Schnelle Erholungsdiode

I _T(AV)

1208Ein

v _RRM

2200V 2500V

2800V 3000V

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj( ℃ )

Wert

Einheit

Min

Typ

Max

IF(AV)

Mittlerer Vorwärtsstrom

180° Halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt,

TC=85 ℃

150

1208

Ein

VRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

tp=10ms

150

2100

3000

v

IRRM

Wiederholender Spitzenstrom

bei V _RRM

150

100

mA

IFSM

Überspannungsstrom

10ms Halbwelle VR=0.6V _RRM

150

16

kA

1 t

I2t für Fusionskoordination

1280

Ein ²s*10 ³

VFO

Schwellenspannung

150

1.62

v

rF

Vorwärtssteigungswiderstand

0.36

mΩ

VFM

Spitzenvorwärtsspannung

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

25

2.80

v

IRM

Rückwärts-Rückgewinnungsstrom

Die in Absatz 1 genannten Leistungen sind für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel

150

166

Ein

trr

Rückwärts-Rückgewinnungszeit

7

μs

Qrr

Einziehungsgebühr

500

650

μC

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Bei 180 ° Sinus, doppelseitig gekühlte Klemmkraft 24kN

0.020

℃ /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

0.005

FM

Montagekraft

19

26

kN

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

150

℃

Tstg

Lagertemperatur

-40

160

℃

Wt

Gewicht

440

g

Gliederung

ZT50cT