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IGBT-Modul 1700V

IGBT-Modul 1700V

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YMIF3600-17,IGBT-Modul,Hohe Strom-IGBT-Modul, Einzel-Schalter IGBT,CRRC

3600V 1700V

Brand:
CRRC
Spu:
YMIF3600-17/TIM3600E2SM17-TSA000
  • Einführung
  • Gliederung
Einführung

Kurze Einführung

IGBT-Modul,HHochstrom-IGBT Modul, Einzelschalter-IGBT-Module, die von CRRC produziert werden. 1700V 3600A.

Merkmale

●SPT+Chip-Set für niedrige Schaltverluste

●Niedriger VCEsat

●Niedrige Treiberleistung

●AlSiC-Basisplatte für hohe Leistungszyklusfähigkeit

●AlN-Substrat für niedrigen thermischen Widerstand

 

TypischAnwendung

●Zugantriebe

●Gleichstromwandler

●Mittelspannungswechselrichter/Wandler

 

Maximale Nennwerte

Parameter

Symbol

Bedingungen

Min

Max

Einheit

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

VCES

VGE =0V,Tvj ≥25°C

 

1700

v

DC Kollektorstrom

IC

TC =80°C

 

3600

Ein

Spitzenstrom des Kollektors

ICM

tp=1ms,Tc=80°C

 

7200

Ein

Spannung des Tor-Emitters

VGES

 

-20

20

v

Gesamtleistungsverlust

Ptot

TC =25°C, pro Schalter (IGBT)

 

17800

W

DC Vorwärtsstrom

IF

 

 

3600

Ein

Spitzen-Vorwärtsstrom

IFRM

TP=1 ms

 

7200

Ein

Stromstoß

IFSM

VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, halbsinusschwingung

 

18000

Ein

IGBT Kurzschluss SOA IGBT

 

tpsc

 

VCC =1200V,VCEMCHIP≤1700V VGE ≤15V,Tvj≤125°C

 

 

10

 

μs

Isolationsspannung

Schnüren

1min, f=50Hz

 

4000

v

Junction-Temperatur

Fernsehen

 

 

175

Junction-Betriebstemperatur

Tvj(op)

 

-50

150

Gehäusetemperatur

TC

 

-50

125

Lagerungstemperatur

Tstg

 

-50

125

Montagedrehmomente

ms

 

4

6

 

Nm

Mt1

 

8

10

Mt2

 

2

3

 

IGBT Charakteristische Werte

Parameter

Symbol

Bedingungen

Min

Typ

Max

Einheit

Kollektor (- Emitter) Durchbruch Spannung

V(BR)CES

VGE =0V,IC=10mA, Tvj=25°C

1700

 

 

v

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung 

 

VCEsat

IC =3600A, VGE =15V

Tvj= 25°C

 

2.5

 

v

Tvj=125°C

 

3.0

 

v

Tvj=150°C

 

3.1

 

v

Kollektorabschaltstrom 

 

ICES

VCE =1700V, VGE =0V

Tvj= 25°C

 

 

10

mA

Tvj=125°C

 

 

100

mA

Tvj=150°C

 

170

 

mA

Durchlässigkeit des Tores 

IGES

VCE =0V,VGE =20V, Tvj =125°C

-500

 

500

NA

Gate-Emitter Schwellenwertspannung 

VGE(th)

IC =240mA,VCE =VGE, Tvj =25°C

5.3

 

7.3

v

Gate-Ladung 

QG

IC =2400A,VCE =900V, VGE =-15V … 15V

 

21.0

 

μC

Eingangskapazität 

Cies

 

 

VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C

 

239

 

 

 

 

NF

Ausgangskapazität 

Coes

 

20.9

 

Rückwärtsübertragungs-Kapazität 

Cres

 

9.24

 

Verzögerungszeit der Einleitung 

 

Die Daten sind nicht verfügbar.

 

 

 

 

 

 

 

 

Die Prüfungen werden in der Regel in einem Zustand durchgeführt, in dem die Prüfungen nicht durch eine andere Verfahren durchgeführt werden. 

Tvj = 25 °C

 

1200

 

 

 

 

NS

Tvj = 125 °C

 

1500

 

Tvj = 150 °C

 

1600

 

Aufstiegszeit 

 

Tr

Tvj = 25 °C

 

1400

 

Tvj = 125 °C

 

1600

 

Tvj = 150 °C

 

1700

 

Verzögerungszeit für die Abschaltung 

 

Td (ausgeschaltet)

Tvj = 25 °C

 

3000

 

 

 

 

NS

Tvj = 125 °C

 

3500

 

Tvj = 150 °C

 

3700

 

Herbstzeit 

 

TF

Tvj = 25 °C

 

500

 

Tvj = 125 °C

 

560

 

Tvj = 150 °C

 

620

 

Energieverlust beim Einschalten 

 

EON

Tvj = 25 °C

 

2700

 

 

mJ

Tvj = 125 °C

 

2900

 

Tvj = 150 °C

 

3200

 

Energieverlust beim Ausschalten 

 

EOFF

Tvj = 25 °C

 

3800

 

 

mJ

Tvj = 125 °C

 

4100

 

Tvj = 150 °C

 

4400

 

Kurzschlussstrom 

ISC

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

 

10000

 

Ein

 

Gliederung

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