IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

Einheiten

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ t C =25 ℃

@ T C = 100℃

715

450

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1 ms

900

Ein

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

450

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

900

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =1 75℃

2679

W

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

℃

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

℃

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40 bis +125

℃

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

v

Montage Drehmoment

Schraube für die Antriebsspitze:M5

Montageschraube:M6

2,5 bis 5.0

3,0 bis 5.0

N.M

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v (BR )CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

t j =25 ℃

1200

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 18,0 mA ,v CE = v GE , t j =25 ℃

5.0

5.8

7.0

v

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C = 450 A, V GE =15V, t j =25 ℃

2.00

2.45

v

I C = 450 A, V GE =15V, t j =125 ℃

2.20

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 450 A, r g = 2,2Ω,

v GE =±15V, t j =25 ℃

220

NS

t r

Aufstiegszeit

68

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

475

NS

t F

Herbstzeit

55

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

48.0

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

28.2

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 450 A, r g = 2,2Ω,

v GE =±15V, t j =125 ℃

250

NS

t r

Aufstiegszeit

72

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

530

NS

t F

Herbstzeit

80

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

66.0

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

45.0

mJ

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

31.8

NF

C - Die

Ausgangskapazität

2.13

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.41

NF

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15 V,

t j =125 °C, v CC =900V, v CEM ≤ 1200 V

1950

Ein

Q g

Gate-Ladung

v CC =600V,I C = 450 A, v GE =-15 ﹍+15V

4.59

μC

r Gint

Interner Gate-Widerst and

0.7

Ω

L CE

Streuinduktivität

20

nH

r CC’+EE’

Modul Blei

Widerstand,

Anschluss zu Chip

0.35

mΩ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F = 450 A

v GE =0V

t j =25 ℃

1.72

2.12

v

t j =125 ℃

1.73

Q r

Wiederhergestellt

ladevorgang

I F = 450 A,

v r =600V,

r g = 2,2Ω,

v GE =-15V

t j =25 ℃

36.2

μC

t j =125 ℃

78.1

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

t j =25 ℃

234

Ein

t j =125 ℃

314

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

t j =25 ℃

19.1

mJ

t j =125 ℃

36.3

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

r θ JC

Junction-to-Case (pro IGB T)

0.056

K/W

r θ JC

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.107

K/W

r θ CS

Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung) (Lügen)

0.035

K/W

Gewicht

Gewicht Modul

300

g