Modulo IGBT 1200V

Il simbolo

Descrizione

Valori

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io CN

Collettore Cu implementato Renta

1000

A

Io C

Corrente del collettore @ T F =75 O C

765

A

Io CRM

Ripetitiva Pico Collettore corrente tp limitata Di t vjop

2000

A

P D

Massima dissipazione di potenza ation @ t F =75 O C ,t j = 175 O C

1515

W

Il simbolo

Descrizione

Valori

unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo Età

1200

V

Io FN

Collettore Cu implementato Renta

1000

A

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu Renta

765

A

Io MF

Ripetitiva Pico In avanti corrente tp limitata Di t vjop

2000

A

Io FSM

Corrente di Surge in Avanti t P =10ms @ T Vj = 25O C @ T Vj = 150 O C

4100

3000

A

Io 2t

Io 2t- valore ,t P =10 MS @ t Vj = 25 O C @ T Vj = 150 O C

84000

45000

A 2s

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

t jmax

Temperatura massima di giunzione

175

O C

t vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

O C

t STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

O C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =1000A,V GE = 15V, t Vj = 25 O C

1.45

1.90

V

Io C =1000A,V GE = 15V, t Vj = 125 O C

1.65

Io C =1000A,V GE = 15V, t Vj = 175 O C

1.80

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 24,0 mA ,V CE = V GE , t Vj = 25 O C

5.5

6.3

7.0

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj = 25 O C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj = 25 O C

400

NA

r Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

0.5

Ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V

51.5

NF

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.36

NF

Q g

Importo della porta

V GE =-15...+15V

13.6

μC

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 900A,

r g = 0,51Ω, L s = 40nH, V GE =-8V/+15V,

t Vj = 25 O C

330

NS

t r

Tempo di risalita

140

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

842

NS

t F

Tempo di caduta

84

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

144

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

87.8

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 900A,

r g = 0,51Ω, L s = 40nH, V GE =-8V/+15V,

t Vj = 125 O C

373

NS

t r

Tempo di risalita

155

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

915

NS

t F

Tempo di caduta

135

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

186

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

104

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 900A,

r g = 0,51Ω, L s = 40nH, V GE =-8V/+15V,

t Vj = 175 O C

390

NS

t r

Tempo di risalita

172

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

950

NS

t F

Tempo di caduta

162

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

209

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

114

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 8 μs,V GE = 15V,

t Vj = 150 O C,V CC = 800V,

V CEM ≤ 1200V

3200

A

t P ≤ 6 μs,V GE = 15V,

t Vj = 175 O C,V CC = 800V,

V CEM ≤ 1200V

3000

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =1000A,V GE =0V,T Vj = 25 O C

1.60

2.05

V

Io F =1000A,V GE =0V,T Vj = 125 O C

1.70

Io F =1000A,V GE =0V,T Vj = 175 O C

1.60

Q r

Importo recuperato

V r = 600V,I F = 900A,

- di/dt=4930A/μs,V GE = 8V, L s = 40 nH ,t Vj = 25 O C

91.0

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

441

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

26.3

mJ

Q r

Importo recuperato

V r = 600V,I F = 900A,

- di/dt=4440A/μs,V GE = 8V, L s = 40 nH ,

t Vj = 125 O C

141

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

493

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

42.5

mJ

Q r

Importo recuperato

V r = 600V,I F = 900A,

- di/dt=4160A/μs,V GE = 8V, L s = 40 nH ,

t Vj = 175 O C

174

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

536

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

52.4

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

r 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di r 100

t C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Potenza

dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

r 2=R 25Esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

Valore B

r 2=R 25Esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

Valore B

r 2=R 25Esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

r CC + EE ’

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.80

mΩ

r thJF

Giunti -To -Raffreddamento Fluid (perIGBT )Giunzione-a-Fluido di Raffreddamento (per D iodio) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,t F =75 O C

0.066 0.092

C/W

m

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vattone M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

g

Peso di Modulo

400

g

P

Massima pressione in circuito di raffreddamento

3

bar

∆p

Caduta di Pressione Circuito di Raffreddamento cuo

∆V/∆t=10.0dm 3/min;T F = 25 O C;Raffreddamento Fluido=50% Acqua/50% Glicole Etilenico

47

mbar