GD200HFK120C8SN, Modulo IGBT, STARPOWER

GD200HFK120C8SN,Modulo IGBT,STARPOWER

1200V 200A

Brand:

Strumento di controllo

Spu:

GD200HFK120C8SN

Breve introduzione

modulo IGBT ,prodotto da STARPOWER. 1200V 200A. - Sì.

Caratteristiche

Applicazioni tipiche

Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valori	unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C = 80 O C	300 200	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms	400	A
P D	Dissipation di potenza massima @ T j = 150 O C	1157	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valori	unità
V RRM	Tensione inversa di picco ripetitiva	1200	V
Io F	Diodo di continua curvatura anteriore affitto	200	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms	400	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valori	unità
t jmax	Temperatura massima di giunzione	150	O C
t - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +125	O C
t STG	Temperatura di conservazione Autonomia	-40 a +125	O C
V ISO	tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V

IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =200A,V GE = 15V, t j = 25 O C		2.15	2.60	V
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =200A,V GE = 15V, t j = 125 O C		2.65		V
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =2.0 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C	4.8	5.7	6.3	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 O C			5.0	mA
Io GES	Perforazione del portello corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C			400	NA
r Gint	Resistenza al cancello interno atteggiamento			1.0		Ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		12.9		NF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		0.82		NF
Q g	Importo della porta	V GE - Sì. 15…+15V		2.05		μC
t D (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, r g =5.1Ω,V GE =± 15V, t j = 25 O C		373		NS
t r	Tempo di risalita			104		NS
t D (OFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			459		NS
t F	Tempo di caduta			168		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			12.9		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			17.1		mJ
t D (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, r g =5.1Ω,V GE =± 15V, t j = 125O C		373		NS
t r	Tempo di risalita			105		NS
t D (OFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			475		NS
t F	Tempo di caduta			197		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			17.4		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			23.7		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤ 10 μs,V GE = 15V, t j = 125 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		1500		A

Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io C =200A,V GE =0V,T j = 25 O C		1.65	2.05	V
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io C =200A,V GE =0V,T j = 125 O C		1.65		V
Q r	Ricostruito carica	V r = 600V,I F =200A, -di⁄dt=2300A⁄μs,V GE - Sì. 15V t j = 25 O C		17.7		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			145		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			8.1		mJ
Q r	Ricostruito carica	V r = 600V,I F =200A, -di⁄dt=2300A⁄μs,V GE - Sì. 15V t j = 125 O C		34.0		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			190		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			16.7		mJ

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	unità
L CE	Induttanza di deflusso			22	nH
r CC+EE	Resistenza di contatto del modulo e, Terminale a Chip		0.65		mΩ
r ilJC	Connessione con il caso (per IGB) T) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)			0.108 0.230	C/W
r thCH	Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)		0.135 0.288 0.046		C/W
m	Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
g	Peso di Modulo		200		g