1200V 1600A
Breve introduzione
modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 1600A.
Caratteristiche
Basso V CE (sat) Tecnologia SPT+ IGBT
10 μs capacità di cortocircuito
V CE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Induttanza bassa Caso
Rapido FWD a recupero inverso morbido antiparallelo
Copper ba isolato seplate utilizzando la tecnologia DBC
Tipico Applicazioni
Invertitore AC Azionamenti
Potenza di commutazione fornisce
Saldatrici elettroniche
Valori di rating massimi assoluti t C = 25 ℃ se non altrimenti - Ted.
Il simbolo | Descrizione | GD1600SGL120C3S | Unità |
V CES | Tensione tra collettore ed emittente | 1200 | V |
V GES | Tensione del portatore-emittente | ± 20 | V |
Io C | @ T C = 25 ℃ @ T C = 80 ℃ | 2500 | A |
1600 | |||
Io CM(1) | Corrente Collettore a Impulso t P = 1 millisecondo | 3200 | A |
Io F | Diodo di corrente continua in avanti | 1600 | A |
Io FM | Corrente di diodo massima in avanti | 3200 | A |
P D | Potenza massima Dissipazione @ t j = 150 ℃ | 8.3 | kw |
t SC | Cortocircuito resistenza al tempo @ T j = 125 ℃ | 10 | μs |
t j | Temperatura massima di giunzione | 150 | ℃ |
t STG | Intervallo di temperatura di conservazione | - Da 40 a +125 | ℃ |
Io 2Valore t, diodo | V r =0V,t=10ms,T j = 125 ℃ | 300 | kA 2s |
V ISO | Il tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min | 2500 | V |
Montaggio Coppia | Terminale di alimentazione Vite:M4 Terminale di alimentazione Vite:M8 | 1.8 a 2.1 8.0 a 10 | N.M |
Montaggio Fabbricazione di apparecchiature per la trasmissione di dati | 4.25 a 5.75 | N.M |
Caratteristiche elettriche di IGBT t C = 25 ℃ se non diversamente indicato
Non caratteristiche
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
BV CES | Collettore-emittente Tensione di Rottura | t j = 25 ℃ | 1200 |
|
| V |
Io CES | Collettore Taglio -OFF corrente | V CE =V CES V GE =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 5.0 | mA |
Io GES | Perforazione del portello corrente | V GE =V GES V CE =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 400 | NA |
Sulle caratteristiche
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
V GE (th) | Limita di emissione della porta Tensione | Io C = 64mA,V CE =V GE , t j = 25 ℃ | 5.0 | 6.2 | 7.0 | V |
V CE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione | Io C = 1600A,V GE = 15V, t j = 25 ℃ |
| 1.8 |
|
V |
Io C = 1600A,V GE = 15V, t j = 125 ℃ |
| 2.0 |
|
Cambiare carattere di estetica
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
Q GE | Importo della porta | V GE =-15...+15V |
| 16.8 |
| μC |
t D (in) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C =1600A, r g =0.82Ω, V GE =± 15V,T j = 25 ℃ |
| 225 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 105 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 1100 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 100 |
| NS | |
e ON | Accendere Perdite di cambio |
| 148 |
| mJ | |
e OFF | Perdita di Commutazione di Spegnimento |
| 186 |
| mJ | |
t D (in) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C =1600A, r g =0.82Ω, V GE =± 15V,T j = 125 ℃ |
| 235 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 105 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 1160 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 105 |
| NS | |
e ON | Accendere Perdite di cambio |
| 206 |
| mJ | |
e OFF | Perdita di Commutazione di Spegnimento |
| 239 |
| mJ | |
C ies | Capacità di ingresso |
V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V |
| 119 |
| NF |
C - Non | Capacità di uscita |
| 8.32 |
| NF | |
C res | Trasferimento inverso Capacità |
| 5.44 |
| NF | |
Io SC |
Dati SC | t s C ≤ 10 μs,V GE = 15V, t j = 125 ℃ , V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V |
|
7000 |
|
A |
r Gint | Resis interna della porta - Sotto il mio nome. |
|
| 0.1 |
| Ω |
L CE | Induttanza di deflusso |
|
| 12 |
| nH |
r CC + EE ’ | Resistenza di Contatto del Modulo nce, Terminal a chip | t C = 25 ℃ |
| 0.19 |
| m Ω |
Elettrico Caratteristiche di Diodo t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità | |
V F | Diodo di avanzamento Tensione | Io F =1600A | t j = 25 ℃ |
| 2.1 |
| V |
t j = 125 ℃ |
| 2.2 |
| ||||
Q r | Importo recuperato |
Io F =1600A, V r = 600V, di/dt=-7500A/μs, V GE = 15V | t j = 25 ℃ |
| 73 |
| μC |
t j = 125 ℃ |
| 175 |
| ||||
Io RM | Verso il picco inverso corrente di recupero | t j = 25 ℃ |
| 510 |
| A | |
t j = 125 ℃ |
| 790 |
| ||||
e Ricerca | Ritorno al recupero energia | t j = 25 ℃ |
| 17 |
| mJ | |
t j = 125 ℃ |
| 46 |
| ||||
Caratteristiche termiche
Il simbolo | Parametro | Tipo. | Max. | Unità |
r θJC | Fabbricazione di dispositivi di controllo della velocità Modulo) |
| 15 | K/kW |
r θJC | Fabbricazione di apparecchiature per la produzione di energia elettrica odulo) |
| 26 | K/kW |
r θCS | Cassa-sink (Applicata grassa conduttiva, Modulo r) | 6 |
| K/kW |
Peso | Peso di Modulo | 1500 |
| g |
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