Modulo IGBT 1200V

Il simbolo

Descrizione

GD1200HFT120C3S

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

±20

v

Ic

@ Tc= 25°C

@ Tc= 80°C

1800

a)

1200

Icm(1)

Corrente del collettore pulsato tp= 1 millisecondo

2400

a)

If

Diodo di corrente continua in avanti

1200

a)

IFm

Diodo Cur massima in avantiaffitto

2400

a)

pd

Dissipazione massima di potenza    @ Tj= 150°C

5.2

kW

tj

Temperatura massima di giunzione

150

°C

tSTG

intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

°C

viso

Il tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

montamento

Terminale di segnale Vite:M4

Terminale di alimentazione Vite:M8

1.8 a 2.1

8.0 a 10

n.m.

coppia

montamento Fabbricazione di apparecchiature per la trasmissione di dati

4.25 a 5.75

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

v(br)CES

Collettore-emittente

tensione di rottura

tj= 25°C

1200

v

ICES

Collettore tagliato- Non lo so.spento corrente

v- -=vCES- Sì.vGE=0V, 

tj= 25°C

5.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello

corrente

vGE=vGES- Sì.v- -=0V, 

tj= 25°C

400

- No

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vGE(- La)

Limita di emissione della porta

tensione

Ic= 48- Mamma!- Sì.v- -=vGE- Sì. tj= 25°C

5.0

5.8

6.5

v

vCE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Ic= 1200A,VGE= 15V, tj= 25°C

1.70

2.15

v

Ic= 1200A,VGE= 15V, tj= 125°C

2.00

2.45

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

Qg

Importo della porta

vGE- Sì. 15…+15V

11.5

μC

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic= 1200A, 

rGon=2.4Ω,

rGoff=0.82Ω,

vGE=±15V,Tj= 25°C

600

NS

tr

Tempo di risalita

230

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

820

NS

tf

Tempo di caduta

150

NS

esu

Accendere Perdite di cambio

- Sì.

mj

espento

Perdita di Commutazione di Spegnimento

- Sì.

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic= 1200A, 

rGon=2.4Ω,

rGoff=0.82Ω,

vGE=±15V,Tj= 125°C

660

NS

tr

Tempo di risalita

220

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

960

NS

tf

Tempo di caduta

180

NS

esu

Accendere Perdite di cambio

246

mj

espento

Perdita di Commutazione di Spegnimento

191

mj

c- Non

Capacità di ingresso

v- -= 25V, f=1MHz,

vGE=0V

86.1

NF

c- Non

Capacità di uscita

4.50

NF

cres

Trasferimento inverso

Capacità

3.90

NF

Isc

Dati SC

tsc≤10 μs,VGE= 15V,  tj= 125°CV- Cc= 900V, 

vCEM≤1200 V

4800

a)

- Io...- -

Induttanza di deflusso

20

- Non lo so.

r- Cc+EE '

Resistenza di contatto del moduloe, Terminal a chip

tc= 25°C

0.18

mOh

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vf

Diodo di avanzamento

tensione

If= 1200a

tj= 25°C

1.65

2.15

v

tj= 125°C

1.65

2.15

Qr

Diodo inverso

tassa di recupero

If= 1200A,

vr= 600V,

rGon=2.4Ω,

vGE- Sì. 15 V

tj= 25°C

69

μC

tj= 125°C

129

IRM

Pico di diodo

Ritorno al recupero corrente

tj= 25°C

485

a)

tj= 125°C

623

eRicerca

Ritorno al recupero energia

tj= 25°C

32

mj

tj= 125°C

60

Il simbolo

parametro

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

rθJC

Connessione con il caso (per IGB)T)

24

K/kW

rθJC

Giunzione-a-Cassa (per Diodo)

43

K/kW

rθcss

Cassa-sink

(Grasso conduttivo applicato, permodulo)

6

K/kW

peso

Peso di modulo

1500

g