IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

Einheiten

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Sammler-Strom @tc=25°C

@ Tc= 100°C

715

450

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp= 1m

900

a)

Ichf

Diode kontinuierlich vorwärtsrent

450

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

900

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ Tj= 175°C

2679

w

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

°C

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

°C

tstg

LagertemperaturBereich

-40 bis +125

°C

vIso

Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min

2500

v

Montage Drehmoment

Schraube für die Antriebsspitze:M5

Montageschraube:M6

2,5 bis 5.0

3,0 bis 5.0

n.m.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

v(Br)CES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

tj=25°C

1200

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,tj=25°C

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V, tj=25°C

400

- Nein.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc= 18,0- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25°C

5.0

5.8

7.0

v

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc= 450 A, VGE=15V, tj=25°C

2.00

2.45

v

Ichc= 450 A, VGE=15V, tj=125°C

2.20

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 450 A,- Ich weiß.RG= 2,2Ω,

vGE=±15V, tj=25°C

220

NS

tR

Aufstiegszeit

68

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

475

NS

tf

Herbstzeit

55

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

48.0

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

28.2

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 450 A,- Ich weiß.RG= 2,2Ω,

vGE=±15V, tj=125°C

250

NS

tR

Aufstiegszeit

72

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

530

NS

tf

Herbstzeit

80

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

66.0

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

45.0

m

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

31.8

NF

c- Die

Ausgangskapazität

2.13

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

1.41

NF

IchSc

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE=15 v,

tj=125°C,vCc=900V, vCEM≤ 1200 V

1950

a)

QG

Gate-Ladung

vCc=600V,Ic= 450 A, vGE=-15 - Ich...+15V

4.59

μC

RGint

Interner Gate-Widerstand

0.7

Oh

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCC’+EE’

Modul Blei

Widerstand,

Anschluss zu Chip

0.35

mΩ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf= 450 A

vGE=0V

tj=25°C

1.72

2.12

v

tj=125°C

1.73

QR

Wiederhergestellt

Gebühr

Ichf= 450 A,

vR=600V,

RG= 2,2Ω,

vGE=-15V

tj=25°C

36.2

μC

tj=125°C

78.1

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

tj=25°C

234

a)

tj=125°C

314

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

tj=25°C

19.1

m

tj=125°C

36.3

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

RθJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

0.056

K/W

RθJC

Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel

0.107

K/W

Rθcss

Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung)(Lügen)

0.035

K/W

Gewicht

Gewicht- Das ist nicht wahr.Modul

300

G