1200V 900A
Kurze Einführung
IGBT-Modul, hergestellt von STARPOWER. 1200V 900A.
Merkmale
Typisch Anwendungen
Absolut Maximum Kennwerte tC=25OC es sei denn sonstige angegeben
IGBT
Symbol | Beschreibung | Werte | Einheit |
vCES | Spannung zwischen Kollektor und Emitter | 1200 | v |
vGES | Spannung des Tor-Emitters | ±20 | v |
IC | Kollektorstrom @ TC=90OC | 900 | Ein |
ICM | Pulsierter Kollektorstrom tP=1ms | 1800 | Ein |
PD | Maximalleistung Ablösung @ Tj=175OC | 3409 | W |
Diode
Symbol | Beschreibung | Werte | Einheit |
vRRM | Wiederholte SpitzenrückwärtsvoltAlter | 1200 | v |
IF | Diode kontinuierlich vorwärtsrent | 900 | Ein |
IFM | Diodenmaximaler Vorwärtsstrom tP=1ms | 1800 | Ein |
IFSM | Überspannungs-Vorwärtsstrom tP= 10 ms @tj=25OC @ Tj=150OC | 4100 3000 | Ein |
I2t | I2t-Wert,tP=10ms @ Tj=25OC @ Tj=150OC | 84000 45000 | Ein2s |
Modul
Symbol | Beschreibung | Wert | Einheit |
tjmax | Maximale Junction-Temperatur | 175 | OC |
t- Was ist los? | Betriebstemperatur der Sperrschicht | -40 bis +150 | OC |
tstg | Lagerungstemperaturbereich | -40 bis +125 | OC |
vISO | Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min | 2500 | v |
IGBT Eigenschaften tC=25OC es sei denn sonstige angegeben
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheit |
vCE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung | IC=900A,VGE=15V, tj=25OC |
| 1.40 | 1.85 |
v |
IC=900A,VGE=15V, tj=125OC |
| 1.60 |
| |||
IC=900A,VGE=15V, tj=175OC |
| 1.65 |
| |||
vGE(th) | Gate-Emitter-Schwelle Spannung | IC=24.0mA,vCE=vGE, tj=25OC | 5.5 | 6.3 | 7.0 | v |
ICES | Sammler Schnitt-aus Aktuell | vCE=vCES,vGE=0V, tj=25OC |
|
| 1.0 | mA |
IGES | Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell | vGE=vGES,vCE=0V,tj=25OC |
|
| 400 | NA |
rGint | Interner Gate-Widerstand |
|
| 0.5 |
| Ω |
Cies | Eingangskapazität | vCE=25V,f=100kHz, vGE=0V |
| 51.5 |
| NF |
Cres | Rückübertragungs- Kapazität |
| 0.36 |
| NF | |
Qg | Gate-Ladung | vGE=- 15…+15V |
| 13.6 |
| μC |
tD(auf) | Verzögerungszeit der Einleitung |
vCC=600V,IC=900A,rg=0.51Ω, Ls=40nH, vGE=-8V/+15V, tj=25OC |
| 330 |
| NS |
tr | Aufstiegszeit |
| 140 |
| NS | |
td ((aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 842 |
| NS | |
tF | Herbstzeit |
| 84 |
| NS | |
eauf | Einschalten Schaltvorgang Verlust |
| 144 |
| mJ | |
eaus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 87.8 |
| mJ | |
tD(auf) | Verzögerungszeit der Einleitung |
vCC=600V,IC=900A,rg=0.51Ω, Ls=40nH, vGE=-8V/+15V, tj=125OC |
| 373 |
| NS |
tr | Aufstiegszeit |
| 155 |
| NS | |
td ((aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 915 |
| NS | |
tF | Herbstzeit |
| 135 |
| NS | |
eauf | Einschalten Schaltvorgang Verlust |
| 186 |
| mJ | |
eaus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 104 |
| mJ | |
tD(auf) | Verzögerungszeit der Einleitung |
vCC=600V,IC=900A,rg=0.51Ω, Ls=40nH, vGE=-8V/+15V, tj=175OC |
| 390 |
| NS |
tr | Aufstiegszeit |
| 172 |
| NS | |
td ((aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 950 |
| NS | |
tF | Herbstzeit |
| 162 |
| NS | |
eauf | Einschalten Schaltvorgang Verlust |
| 209 |
| mJ | |
eaus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 114 |
| mJ | |
ISC |
SC-Daten | tP≤8μs,VGE=15V, tj=150OC,VCC=800V, vCEM ≤1200V |
|
3200 |
|
Ein |
tP≤6μs,VGE=15V, tj=175OC,VCC=800V, vCEM ≤1200V |
|
3000 |
|
Ein |
Diode Eigenschaften tC=25OC es sei denn sonstige angegeben
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheiten |
vF | Diodenvorwärts Spannung | IF=900A,VGE=0V,Tj=25OC |
| 1.55 | 2.00 |
v |
IF=900A,VGE=0V,Tj=125OC |
| 1.65 |
| |||
IF=900A,VGE=0V,Tj=175OC |
| 1.55 |
| |||
Qr | Wiederhergestellte Ladung |
vr=600V,IF=900A, -di/dt=4930A/μs,VGE=-8V,Ls=40nH,tj=25OC |
| 91.0 |
| μC |
IRM | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 441 |
| Ein | |
eErklärungen | Rückwärtswiederherstellung Energie |
| 26.3 |
| mJ | |
Qr | Wiederhergestellte Ladung |
vr=600V,IF=900A, -di/dt=4440A/μs,VGE=-8V,Ls=40nH,tj=125OC |
| 141 |
| μC |
IRM | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 493 |
| Ein | |
eErklärungen | Rückwärtswiederherstellung Energie |
| 42.5 |
| mJ | |
Qr | Wiederhergestellte Ladung |
vr=600V,IF=900A, -di/dt=4160A/μs,VGE=-8V,Ls=40nH,tj=175OC |
| 174 |
| μC |
IRM | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 536 |
| Ein | |
eErklärungen | Rückwärtswiederherstellung Energie |
| 52.4 |
| mJ |
NTC Eigenschaften tC=25OC es sei denn sonstige angegeben
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheit |
r25 | Nennwiderstand |
|
| 5.0 |
| kΩ |
∆R/R | Abweichung von r100 | tC=100 OC,R100=493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
P25 | Leistung Abgabe |
|
|
| 20.0 | mW |
B25/50 | B-Wert | r2=R25exp[B25/50(1/T2- 1/(298.15K))] |
| 3375 |
| K |
B25/80 | B-Wert | r2=R25exp[B25/80(1/T2- 1/(298.15K))] |
| 3411 |
| K |
B25/100 | B-Wert | r2=R25exp[B25/100(1/T2- 1/(298.15K))] |
| 3433 |
| K |
Modul Eigenschaften tC=25OC es sei denn sonstige angegeben
Symbol | Parameter | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheit |
LCE | Streuinduktivität |
| 20 |
| nH |
rCC’+EE’ | Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip |
| 0.80 |
| mΩ |
rthJC | Junction-to-Case (pro IGBT) Junction-to-Case (pro Diode) |
|
| 0.044 0.076 | K/W |
rthCH | Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro(g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe)r Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (proModul) |
| 0.028 0.049 0.009 |
| K/W |
m | Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5 | 3.0 3.0 |
| 6.0 6.0 | N.M |
g | Gewicht von Modul |
| 350 |
| g |
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