IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Die GD2400SGT120C4S

Einheiten

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

IC

Kollektorstrom @tC=25℃

@ TC= 100℃

3800

2400

Ein

ICM

Pulsierter Kollektorstrom tP=1ms

4800

Ein

IF

Diode kontinuierlich vorwärtsrent

2400

Ein

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom tP=1ms

4800

Ein

PD

Maximalleistung Ablösung @ Tj=175℃

12.9

kW

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

℃

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

℃

tstg

LagerungstemperaturReichweite

-40 bis +125

℃

vISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1Min

3400

v

Montage Drehmoment

Signalterminal-Schraube:M4

1.8 bis 2.1

Leistungsanschluss-Schraube:M8

8.0 bis 10

N.M

Montageschraube:M6

4.25 bis 5.75

Gewicht

Gewicht von Modul

2300

g

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v(BR)CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

tj=25℃

1200

v

ICES

Sammler Schnitt-aus

Aktuell

vCE=vCES,vGE=0V,tj=25℃

5.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

vGE=vGES,vCE=0V, tj=25℃

400

NA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

vGE(th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=96mA,vCE=vGE, tj=25℃

5.0

5.8

6.5

v

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

IC=2400A,VGE=15V, tj=25℃

1.70

2.15

v

IC=2400A,VGE=15V, tj=125℃

2.00

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

tD(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCC=600V,IC=2400A, rGon= 1.2Ω,

rGoff=0.3Ω,

vGE=±15V,Tj=25℃

600

NS

tr

Aufstiegszeit

215

NS

tD(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

810

NS

tF

Herbstzeit

145

NS

eauf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

/

mJ

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

/

mJ

tD(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCC=600V,IC=2400A, rGon= 1.2Ω,

rGoff=0.3Ω,

vGE=±15V,Tj= 125℃

695

NS

tr

Aufstiegszeit

235

NS

tD(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

970

NS

tF

Herbstzeit

182

NS

eauf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

488

mJ

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

382

mJ

Cies

Eingangskapazität

vCE=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

173

NF

C- Die

Ausgangskapazität

9.05

NF

Cres

Rückübertragungs-

Kapazität

7.85

NF

ISC

SC-Daten

tP≤ 10 μs, VGE=15 V,

tj=125°C,vCC=900V, vCEM≤ 1200 V

9600

Ein

Qg

Gate-Ladung

vCC=600V,IC=2400A, vGE=-15 ﹍+15V

23.0

μC

rGint

Interner Gate-Widerstand

0.42

Ω

LCE

Streuinduktivität

10

nH

rCC’+EE’

Modul Blei

Widerstand,

Anschluss zu Chip

0.12

mΩ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

vF

Diodenvorwärts

Spannung

IF=2400A

vGE=0V

tj=25℃

1.65

2.05

v

tj=125℃

1.65

Qr

Wiederhergestellt

ladevorgang

IF=2400A,

vr=600V,

rGon=0.3Ω,

vGE=-15V

tj=25℃

240

μC

tj=125℃

460

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

tj=25℃

1650

Ein

tj=125℃

2150

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

tj=25℃

/

mJ

tj=125℃

208

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

rθJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

11.6

K/kW

rθJC

Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel

19.7

K/kW

rθCS

Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung)(Lügen)

4

K/kW