1200V 1200A
Kurze Einführung
IGBT-Modul, hergestellt von STARPOWER. 1200V 1200A.
Merkmale
Typisch Anwendungen
Absolut Maximum Kennwerte tC=25℃ es sei denn sonstige angegeben
Symbol | Beschreibung | Die GD1200SGT120A3S | Einheiten |
vCES | Spannung zwischen Kollektor und Emitter | 1200 | v |
vGES | Spannung des Tor-Emitters | ±20 | v |
IC | Kollektorstrom @tC=25℃ @ TC=80℃ | 2100 1200 | Ein |
ICM | Pulsierter Kollektorstrom tP=1ms | 2400 | Ein |
IF | Diode kontinuierlich vorwärtsrent | 1200 | Ein |
IFM | Diodenmaximaler Vorwärtsstrom tP=1ms | 2400 | Ein |
PD | Maximalleistung Ablösung @ Tj=175℃ | 7.61 | kW |
tjmax | Maximale Junction-Temperatur | 175 | ℃ |
tstg | LagerungstemperaturReichweite | -40 bis +125 | ℃ |
vISO | Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1Min | 2500 | v |
Montage Drehmoment | Signalterminal-Schraube:M4 | 1.8 bis 2.1 |
|
Leistungsanschluss-Schraube:M8 | 8.0 bis 10 | N.M | |
Montageschraube:M6 | 4.25 bis 5.75 |
|
Elektrische Eigenschaften von IGBT tC=25℃ es sei denn sonstige angegeben
Ausschaltmerkmale
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheiten |
v(BR)CES | Kollektor-Emitter Durchschlagsspannung | tj=25℃ | 1200 |
|
| v |
ICES | Sammler Schnitt-aus Aktuell | vCE=vCES,vGE=0V,tj=25℃ |
|
| 5.0 | mA |
IGES | Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell | vGE=vGES,vCE=0V, tj=25℃ |
|
| 400 | NA |
Einschaltmerkmale
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheiten |
vGE(th) | Gate-Emitter-Schwelle Spannung | IC=48mA,vCE=vGE, tj=25℃ | 5.0 | 5.8 | 6.5 | v |
vCE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung | IC= 1200A,VGE=15V, tj=25℃ |
| 1.70 | 2.15 |
v |
IC= 1200A,VGE=15V, tj=125℃ |
| 2.00 |
|
Schaltmerkmale
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheiten |
tD(auf) | Verzögerungszeit der Einleitung |
vCC=600V,IC=1200A, rGon=1.8Ω,rGoff=0.62Ω,vGE=±15V,Tj=25℃ |
| 550 |
| NS |
tr | Aufstiegszeit |
| 230 |
| NS | |
tD(aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 830 |
| NS | |
tF | Herbstzeit |
| 160 |
| NS | |
eauf | Einschalten Schaltvorgang Verlust |
| / |
| mJ | |
eaus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| / |
| mJ | |
tD(auf) | Verzögerungszeit der Einleitung |
vCC=600V,IC= 1200A, rGon= 1.8Ω,RGoff=0.62Ω,vGE=±15V,Tj=125℃ |
| 650 |
| NS |
tr | Aufstiegszeit |
| 240 |
| NS | |
tD(aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 970 |
| NS | |
tF | Herbstzeit |
| 190 |
| NS | |
eauf | Einschalten Schaltvorgang Verlust |
| 246 |
| mJ | |
eaus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 189 |
| mJ | |
Cies | Eingangskapazität | vCE=25V,f=1Mhz, vGE=0V |
| 85.5 |
| NF |
C- Die | Ausgangskapazität |
| 4.48 |
| NF | |
Cres | Rückübertragungs- Kapazität |
| 3.87 |
| NF | |
ISC |
SC-Daten | tP≤ 10 μs, VGE=15 V, tj=125°C, vCC=900V, vCEM≤ 1200 V |
|
4800 |
|
Ein |
rGint | Interner Gate Widerstand |
|
| 1.9 |
| Ω |
LCE | Streuinduktivität |
|
| 15 |
| nH |
rCC’+EE’ | Modul Blei Widerstand, Anschluss zu Chip |
|
|
0.10 |
|
mΩ |
Elektrische Eigenschaften von Diode tC=25℃ es sei denn sonstige angegeben
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheiten | |
vF | Diodenvorwärts Spannung | IF= 1200A | tj=25℃ |
| 1.65 | 2.05 | v |
tj=125℃ |
| 1.65 |
| ||||
Qr | Wiederhergestellt ladevorgang | IF= 1200A, vr=600V, rGon=0.6Ω, vGE=-15V | tj=25℃ |
| 112 |
| μC |
tj=125℃ |
| 224 |
| ||||
IRM | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom | tj=25℃ |
| 850 |
| Ein | |
tj=125℃ |
| 1070 |
| ||||
eErklärungen | RückwärtswiederherstellungEnergie | tj=25℃ |
| 48.0 |
| mJ | |
tj=125℃ |
| 96.0 |
| ||||
Thermische Eigenschaftenics
Symbol | Parameter | - Das ist typisch. | Max. | Einheiten |
rθJC | Junction-to-Case (pro IGBT) |
| 19.7 | K/kW |
rθJC | Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel |
| 31.3 | K/kW |
rθCS | Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung)(Lügen) | 8 |
| K/kW |
Gewicht | Gewicht Modul | 1050 |
| g |
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