Modulo IGBT 1200V

Il simbolo

Descrizione

GD1600SGL120C3S

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

±20

v

Ic

@ Tc= 25°C

@ Tc= 80°C

2500

a)

1600

ICM(1)

Corrente del collettore pulsato tp= 1 millisecondo

3200

a)

If

Diodo di corrente continua in avanti

1600

a)

IFm

Corrente di diodo massima in avanti

3200

a)

pd

Potenza massima Dissipazione @tj= 150°C

8.3

kW

tsc

Cortocircuito resistenza al tempo @ Tj= 125°C

10

μs

tj

Temperatura massima di giunzione

150

°C

tSTG

intervallo di temperatura di conservazione

- Da 40 a +125

°C

I2Valore t, diodo

vr=0V,t=10ms,Tj= 125°C

300

ca2s

viso

Il tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

montamento

coppia

Terminale di alimentazione Vite:M4

Terminale di alimentazione Vite:M8

1.8 a 2.1

8.0 a 10

n.m.

montamento Fabbricazione di apparecchiature per la trasmissione di dati

4.25 a 5.75

n.m.

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

bv CES

Collettore-emittente

tensione di rottura

tj= 25°C

1200

v

ICES

Collettore tagliato- Non lo so.spento corrente

v- -=VCESVGE=0V, tj= 25°C

5.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello

corrente

vGE=VGESV- -=0V, tj= 25°C

400

- No

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vGE (th)

Limita di emissione della porta

tensione

Ic= 64mA,V- -=VGE- Sì. tj= 25°C

5.0

6.2

7.0

v

vCE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Ic= 1600A,VGE= 15V, tj= 25°C

1.8

v

Ic= 1600A,VGE= 15V, tj= 125°C

2.0

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

QGE

Importo della porta

vGE=-15...+15V

16.8

μC

tD (in)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic=1600A, 

rg=0.82Ω,

vGE=±15V,Tj= 25°C

225

NS

tr

Tempo di risalita

105

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

1100

NS

tf

Tempo di caduta

100

NS

esu

Accendere Perdite di cambio

148

mj

espento

Perdita di Commutazione di Spegnimento

186

mj

tD (in)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic=1600A, 

rg=0.82Ω,

vGE=±15V,Tj= 125°C

235

NS

tr

Tempo di risalita

105

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

1160

NS

tf

Tempo di caduta

105

NS

esu

Accendere Perdite di cambio

206

mj

espento

Perdita di Commutazione di Spegnimento

239

mj

c- Non

Capacità di ingresso

v- -= 25V, f=1MHz,

vGE=0V

119

NF

c- Non

Capacità di uscita

8.32

NF

cres

Trasferimento inverso

Capacità

5.44

NF

Isc

Dati SC

tsc≤10 μs,VGE= 15V,- Non lo so.

tj= 125°C- Sì.

v- Cc= 900V, vCEM ≤1200 V

7000

a)

rGint

Resis interna della porta- Sotto il mio nome.

0.1

Oh

- Io...- -

Induttanza di deflusso

12

- Non lo so.

r- Cc+EE'

Resistenza di Contatto del Modulonce, Terminal a chip

tc= 25°C

0.19

mOh

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vf

Diodo di avanzamento

tensione

If=1600A

tj= 25°C

2.1

v

tj= 125°C

2.2

Qr

Importo recuperato

If=1600A,

vr= 600V,

di/dt=-7500A/μs, vGE= 15V

tj= 25°C

73

μC

tj= 125°C

175

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

tj= 25°C

510

a)

tj= 125°C

790

eRicerca

Ritorno al recupero energia

tj= 25°C

17

mj

tj= 125°C

46

Il simbolo

parametro

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

rθJC

Fabbricazione di dispositivi di controllo della velocitàmodulo)

15

K/kW

rθJC

Fabbricazione di apparecchiature per la produzione di energia elettricaodulo)

26

K/kW

rθCS

Cassa-sink

(Applicata grassa conduttiva,Modulo r)

6

K/kW

peso

Peso di modulo

1500

g