 15V, t j = 25 ℃		320		NS
t r	Tempo di risalita			123		NS
t D (OFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			318		NS
t F	Tempo di caduta			90		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			2.79		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			5.08		mJ
t D (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 300V,I C =200A, r g =6,8Ω,V GE =± 15V, t j = 125 ℃		339		NS
t r	Tempo di risalita			125		NS
t D (OFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			344		NS
t F	Tempo di caduta			113		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			3.00		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			6.95		mJ
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 30V, f=1MHz, V GE =0V		16.9		NF
C - Non	Capacità di uscita			0.88		NF
C res	Trasferimento inverso Capacità			0.42		NF
Io SC	Dati SC	t P ≤ 10 μs,V GE =15 V, t j = 125 °C, V CC = 360V, V CEM ≤ 600V		1800		A
Q g	Importo della porta	V CC =400V,I C =200A, V GE =15V		0.72		μC
r Gint	Resistenza al cancello interno atteggiamento			2.35		Ω
L CE	Induttanza di deflusso				22	nH
r CC+EE	Modulo piombo Resistenza, Terminal a chip			0.65		mΩ

Elettrico Caratteristiche di Diodo t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova		Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =200A	t j = 25 ℃		1.33	1.78	V
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =200A	t j = 125 ℃		1.30		V
Q r	Ricostruito carica	Io F =200A, V r =300V, r g =6,8Ω, V GE = 15V	t j = 25 ℃		9.3		μC
Q r	Ricostruito carica		t j = 125 ℃		13.2		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero		t j = 25 ℃		112		A
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero		t j = 125 ℃		125		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia		t j = 25 ℃		2.09		mJ
e Ricerca	Ritorno al recupero energia		t j = 125 ℃		3.22		mJ

Caratteristica termica ics

Il simbolo	Parametro	Tipo.	Max.	Unità
r θ JC	Connessione con il caso (per IGB) T)		0.175	C/W
r θ JC	Connessione con il caso (per D) iodio)		0.317	C/W