Modulo IGBT 1200V

Il simbolo

Descrizione

valori

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

± 20

v

ICN

Collettore Cu implementatoRenta

1000

a)

Ic

Corrente del collettore @ Tf=75oc

765

a)

ICRM

Ripetitiva Pico Collettore corrente TP limitato da tvjop

2000

a)

pd

Massima dissipazione di potenza- di @tf=75oc- Sì.tj= 175oc

1515

- Sì

Il simbolo

Descrizione

valori

unità

vRRM

Volt inverso di picco ripetitivoetà

1200

v

IFn

Collettore Cu implementatoRenta

1000

a)

If

Diode Corrente continua in avanti CuRenta

765

a)

IMF

Ripetitiva Pico In avanti corrente TP limitato da tvjop

2000

a)

IFSM

Corrente di avanzamento di pressione tp= 10 ms @ TVj=25oc   @ TVj= 150oc

4100

3000

a)

I2t

I2t-valore- Sì.tp= 10ms@tVj= 25oC  @ TVj= 150oc

84000

45000

a)2s

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

tjmax

Temperatura massima di giunzione

175

oc

tvjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

oc

tSTG

intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

oc

viso

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vCE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Ic=1000A,VGE= 15V, tVj= 25oc

1.45

1.90

v

Ic=1000A,VGE= 15V, tVj= 125oc

1.65

Ic=1000A,VGE= 15V, tVj= 175oc

1.80

vGE(- La)

Limita di emissione della porta tensione

Ic= 24,0- Mamma!- Sì.v- -=vGE- Sì. tVj= 25oc

5.5

6.3

7.0

v

ICES

Collettore tagliato- Non lo so.spentocorrente

v- -=vCES- Sì.vGE=0V, tVj= 25oc

1.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello corrente

vGE=vGES- Sì.v- -=0V,tVj= 25oc

400

- No

rGint

Resistenza al cancello internoatteggiamento

0.5

Oh

c- Non

Capacità di ingresso

v- -= 25V, f=100 kHz, vGE=0V

51.5

NF

cres

Trasferimento inverso Capacità

0.36

NF

Qg

Importo della porta

vGE=-15...+15V

13.6

μC

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic= 900A,- Non lo so.

rg= 0,51Ω, Ls= 40nH, vGE=-8V/+15V,

tVj= 25oc

330

NS

tr

Tempo di risalita

140

NS

td ((off)

Disattivamento tempo di ritardo

842

NS

tf

Tempo di caduta

84

NS

esu

Accendere di passaggio perdita

144

mj

espento

Sconto di accensione perdita

87.8

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic= 900A,- Non lo so.

rg= 0,51Ω, Ls= 40nH, vGE=-8V/+15V,

tVj= 125oc

373

NS

tr

Tempo di risalita

155

NS

td ((off)

Disattivamento tempo di ritardo

915

NS

tf

Tempo di caduta

135

NS

esu

Accendere di passaggio perdita

186

mj

espento

Sconto di accensione perdita

104

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic= 900A,- Non lo so.

rg= 0,51Ω, Ls= 40nH, vGE=-8V/+15V,

tVj= 175oc

390

NS

tr

Tempo di risalita

172

NS

td ((off)

Disattivamento tempo di ritardo

950

NS

tf

Tempo di caduta

162

NS

esu

Accendere di passaggio perdita

209

mj

espento

Sconto di accensione perdita

114

mj

Isc

Dati SC

tp≤ 8 μs,VGE= 15V,

tVj= 150oC,V- Cc= 800V, 

vCEM ≤1200 V

3200

a)

tp≤ 6 μs,VGE= 15V,

tVj= 175oC,V- Cc= 800V, 

vCEM ≤1200 V

3000

a)

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vf

Diodo di avanzamento tensione

If=1000A,VGE=0V,TVj= 25oc

1.60

2.05

v

If=1000A,VGE=0V,TVj= 125oc

1.70

If=1000A,VGE=0V,TVj= 175oc

1.60

Qr

Importo recuperato

vr= 600V,If= 900A,

- di/dt=4930A/μs,VGE= 8V,- Io...s= 40- Non lo so.- Sì.tVj= 25oc

91.0

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

441

a)

eRicerca

Ritorno al recupero energia

26.3

mj

Qr

Importo recuperato

vr= 600V,If= 900A,

- di/dt=4440A/μs,VGE= 8V,- Io...s= 40- Non lo so.- Sì.

tVj= 125oc

141

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

493

a)

eRicerca

Ritorno al recupero energia

42.5

mj

Qr

Importo recuperato

vr= 600V,If= 900A,

- di/dt=4160A/μs,VGE= 8V,- Io...s= 40- Non lo so.- Sì.

tVj= 175oc

174

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

536

a)

eRicerca

Ritorno al recupero energia

52.4

mj

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

r25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di r100

tc= 100 oc,R100=493.3Ω

-5

5

%

p25

potenza

dissolvimento

20.0

m

b25/50

Valore B

r2=R25Esp[B25/50(1/T2- Non lo so. 1/(298.15K))]

3375

k

b25/80

Valore B

r2=R25Esp[B25/80(1/T2- Non lo so. 1/(298.15K))]

3411

k

b25/100

Valore B

r2=R25Esp[B25/100(1/T2- Non lo so. 1/(298.15K))]

3433

k

Il simbolo

parametro

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

- Io...- -

Induttanza di deflusso

20

- Non lo so.

r- Cc+EE '

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.80

mΩ

rthJF

Giunti- Non lo so.a- Non lo so.raffreddamento Fluid(perIGBT)Giunzione-a-Fluido di Raffreddamento (per Diodio) △V/△t=10.0dm3- Sì.Min- Sì.tf=75oc

0.066 0.092

C/W

m

Torsione di connessione terminale, per il rivestimento di macchine Torsione di montaggio Vattone M5

3.0 3.0

6.0 6.0

n.m.

g

peso di modulo

400

g

p

Massima pressione in circuito di raffreddamento

3

bar

∆p

Caduta di Pressione Circuito di Raffreddamentocuo

∆V/∆t=10.0dm3/min;Tf= 25oC;Raffreddamento- Non lo so.Fluido=50% Acqua/50% Glicole Etilenico

47

mbar